• Package / Case
    • Тип транзистора
    • Технология
    • Рабочая температура
    • Тип канала
    • Усиление
    • Коэффициент шума
    • Рассеиваемая мощность (Макс)
    • Напряжение сток-исток (Vdss)
    • Voltage - Test
    • Current - Test
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C
    • FET Feature
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds
    • Напряжение затвора (макс)
    • Серия
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100
Списком Таблицей
Найдено: 21
Наименование Описание Производитель
Тип корпуса
Вид монтажа
Package / Case
Технология
Рабочая температура
Тип канала
Рассеиваемая мощность (Макс)
Напряжение сток-исток (Vdss)
Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C
Rds On (Max) @ Id, Vgs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id
Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs
Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds
Напряжение затвора (макс)
Серия
IXFP30N25X3 MOSFET N-CHANNEL 250V 30A TO220 IXYS TO-220 Through Hole TO-220-3 MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) N-Channel 176W (Tc) 250V 30A (Tc) 60mOhm @ 15A, 10V 10V 4.5V @ 500µA 21nC @ 10V 1450pF @ 25V ±20V HiPerFET™
IXFP14N85XM MOSFET N-CHANNEL 850V 14A TO220 IXYS TO-220 Through Hole TO-220-3 Full Pack MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) N-Channel 38W (Tc) 850V 14A (Tc) 550mOhm @ 7A, 10V 10V 5.5V @ 1mA 30nC @ 10V 1043pF @ 25V ±30V HiPerFET™
IXTP2N65X2 MOSFET N-CH 650V 2A X2 TO-220 IXYS TO-220 Through Hole TO-220-3 MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) N-Channel 55W (Tc) 650V 2A (Tc) 2.3Ohm @ 1A, 10V 10V 5V @ 250µA 4.3nC @ 10V 180pF @ 25V ±30V
IXTP12N65X2 MOSFET N-CH 650V 12A TO-220 IXYS TO-220 Through Hole TO-220-3 MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) N-Channel 180W (Tc) 650V 12A (Tc) 300mOhm @ 6A, 10V 10V 5V @ 250µA 17nC @ 10V 1100pF @ 25V ±30V
IXTP150N15X4 MOSFET N-CH 150V 150A TO-220 IXYS TO-220 Through Hole TO-220-3 MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) N-Channel 480W (Tc) 150V 150A (Tc) 7.2mOhm @ 75A, 10V 10V 4.5V @ 250µA 105nC @ 10V 5500pF @ 25V ±20V
IXFP8N65X2 MOSFET N-CH IXYS TO-220 Through Hole TO-220-3 MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) N-Channel 150W (Tc) 650V 8A (Tc) 450mOhm @ 4A, 10V 10V 5V @ 250µA 11nC @ 10V 790pF @ 25V ±30V HiPerFET™
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100