-
- Package / Case
- Тип транзистора
- Технология
- Рабочая температура
- Тип канала
- Усиление
- Коэффициент шума
- Рассеиваемая мощность (Макс)
- Напряжение сток-исток (Vdss)
- Voltage - Test
- Current - Test
- Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C
- FET Feature
- Rds On (Max) @ Id, Vgs
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
- Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id
- Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds
- Напряжение затвора (макс)
- Серия
| Наименование | Описание | Производитель
|
Тип корпуса
|
Мощность - Макс.
|
Вид монтажа
|
Package / Case
|
Технология
|
Рабочая температура
|
Тип канала
|
Рассеиваемая мощность (Макс)
|
Напряжение сток-исток (Vdss)
|
Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C
|
FET Feature
|
Rds On (Max) @ Id, Vgs
|
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
|
Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id
|
Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs
|
Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds
|
Напряжение затвора (макс)
|
Серия
|
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| FMP36-015P | MOSFET N/P-CH 150V 36A/22A I4PAC | IXYS | ISOPLUS i4-PAC™ | 125W | Through Hole | i4-Pac™-5 | -55°C ~ 150°C (TJ) | N and P-Channel | 150V | 36A, 22A | Standard | 40mOhm @ 31A, 10V | 5.5V @ 250µA | 70nC @ 10V | 2250pF @ 25V | Polar™ | ||||
| IXTF200N10T | MOSFET N-CH 100V 90A I4-PAC-5 | IXYS | ISOPLUS i4-PAC™ | Through Hole | i4-Pac™-5 | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 175°C (TJ) | N-Channel | 156W (Tc) | 100V | 90A (Tc) | 7mOhm @ 50A, 10V | 10V | 4.5V @ 250µA | 152nC @ 10V | 9400pF @ 25V | ±30V | TrenchMV™ | ||
| FDM100-0045SP | MOSFET N-CH 55V 100A I4-PAC-5 | IXYS | ISOPLUS i4-PAC™ | Through Hole | i4-Pac™-5 | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 175°C (TJ) | N-Channel | 55V | 100A (Tc) | 7.2mOhm @ 80A, 10V | 10V | 4V @ 1mA | 100nC @ 10V | ±20V | |||||
| FMD15-06KC5 | MOSFET N-CH 600V 15A I4-PAC-5 | IXYS | ISOPLUS i4-PAC™ | Through Hole | ISOPLUSi5-Pak™ | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | N-Channel | 600V | 15A (Tc) | 165mOhm @ 12A, 10V | 10V | 3.5V @ 790µA | 52nC @ 10V | 2000pF @ 100V | ±20V | CoolMOS™ | |||
| IXTF1N450 | MOSFET N-CH 4500V 0.9A I4PAK | IXYS | ISOPLUS i4-PAC™ | Through Hole | i4-Pac™-5 (3 Leads) | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | N-Channel | 160W (Tc) | 4500V | 900mA (Tc) | 85Ohm @ 50mA, 10V | 10V | 6.5V @ 250µA | 40nC @ 10V | 1730pF @ 25V | ±20V | |||
| FMK75-01F | MOSFET 2N-CH 100V 75A I4-PAC-5 | IXYS | ISOPLUS i4-PAC™ | Through Hole | i4-Pac™-5 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 2 N-Channel (Dual) | 100V | 75A | Standard | 25mOhm @ 50A, 10V | 4V @ 4mA | 180nC @ 10V | HiPerFET™ | ||||||
| IXTF1N400 | MOSFET N-CH 4000V 1A ISOPLUS I4 | IXYS | ISOPLUS i4-PAC™ | Through Hole | i4-Pac™-5 (3 Leads) | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | N-Channel | 160W (Tc) | 4000V | 1A (Tc) | 60Ohm @ 500mA, 10V | 10V | 4V @ 250µA | 78nC @ 10V | 2530pF @ 25V | ±20V | |||
| FMM22-06PF | MOSFET 2N-CH 600V 12A I4-PAC | IXYS | ISOPLUS i4-PAC™ | 130W | Through Hole | i4-Pac™-5 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 2 N-Channel (Dual) | 600V | 12A | Standard | 350mOhm @ 11A, 10V | 5V @ 1mA | 58nC @ 10V | 3600pF @ 25V | HiPerFET™, PolarHT™ |
- 10
- 15
- 50
- 100