Полупроводники, Транзисторы, FET, MOSFET IXYS Integrated Circuits Division SOT-223

Найдено: 7
  • MOSFET N-CH 250V SOT-223
    IXYS Integrated Circuits Division
    • Производитель: IXYS Integrated Circuits Division
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 110°C (TA)
    • Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
    • Тип корпуса: SOT-223
    • Тип полевого транзистора: N-Channel
    • FET Feature: Depletion Mode
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 250V
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 300mA, 0V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 230pF @ 20V
    • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 1.8W (Tc)
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
    • Напряжение затвора (макс): ±15V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • MOSFET N-CH 600V SOT-223
    IXYS Integrated Circuits Division
    • Производитель: IXYS Integrated Circuits Division
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 125°C (TJ)
    • Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
    • Тип корпуса: SOT-223
    • Тип полевого транзистора: N-Channel
    • FET Feature: Depletion Mode
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 600V
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44Ohm @ 100mA, 0V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 100pF @ 25V
    • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 1.8W (Ta)
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
    • Напряжение затвора (макс): ±15V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • MOSFET N-CH 350V 0.005A SOT-223
    IXYS Integrated Circuits Division
    • Производитель: IXYS Integrated Circuits Division
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -40°C ~ 110°C (TA)
    • Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
    • Тип корпуса: SOT-223
    • Тип полевого транзистора: N-Channel
    • FET Feature: Depletion Mode
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 350V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 5mA (Ta)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14Ohm @ 50mA, 350mV
    • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 2.5W (Ta)
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): -0.35V
    • Напряжение затвора (макс): ±20V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • MOSFET N-CH 350V 5MA SOT-223
    IXYS Integrated Circuits Division
    • Производитель: IXYS Integrated Circuits Division
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -40°C ~ 85°C (TA)
    • Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
    • Тип корпуса: SOT-223
    • Тип полевого транзистора: N-Channel
    • FET Feature: Depletion Mode
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 350V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 5mA (Ta)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14Ohm @ 50mA, 350mV
    • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 2.5W (Ta)
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): -0.35V
    • Напряжение затвора (макс): ±20V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • MOSFET N-CH 415V 5MA SOT-223
    IXYS Integrated Circuits Division
    • Производитель: IXYS Integrated Circuits Division
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -40°C ~ 85°C (TA)
    • Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
    • Тип корпуса: SOT-223
    • Тип полевого транзистора: N-Channel
    • FET Feature: Depletion Mode
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 415V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 5mA (Ta)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14Ohm @ 50mA, 350mV
    • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 2.5W (Ta)
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): -0.35V
    • Напряжение затвора (макс): ±20V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • MOSFET N-CH 800V SOT-223
    IXYS Integrated Circuits Division
    • Производитель: IXYS Integrated Circuits Division
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 125°C (TJ)
    • Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
    • Тип корпуса: SOT-223
    • Тип полевого транзистора: N-Channel
    • FET Feature: Depletion Mode
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 800V
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45Ohm @ 100mA, 0V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 115pF @ 25V
    • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 1.8W (Ta)
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
    • Напряжение затвора (макс): ±15V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • MOSFET N-CH 400V SOT-223
    IXYS Integrated Circuits Division
    • Производитель: IXYS Integrated Circuits Division
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -40°C ~ 110°C (TA)
    • Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
    • Тип корпуса: SOT-223
    • Тип полевого транзистора: N-Channel
    • FET Feature: Depletion Mode
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 400V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 300mA (Ta)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9Ohm @ 300mA, 0V
    • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 2.5W (Ta)
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
    • Напряжение затвора (макс): 15V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием: