• Package / Case
    • Тип транзистора
    • Технология
    • Рабочая температура
    • Тип канала
    • Усиление
    • Коэффициент шума
    • Рассеиваемая мощность (Макс)
    • Напряжение сток-исток (Vdss)
    • Voltage - Test
    • Current - Test
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C
    • FET Feature
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds
    • Напряжение затвора (макс)
    • Серия
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100
Списком Таблицей
Найдено: 175
  • IXFN170N65X2
    MOSFET N-CH
    IXYS
    • Производитель: IXYS
    • Серия: HiPerFET™
    • Вид монтажа: Chassis Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
    • Тип корпуса: SOT-227B
    • Тип канала: N-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 650V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 170A (Tc)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 85A, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 5V @ 8mA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 434nC @ 10V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 27000pF @ 25V
    • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 1170W (Tc)
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
    • Напряжение затвора (макс): ±30V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IXTN60N50L2
    MOSFET N-CH 500V 53A SOT-227
    IXYS
    • Производитель: IXYS
    • Серия: Linear L2™
    • Вид монтажа: Chassis Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
    • Тип корпуса: SOT-227B
    • Тип канала: N-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 500V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 53A (Tc)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 30A, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 610nC @ 10V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 24000pF @ 25V
    • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 735W (Tc)
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
    • Напряжение затвора (макс): ±30V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IXFE180N10
    MOSFET N-CH 100V 176A ISOPLUS227
    IXYS
    • Производитель: IXYS
    • Серия: HiPerFET™
    • Вид монтажа: Chassis Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
    • Тип корпуса: SOT-227B
    • Тип канала: N-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 100V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 176A (Tc)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 90A, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 4V @ 8mA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 360nC @ 10V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 9100pF @ 25V
    • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 500W (Tc)
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
    • Напряжение затвора (макс): ±20V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IXFN48N50U2
    MOSFET N-CH 500V 48A SOT-227B
    IXYS
    • Производитель: IXYS
    • Серия: HiPerFET™
    • Вид монтажа: Chassis Mount
    • Рабочая температура: -40°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
    • Тип корпуса: SOT-227B
    • Тип канала: N-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 500V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 48A (Tc)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 500mA, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 4V @ 8mA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 270nC @ 10V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 8400pF @ 25V
    • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 520W (Tc)
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
    • Напряжение затвора (макс): ±20V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IXFN70N60Q2
    MOSFET N-CH 600V 70A SOT-227B
    IXYS
    • Производитель: IXYS
    • Серия: HiPerFET™
    • Вид монтажа: Chassis Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
    • Тип корпуса: SOT-227B
    • Тип канала: N-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 600V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 35A, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 5V @ 8mA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 265nC @ 10V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 7200pF @ 25V
    • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 890W (Tc)
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
    • Напряжение затвора (макс): ±30V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IXFN160N30T
    MOSFET N-CH 300V 130A SOT227
    IXYS
    • Производитель: IXYS
    • Серия: GigaMOS™
    • Вид монтажа: Chassis Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
    • Тип корпуса: SOT-227B
    • Тип канала: N-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 300V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 130A (Tc)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 60A, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 5V @ 8mA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 335nC @ 10V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 28000pF @ 25V
    • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 900W (Tc)
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
    • Напряжение затвора (макс): ±20V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IXFN21N100Q
    MOSFET N-CH 1000V 21A SOT-227B
    IXYS
    • Производитель: IXYS
    • Серия: HiPerFET™
    • Вид монтажа: Chassis Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
    • Тип корпуса: SOT-227B
    • Тип канала: N-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 1000V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 500mA, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 5V @ 4mA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 170nC @ 10V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 5900pF @ 25V
    • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 520W (Tc)
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
    • Напряжение затвора (макс): ±20V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IXFN48N55
    MOSFET N-CH 550V 48A SOT-227B
    IXYS
    • Производитель: IXYS
    • Серия: HiPerFET™
    • Вид монтажа: Chassis Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
    • Тип корпуса: SOT-227B
    • Тип канала: N-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 550V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 48A (Tc)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 500mA, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 4.5V @ 8mA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 330nC @ 10V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 8900pF @ 25V
    • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 600W (Tc)
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
    • Напряжение затвора (макс): ±20V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IXFN44N50U2
    MOSFET N-CH 500V 44A SOT-227B
    IXYS
    • Производитель: IXYS
    • Серия: HiPerFET™
    • Вид монтажа: Chassis Mount
    • Рабочая температура: -40°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
    • Тип корпуса: SOT-227B
    • Тип канала: N-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 500V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 500mA, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 4V @ 8mA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 270nC @ 10V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 8400pF @ 25V
    • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 520W (Tc)
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
    • Напряжение затвора (макс): ±20V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IXFN72N55Q2
    MOSFET N-CH 550V 72A SOT-227B
    IXYS
    • Производитель: IXYS
    • Серия: HiPerFET™
    • Вид монтажа: Chassis Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
    • Тип корпуса: SOT-227B
    • Тип канала: N-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 550V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 72A (Tc)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72mOhm @ 500mA, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 5V @ 8mA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 258nC @ 10V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 10500pF @ 25V
    • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 890W (Tc)
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
    • Напряжение затвора (макс): ±30V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IXTN21N100
    MOSFET N-CH 1KV 21A SOT-227B
    IXYS
    • Производитель: IXYS
    • Серия: MegaMOS™
    • Вид монтажа: Chassis Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
    • Тип корпуса: SOT-227B
    • Тип канала: N-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 1000V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 500mA, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 4.5V @ 500µA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 250nC @ 10V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 8400pF @ 25V
    • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 520W (Tc)
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
    • Напряжение затвора (макс): ±20V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IXFN40N90P
    MOSFET N-CH 900V 33A SOT227
    IXYS
    • Производитель: IXYS
    • Серия: Polar™
    • Вид монтажа: Chassis Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
    • Тип корпуса: SOT-227B
    • Тип канала: N-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 900V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 210mOhm @ 20A, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 6.5V @ 1mA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 230nC @ 10V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 14000pF @ 25V
    • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 695W (Tc)
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
    • Напряжение затвора (макс): ±30V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IXFN44N80Q3
    MOSFET N-CH 800V 37A SOT-227
    IXYS
    • Производитель: IXYS
    • Серия: HiPerFET™
    • Вид монтажа: Chassis Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
    • Тип корпуса: SOT-227B
    • Тип канала: N-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 800V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 37A (Tc)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 22A, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 6.5V @ 8mA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 185nC @ 10V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 9840pF @ 25V
    • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 780W (Tc)
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
    • Напряжение затвора (макс): ±30V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IXFE39N90
    MOSFET N-CH 900V 34A ISOPLUS227
    IXYS
    • Производитель: IXYS
    • Серия: HiPerFET™
    • Вид монтажа: Chassis Mount
    • Рабочая температура: -40°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
    • Тип корпуса: SOT-227B
    • Тип канала: N-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 900V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 19.5A, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 5V @ 8mA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 375nC @ 10V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 13400pF @ 25V
    • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 580W (Tc)
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
    • Напряжение затвора (макс): ±20V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IXFN100N10S3
    MOSFET N-CH 100V 100A SOT-227B
    IXYS
    • Производитель: IXYS
    • Серия: HiPerFET™
    • Вид монтажа: Chassis Mount
    • Рабочая температура: -40°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
    • Тип корпуса: SOT-227B
    • Тип канала: N-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 100V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 500mA, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 4V @ 4mA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 180nC @ 10V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 4500pF @ 25V
    • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 360W (Tc)
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
    • Напряжение затвора (макс): ±20V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100