-
- Package / Case
- Тип транзистора
- Технология
- Рабочая температура
- Тип канала
- Усиление
- Коэффициент шума
- Рассеиваемая мощность (Макс)
- Напряжение сток-исток (Vdss)
- Voltage - Test
- Current - Test
- Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C
- FET Feature
- Rds On (Max) @ Id, Vgs
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
- Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id
- Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds
- Напряжение затвора (макс)
- Серия
| Наименование | Описание | Производитель
|
Тип корпуса
|
Вид монтажа
|
Package / Case
|
Технология
|
Рабочая температура
|
Тип канала
|
Рассеиваемая мощность (Макс)
|
Напряжение сток-исток (Vdss)
|
Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C
|
FET Feature
|
Rds On (Max) @ Id, Vgs
|
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
|
Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id
|
Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs
|
Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds
|
Напряжение затвора (макс)
|
Серия
|
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IXFL38N100Q2 | MOSFET N-CH 1000V 29A ISOPLUS264 | IXYS | ISOPLUS264™ | Through Hole | ISOPLUS264™ | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | N-Channel | 380W (Tc) | 1000V | 29A (Tc) | 280mOhm @ 19A, 10V | 10V | 5.5V @ 8mA | 250nC @ 10V | 13500pF @ 25V | ±30V | HiPerFET™ | |
| IXFL82N60P | MOSFET N-CH 600V 55A ISOPLUS 264 | IXYS | ISOPLUS264™ | Through Hole | ISOPLUS264™ | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | N-Channel | 625W (Tc) | 600V | 55A (Tc) | 78mOhm @ 41A, 10V | 10V | 5V @ 8mA | 240nC @ 10V | 23000pF @ 25V | ±30V | HiPerFET™, PolarHT™ |
- 10
- 15
- 50
- 100