Полупроводники, Транзисторы, FET, MOSFET IXYS ECO-PAC2
-
- Package / Case
- Тип транзистора
- Технология
- Рабочая температура
- Тип полевого транзистора
- Усиление
- Коэффициент шума
- Рассеиваемая мощность (Макс)
- Напряжение сток-исток (Vdss)
- Voltage - Test
- Current - Test
- Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C
- FET Feature
- Rds On (Max) @ Id, Vgs
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
- Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id
- Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds
- Напряжение затвора (макс)
- Серия
-
- Производитель: IXYS
- Вид монтажа: Chassis Mount
- Рабочая температура: -40°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: ECO-PAC2
- Тип корпуса: ECO-PAC2
- Тип полевого транзистора: 4 N-Channel (Half Bridge)
- FET Feature: Standard
- Напряжение сток-исток (Vdss): 600V
- Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 38A
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 25A, 10V
- Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 5.5V @ 3mA
- Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 220nC @ 10V
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: IXYS
- Серия: HiPerFET™
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -40°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: ECO-PAC2
- Тип корпуса: ECO-PAC2
- Тип полевого транзистора: 4 N-Channel (Half Bridge)
- FET Feature: Standard
- Напряжение сток-исток (Vdss): 100V
- Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 75A
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 500mA, 10V
- Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 4V @ 4mA
- Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 260nC @ 10V
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 4500pF @ 25V
- Мощность - Макс.: 300W
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: IXYS
- Вид монтажа: Chassis Mount
- Рабочая температура: -40°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: ECO-PAC2
- Тип корпуса: ECO-PAC2
- Тип полевого транзистора: 2 N-Channel (Dual)
- FET Feature: Standard
- Напряжение сток-исток (Vdss): 600V
- Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 38A
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 25A, 10V
- Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 5.5V @ 3mA
- Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 220nC @ 10V
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: IXYS
- Вид монтажа: Chassis Mount
- Package / Case: ECO-PAC2
- Тип корпуса: ECO-PAC2
- Тип полевого транзистора: N-Channel
- Технология: MOSFET (Metal Oxide)
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: IXYS
- Серия: HiPerFET™
- Вид монтажа: Chassis Mount
- Рабочая температура: -40°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: ECO-PAC2
- Тип корпуса: ECO-PAC2
- Тип полевого транзистора: N-Channel
- Напряжение сток-исток (Vdss): 100V
- Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 165A (Tc)
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 90A, 10V
- Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 4V @ 8mA
- Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 400nC @ 10V
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 9400pF @ 25V
- Технология: MOSFET (Metal Oxide)
- Рассеиваемая мощность (Макс): 400W (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
- Напряжение затвора (макс): ±20V
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: IXYS
- Вид монтажа: Chassis Mount
- Package / Case: ECO-PAC2
- Тип корпуса: ECO-PAC2
- Тип полевого транзистора: N-Channel
- Технология: MOSFET (Metal Oxide)
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
- 10
- 15
- 50
- 100