Полупроводники, Транзисторы, FET, MOSFET Micro Commercial Co

    • Package / Case
    • Тип транзистора
    • Технология
    • Рабочая температура
    • Тип полевого транзистора
    • Усиление
    • Коэффициент шума
    • Рассеиваемая мощность (Макс)
    • Напряжение сток-исток (Vdss)
    • Voltage - Test
    • Current - Test
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C
    • FET Feature
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds
    • Напряжение затвора (макс)
    • Серия
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100
Списком Таблицей
Найдено: 168
  • BSS123-TP
    N-CHANNELMOSFETSOT-23
    Micro Commercial Co
    • Производитель: Micro Commercial Co
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
    • Тип корпуса: SOT-23
    • Тип полевого транзистора: N-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 100V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 170mA
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 2nC @ 10V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 60pF @ 25V
    • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 350mW
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
    • Напряжение затвора (макс): ±20V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • SI3134KL3-TP
    MOSFET N-CH 20V DFN1006-3
    Micro Commercial Co
    • Производитель: Micro Commercial Co
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: SC-101, SOT-883
    • Тип корпуса: DFN1006-3
    • Тип полевого транзистора: N-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 20V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 750mA
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 150mA, 4.5V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 120pF @ 16V
    • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 100mW
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
    • Напряжение затвора (макс): ±12V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • MCQ03N06-TP
    DUAL N-CHANNEL MOSFET,SOP-8
    Micro Commercial Co
    • Производитель: Micro Commercial Co
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
    • Тип корпуса: 8-SOP
    • Тип полевого транзистора: 2 N-Channel (Dual)
    • FET Feature: Standard
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 60V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 3A
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 3A, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 6nC @ 4.5V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 247pF @ 30V
    • Мощность - Макс.: 1.7W
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • SI3401A-TP
    P-CHANNEL,MOSFETS,SOT-23 PACKAGE
    Micro Commercial Co
    • Производитель: Micro Commercial Co
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
    • Тип корпуса: SOT-23
    • Тип полевого транзистора: P-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 30V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 4.2A
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 4.2A, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 1050pF @ 15V
    • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 400mW
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
    • Напряжение затвора (макс): ±12V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • SI2303-TP
    P-CHANNEL MOSFET, SOT-23 PACKAGE
    Micro Commercial Co
    • Производитель: Micro Commercial Co
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
    • Тип корпуса: SOT-23
    • Тип полевого транзистора: P-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 30V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 2A, 4.5V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 3V @ 250µA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 10V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 226pF @ 100V
    • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 250mW (Ta)
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
    • Напряжение затвора (макс): ±20V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • SI2321-TP
    P-CHANNEL MOSFET, SOT-23 PACKAGE
    Micro Commercial Co
    • Производитель: Micro Commercial Co
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
    • Тип корпуса: SOT-23
    • Тип полевого транзистора: P-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 20V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 2.9A (Ta)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 2.2A, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 13nC @ 4.5V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 715pF @ 6V
    • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 350mW (Ta)
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V
    • Напряжение затвора (макс): ±12V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • 2N7002KA-TP
    N-CHANNEL,MOSFETS,SOT-23 PACKAGE
    Micro Commercial Co
    • Производитель: Micro Commercial Co
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
    • Тип корпуса: SOT-23
    • Тип полевого транзистора: N-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 60V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 340mA
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 40pF @ 10V
    • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 350mW
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
    • Напряжение затвора (макс): ±20V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • MCM1208-TP
    MOSFET P-CH 12V 8A DFN202
    Micro Commercial Co
    • Производитель: Micro Commercial Co
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
    • Тип корпуса: DFN2020-6J
    • Тип полевого транзистора: P-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 12V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 8A (Ta)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 5A, 4.5V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 1V @ 250µA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 21nC @ 4.5V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 1275pF @ 6V
    • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
    • Напряжение затвора (макс): ±8V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • MCU06N40-TP
    N-CHANNEL MOSFET, DPAK PACKAGE
    Micro Commercial Co
    • Производитель: Micro Commercial Co
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    • Тип корпуса: D-Pak
    • Тип полевого транзистора: N-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 400V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 6A
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 3A, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 4V @ 250µA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 17.5nC @ 10V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 462pF @ 25V
    • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 45W (Tc)
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
    • Напряжение затвора (макс): ±30V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • MCMNP517-TP
    MOSFET N/P-CH 12V 6A/4.1A
    Micro Commercial Co
    • Производитель: Micro Commercial Co
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: 6-VDFN Exposed Pad
    • Тип корпуса: DFN2020-6U
    • Тип полевого транзистора: N and P-Channel
    • FET Feature: Logic Level Gate, 1.8V Drive
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 12V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 6A, 4.1A
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 6A, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 1V @ 250µA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 10V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 630pF @ 10V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • 2N7002V-TP
    MOSFET 2N-CH 60V 0.28A SOT-563
    Micro Commercial Co
    • Производитель: Micro Commercial Co
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: SOT-563, SOT-666
    • Тип корпуса: SOT-563
    • Тип полевого транзистора: 2 N-Channel (Dual)
    • FET Feature: Standard
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 60V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 280mA
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 500mA, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 25V
    • Мощность - Макс.: 150mW
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • MCQ4822-TP
    N-CHANNEL MOSFET, SOP-8 PACKAGE
    Micro Commercial Co
    • Производитель: Micro Commercial Co
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TA)
    • Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
    • Тип корпуса: 8-SOP
    • Тип полевого транзистора: N-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 30V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 8.5A (Ta)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 6A, 4.5V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 3V @ 250µA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 23nC @ 10V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 1250pF @ 15V
    • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 1.4W (Ta)
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
    • Напряжение затвора (макс): ±20V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • SIL2623A-TP
    MOSFET P-CH SOT23
    Micro Commercial Co
    • Производитель: Micro Commercial Co
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: SOT-23-6
    • Тип корпуса: SOT-23-6L
    • Тип полевого транзистора: 2 P-Channel (Dual)
    • FET Feature: Standard
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 30V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 3A
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 3A, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5nC @ 15V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 365pF @ 10V
    • Мощность - Макс.: 1.25W
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • 2N7002T-TP
    MOSFET N-CH 60V 115MA SOT523
    Micro Commercial Co
    • Производитель: Micro Commercial Co
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C
    • Package / Case: SOT-523
    • Тип корпуса: SOT-523
    • Тип полевого транзистора: N-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 60V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 115mA
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5Ohm @ 500mA, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 2V @ 250µA
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 25V
    • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 150mW
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
    • Напряжение затвора (макс): ±20V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • SI3134KE-TP
    N-CHANNEL,MOSFETS,SOT-523 PACKAG
    Micro Commercial Co
    • Производитель: Micro Commercial Co
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: SOT-523
    • Тип корпуса: SOT-523
    • Тип полевого транзистора: N-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 20V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 750mA
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 650mA, 4.5V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 120pF @ 16V
    • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 150mW (Ta)
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
    • Напряжение затвора (макс): ±12V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100