Найдено: 2
-
MOSFET N-CH
IXYS
- Производитель: IXYS
- Серия: HiPerFET™
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-247-4
- Тип корпуса: TO-247-4L
- Тип канала: N-Channel
- Напряжение сток-исток (Vdss): 650V
- Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 30A, 10V
- Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 5V @ 4mA
- Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 108nC @ 10V
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 6300pF @ 25V
- Технология: MOSFET (Metal Oxide)
- Рассеиваемая мощность (Макс): 780W (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
- Напряжение затвора (макс): ±30V
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
MOSFET N-CH
IXYS
- Производитель: IXYS
- Серия: HiPerFET™
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-247-4
- Тип корпуса: TO-247-4L
- Тип канала: N-Channel
- Напряжение сток-исток (Vdss): 650V
- Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 500mA, 10V
- Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 5V @ 4mA
- Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 140nC @ 10V
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 8300pF @ 25V
- Технология: MOSFET (Metal Oxide)
- Рассеиваемая мощность (Макс): 890W (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
- Напряжение затвора (макс): ±30V
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием: