Полупроводники, Транзисторы, FET, MOSFET IXYS-RF 590W
-
- Package / Case
- Тип транзистора
- Технология
- Рабочая температура
- Тип полевого транзистора
- Усиление
- Коэффициент шума
- Рассеиваемая мощность (Макс)
- Напряжение сток-исток (Vdss)
- Voltage - Test
- Current - Test
- Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C
- FET Feature
- Rds On (Max) @ Id, Vgs
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
- Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id
- Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds
- Напряжение затвора (макс)
- Серия
-
- Производитель: IXYS-RF
- Серия: DE
- Package / Case: 6-SMD, Flat Lead Exposed Pad
- Тип корпуса: DE275
- Номинальное напряжение: 500V
- Выходная мощность: 590W
- Тип транзистора: N-Channel
- Номинальный ток: 16A
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: IXYS-RF
- Серия: DE
- Package / Case: 6-SMD, Flat Lead Exposed Pad
- Тип корпуса: DE275
- Номинальное напряжение: 1000V
- Выходная мощность: 590W
- Тип транзистора: N-Channel
- Номинальный ток: 8A
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: IXYS-RF
- Серия: DE
- Package / Case: 6-SMD, Flat Lead Exposed Pad
- Тип корпуса: DE275
- Номинальное напряжение: 1000V
- Выходная мощность: 590W
- Тип транзистора: N-Channel
- Номинальный ток: 8A
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: IXYS-RF
- Серия: DE
- Package / Case: 6-SMD, Flat Lead Exposed Pad
- Тип корпуса: DE275
- Номинальное напряжение: 200V
- Выходная мощность: 590W
- Тип транзистора: N-Channel
- Номинальный ток: 25A
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
- 10
- 15
- 50
- 100