• Package / Case
    • Тип транзистора
    • Технология
    • Рабочая температура
    • Тип канала
    • Усиление
    • Коэффициент шума
    • Рассеиваемая мощность (Макс)
    • Напряжение сток-исток (Vdss)
    • Voltage - Test
    • Current - Test
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C
    • FET Feature
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds
    • Напряжение затвора (макс)
    • Серия
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100
Списком Таблицей
Найдено: 175
  • IXFN130N90SK
    SICARBIDE-DISCRETE MOSFET SOT-22
    IXYS
    • Производитель: IXYS
    • Вид монтажа: Chassis Mount
    • Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
    • Тип корпуса: SOT-227B
    • Тип канала: 2 N-Channel (Dual)
    • FET Feature: Standard
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 900V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IXFN80N60P3
    MOSFET N-CH 600V 66A SOT-227B
    IXYS
    • Производитель: IXYS
    • Серия: HiPerFET™, Polar3™
    • Вид монтажа: Chassis Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
    • Тип корпуса: SOT-227B
    • Тип канала: N-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 600V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 66A (Tc)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 40A, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 5V @ 8mA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 190nC @ 10V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 13100pF @ 25V
    • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 960W (Tc)
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
    • Напряжение затвора (макс): ±30V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IXFN230N20T
    MOSFET N-CH 200V 220A SOT-227
    IXYS
    • Производитель: IXYS
    • Серия: GigaMOS™
    • Вид монтажа: Chassis Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
    • Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
    • Тип корпуса: SOT-227B
    • Тип канала: N-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 200V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 220A (Tc)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 60A, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 5V @ 8mA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 378nC @ 10V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 28000pF @ 25V
    • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 1090W (Tc)
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
    • Напряжение затвора (макс): ±20V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IXTN79N20
    MOSFET N-CH 200V 79A SOT-227
    IXYS
    • Производитель: IXYS
    • Вид монтажа: Chassis Mount
    • Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
    • Тип корпуса: SOT-227B
    • Тип канала: N-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 200V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 85A (Tc)
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 4V @ 20mA
    • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 400W (Tc)
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IXFN100N50P
    MOSFET N-CH 500V 90A SOT-227B
    IXYS
    • Производитель: IXYS
    • Серия: PolarHV™
    • Вид монтажа: Chassis Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
    • Тип корпуса: SOT-227B
    • Тип канала: N-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 500V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 49mOhm @ 50A, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 5V @ 8mA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 240nC @ 10V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 20000pF @ 25V
    • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 1040W (Tc)
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
    • Напряжение затвора (макс): ±30V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IXFN64N60P
    MOSFET N-CH 600V 50A SOT-227
    IXYS
    • Производитель: IXYS
    • Серия: PolarHV™
    • Вид монтажа: Chassis Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
    • Тип корпуса: SOT-227B
    • Тип канала: N-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 600V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 96mOhm @ 500mA, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 5V @ 8mA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 200nC @ 10V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 12000pF @ 25V
    • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 700W (Tc)
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
    • Напряжение затвора (макс): ±30V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IXFN120N65X2
    MOSFET N-CH 650V 108A SOT-227
    IXYS
    • Производитель: IXYS
    • Серия: HiPerFET™
    • Вид монтажа: Chassis Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
    • Тип корпуса: SOT-227B
    • Тип канала: N-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 650V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 108A (Tc)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 54A, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 5.5V @ 8mA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 225nC @ 10V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 15500pF @ 25V
    • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 890W (Tc)
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
    • Напряжение затвора (макс): ±30V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IXFN36N110P
    MOSFET N-CH 1100V 36A SOT-227B
    IXYS
    • Производитель: IXYS
    • Серия: Polar™
    • Вид монтажа: Chassis Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
    • Тип корпуса: SOT-227B
    • Тип канала: N-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 1100V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 500mA, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 6.5V @ 1mA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 350nC @ 10V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 23000pF @ 25V
    • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 1000W (Tc)
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
    • Напряжение затвора (макс): ±30V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IXFE73N30Q
    MOSFET N-CH 300V 66A SOT-227B
    IXYS
    • Производитель: IXYS
    • Серия: HiPerFET™
    • Вид монтажа: Chassis Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
    • Тип корпуса: SOT-227B
    • Тип канала: N-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 300V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 66A (Tc)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 36.5A, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 4V @ 4mA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 190nC @ 10V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 6400pF @ 25V
    • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 400W (Tc)
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
    • Напряжение затвора (макс): ±20V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IXFN220N20X3
    200V/160A ULTRA JUNCTION X3-CLAS
    IXYS
    • Производитель: IXYS
    • Серия: HiPerFET™
    • Вид монтажа: Chassis Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
    • Тип корпуса: SOT-227B
    • Тип канала: N-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 200V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2mOhm @ 110A, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 4.5V @ 4mA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 204nC @ 10V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 13600pF @ 25V
    • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 390W (Tc)
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
    • Напряжение затвора (макс): ±20V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IXFN82N60Q3
    MOSFET N-CH 600V 66A SOT-227
    IXYS
    • Производитель: IXYS
    • Серия: HiPerFET™
    • Вид монтажа: Chassis Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
    • Тип корпуса: SOT-227B
    • Тип канала: N-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 600V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 66A (Tc)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 41A, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 6.5V @ 8mA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 275nC @ 10V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 13500pF @ 25V
    • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 960W (Tc)
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
    • Напряжение затвора (макс): ±30V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IXFN48N60P
    MOSFET N-CH 600V 40A SOT-227
    IXYS
    • Производитель: IXYS
    • Серия: PolarHV™
    • Вид монтажа: Chassis Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
    • Тип корпуса: SOT-227B
    • Тип канала: N-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 600V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 4A, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 5.5V @ 8mA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 150nC @ 10V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 8860pF @ 25V
    • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 625W (Tc)
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
    • Напряжение затвора (макс): ±30V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IXFN90N30
    MOSFET N-CH 300V 90A SOT-227B
    IXYS
    • Производитель: IXYS
    • Серия: HiPerFET™
    • Вид монтажа: Chassis Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
    • Тип корпуса: SOT-227B
    • Тип канала: N-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 300V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 45A, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 4V @ 8mA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 360nC @ 10V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 10000pF @ 25V
    • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 560W (Tc)
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
    • Напряжение затвора (макс): ±20V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IXTN110N20L2
    MOSFET N-CH 200V 100A SOT-227
    IXYS
    • Производитель: IXYS
    • Серия: Linear L2™
    • Вид монтажа: Chassis Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
    • Тип корпуса: SOT-227B
    • Тип канала: N-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 200V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 55A, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 4.5V @ 3mA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 500nC @ 10V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 23000pF @ 25V
    • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 735W (Tc)
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
    • Напряжение затвора (макс): ±20V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IXFN100N25
    MOSFET N-CH 250V 100A SOT-227B
    IXYS
    • Производитель: IXYS
    • Серия: HiPerFET™
    • Вид монтажа: Chassis Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
    • Тип корпуса: SOT-227B
    • Тип канала: N-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 250V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 500mA, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 4V @ 8mA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 300nC @ 10V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 9100pF @ 25V
    • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 600W (Tc)
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
    • Напряжение затвора (макс): ±20V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100