Полупроводники, Транзисторы, FET, MOSFET IXYS ISO264™
-
- Package / Case
- Тип транзистора
- Технология
- Рабочая температура
- Тип полевого транзистора
- Усиление
- Коэффициент шума
- Рассеиваемая мощность (Макс)
- Напряжение сток-исток (Vdss)
- Voltage - Test
- Current - Test
- Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C
- FET Feature
- Rds On (Max) @ Id, Vgs
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
- Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id
- Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds
- Напряжение затвора (макс)
- Серия
-
- Производитель: IXYS
- Серия: HiPerFET™
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -40°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: ISO264™
- Тип корпуса: ISO264™
- Тип полевого транзистора: N-Channel
- Напряжение сток-исток (Vdss): 500V
- Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 48A (Tc)
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 27.5A, 10V
- Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 4.5V @ 8mA
- Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 330nC @ 10V
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 9400pF @ 25V
- Технология: MOSFET (Metal Oxide)
- Рассеиваемая мощность (Макс): 400W (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
- Напряжение затвора (макс): ±20V
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: IXYS
- Серия: CoolMOS™
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: ISO264™
- Тип корпуса: ISO264™
- Тип полевого транзистора: N-Channel
- Напряжение сток-исток (Vdss): 800V
- Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 9A, 10V
- Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 4V @ 2mA
- Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 166nC @ 10V
- Технология: MOSFET (Metal Oxide)
- Рассеиваемая мощность (Макс): 250W (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
- Напряжение затвора (макс): ±20V
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
- 10
- 15
- 50
- 100