Полупроводники, Транзисторы, FET, MOSFET IXYS 24-SMPD

    • Package / Case
    • Тип транзистора
    • Технология
    • Рабочая температура
    • Тип полевого транзистора
    • Усиление
    • Коэффициент шума
    • Рассеиваемая мощность (Макс)
    • Напряжение сток-исток (Vdss)
    • Voltage - Test
    • Current - Test
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C
    • FET Feature
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds
    • Напряжение затвора (макс)
    • Серия
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100
Списком Таблицей
Найдено: 14
  • MMIX1F160N30T
    MOSFET N-CH 300V 102A SMPD
    IXYS
    • Производитель: IXYS
    • Серия: GigaMOS™, HiPerFET™, TrenchT2™
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: 24-PowerSMD, 21 Leads
    • Тип корпуса: 24-SMPD
    • Тип полевого транзистора: N-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 300V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 102A (Tc)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 60A, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 5V @ 8mA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 335nC @ 10V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 2800pF @ 25V
    • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 570W (Tc)
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
    • Напряжение затвора (макс): ±20V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • MMIX1F520N075T2
    MOSFET N-CH 75V 500A
    IXYS
    • Производитель: IXYS
    • Серия: GigaMOS™, TrenchT2™
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
    • Package / Case: 24-PowerSMD, 21 Leads
    • Тип корпуса: 24-SMPD
    • Тип полевого транзистора: N-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 75V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 500A (Tc)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 100A, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 5V @ 8mA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 545nC @ 10V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 41000pF @ 25V
    • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 830W (Tc)
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
    • Напряжение затвора (макс): ±20V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • MMIX1F420N10T
    MOSFET N-CH 100V 334A SMPD
    IXYS
    • Производитель: IXYS
    • Серия: GigaMOS™, HiPerFET™, TrenchT2™
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
    • Package / Case: 24-PowerSMD, 21 Leads
    • Тип корпуса: 24-SMPD
    • Тип полевого транзистора: N-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 100V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 334A (Tc)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 60A, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 5V @ 8mA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 670nC @ 10V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 4700pF @ 10V
    • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 680W (Tc)
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
    • Напряжение затвора (макс): ±20V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • MMIX1F230N20T
    MOSFET N-CH 200V 168A SMPD
    IXYS
    • Производитель: IXYS
    • Серия: GigaMOS™, HiPerFET™, TrenchT2™
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
    • Package / Case: 24-PowerSMD, 21 Leads
    • Тип корпуса: 24-SMPD
    • Тип полевого транзистора: N-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 200V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 168A (Tc)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.3mOhm @ 60A, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 5V @ 8mA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 378nC @ 10V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 28000pF @ 25V
    • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 600W (Tc)
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
    • Напряжение затвора (макс): ±20V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • MMIX1F360N15T2
    MOSFET N-CH 150V 235A
    IXYS
    • Производитель: IXYS
    • Серия: GigaMOS™, TrenchT2™
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
    • Package / Case: 24-PowerSMD, 21 Leads
    • Тип корпуса: 24-SMPD
    • Тип полевого транзистора: N-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 150V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 235A (Tc)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 100A, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 5V @ 8mA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 715nC @ 10V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 47500pF @ 25V
    • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 680W (Tc)
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
    • Напряжение затвора (макс): ±20V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • MMIX1F180N25T
    MOSFET N-CH 250V 130A SMPD
    IXYS
    • Производитель: IXYS
    • Серия: GigaMOS™, HiPerFET™, TrenchT2™
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: 24-PowerSMD, 21 Leads
    • Тип корпуса: 24-SMPD
    • Тип полевого транзистора: N-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 250V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 132A (Tc)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 90A, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 5V @ 8mA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 364nC @ 10V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 23800pF @ 25V
    • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 570W (Tc)
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
    • Напряжение затвора (макс): ±20V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • MMIX2F60N50P3
    MOSFET N-CH
    IXYS
    • Производитель: IXYS
    • Серия: HiPerFET™, Polar3™
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: 24-SMD Module, 9 Leads
    • Тип корпуса: 24-SMPD
    • Тип полевого транзистора: 2 N-Channel (Dual)
    • FET Feature: Standard
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 500V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 30A, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 5V @ 4mA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 96nC @ 10V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 6250pF @ 25V
    • Мощность - Макс.: 320W
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • MMIX1F40N110P
    MOSFET N-CH 1100V 24A SMPD
    IXYS
    • Производитель: IXYS
    • Серия: HiPerFET™, PolarP2™
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: 24-PowerSMD, 21 Leads
    • Тип корпуса: 24-SMPD
    • Тип полевого транзистора: N-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 1100V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 20A, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 6.5V @ 1mA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 310nC @ 10V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 19000pF @ 25V
    • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 500W (Tc)
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
    • Напряжение затвора (макс): ±30V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • MMIX1F210N30P3
    MOSFET N-CH 300V 108A MMIX
    IXYS
    • Производитель: IXYS
    • Серия: HiPerFET™, Polar3™
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Package / Case: 24-PowerSMD, 21 Leads
    • Тип корпуса: 24-SMPD
    • Тип полевого транзистора: N-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 300V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 108A (Tc)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 105A, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 5V @ 8mA
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 16200pF @ 25V
    • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • MMIX1T660N04T4
    DISC MSFT SMPD PKG-HIPERFETMSFT
    IXYS
    • Производитель: IXYS
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
    • Package / Case: 24-PowerSMD, 21 Leads
    • Тип корпуса: 24-SMPD
    • Тип полевого транзистора: N-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 40V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 660A (Tc)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850µOhm @ 100A, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 4V @ 250µA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 860nC @ 10V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 44000pF @ 25V
    • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 830W (Tc)
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
    • Напряжение затвора (макс): ±15V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • MMIX1T600N04T2
    MOSFET N-CH 40V 600A SMPD
    IXYS
    • Производитель: IXYS
    • Серия: FRFET®, SupreMOS®
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
    • Package / Case: 24-PowerSMD, 21 Leads
    • Тип корпуса: 24-SMPD
    • Тип полевого транзистора: N-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 40V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 600A (Tc)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 100A, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 590nC @ 10V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 40000pF @ 25V
    • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 830W (Tc)
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
    • Напряжение затвора (макс): ±20V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • MMIX1F44N100Q3
    MOSFET N-CH 1000V 30A
    IXYS
    • Производитель: IXYS
    • Серия: HiPerFET™
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: 24-PowerSMD, 21 Leads
    • Тип корпуса: 24-SMPD
    • Тип полевого транзистора: N-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 1000V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 245mOhm @ 22A, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 6.5V @ 8mA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 264nC @ 10V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 13600pF @ 25V
    • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 694W (Tc)
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
    • Напряжение затвора (макс): ±30V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • MMIX1F132N50P3
    MOSFET N-CH 500V 63A SMPD
    IXYS
    • Производитель: IXYS
    • Серия: HiPerFET™, Polar3™
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: 24-PowerSMD, 21 Leads
    • Тип корпуса: 24-SMPD
    • Тип полевого транзистора: N-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 500V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 63A (Tc)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 66A, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 5V @ 8mA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 250nC @ 10V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 18600pF @ 25V
    • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 520W (Tc)
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
    • Напряжение затвора (макс): ±30V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • MMIX1T550N055T2
    MOSFET N-CH 55V 550A SMPD
    IXYS
    • Производитель: IXYS
    • Серия: FRFET®, SupreMOS®
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
    • Package / Case: 24-PowerSMD, 21 Leads
    • Тип корпуса: 24-SMPD
    • Тип полевого транзистора: N-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 55V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 550A (Tc)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 100A, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 595nC @ 10V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 40000pF @ 25V
    • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 830W (Tc)
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
    • Напряжение затвора (макс): ±20V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100