• Package / Case
    • Тип транзистора
    • Технология
    • Рабочая температура
    • Тип канала
    • Усиление
    • Коэффициент шума
    • Рассеиваемая мощность (Макс)
    • Напряжение сток-исток (Vdss)
    • Voltage - Test
    • Current - Test
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C
    • FET Feature
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds
    • Напряжение затвора (макс)
    • Серия
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100
Списком Таблицей
Найдено: 2
  • IXFJ20N85X
    MOSFET N-CH 850V 9.5A TO247
    IXYS
    • Производитель: IXYS
    • Серия: HiPerFET™
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-247-3
    • Тип корпуса: ISO TO-247-3
    • Тип канала: N-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 850V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 9.5A (Tc)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 10A, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 5.5V @ 2.5mA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 63nC @ 10V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 1660pF @ 25V
    • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 110W (Tc)
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
    • Напряжение затвора (макс): ±30V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IXFJ80N25X3
    MOSFET N-CH 250V 44A TO247
    IXYS
    • Производитель: IXYS
    • Серия: HiPerFET™
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-247-3
    • Тип корпуса: ISO TO-247-3
    • Тип канала: N-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 250V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 40A, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 4.5V @ 1.5mA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 83nC @ 10V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 5430pF @ 25V
    • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 104W (Tc)
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
    • Напряжение затвора (макс): ±20V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100