-
- Package / Case
- Тип транзистора
- Технология
- Рабочая температура
- Тип канала
- Усиление
- Коэффициент шума
- Рассеиваемая мощность (Макс)
- Напряжение сток-исток (Vdss)
- Voltage - Test
- Current - Test
- Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C
- FET Feature
- Rds On (Max) @ Id, Vgs
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
- Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id
- Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds
- Напряжение затвора (макс)
- Серия
-
- Производитель: IXYS
- Серия: HiPerFET™
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: ISOPLUS264™
- Тип корпуса: ISOPLUS264™
- Тип канала: N-Channel
- Напряжение сток-исток (Vdss): 1000V
- Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 29A (Tc)
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 19A, 10V
- Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 5.5V @ 8mA
- Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 250nC @ 10V
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 13500pF @ 25V
- Технология: MOSFET (Metal Oxide)
- Рассеиваемая мощность (Макс): 380W (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
- Напряжение затвора (макс): ±30V
-
- Производитель: IXYS
- Серия: HiPerFET™, PolarHT™
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: ISOPLUS264™
- Тип корпуса: ISOPLUS264™
- Тип канала: N-Channel
- Напряжение сток-исток (Vdss): 600V
- Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 55A (Tc)
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 41A, 10V
- Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 5V @ 8mA
- Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 240nC @ 10V
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 23000pF @ 25V
- Технология: MOSFET (Metal Oxide)
- Рассеиваемая мощность (Макс): 625W (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
- Напряжение затвора (макс): ±30V
- 10
- 15
- 50
- 100