Полупроводники, Транзисторы, FET, MOSFET International Rectifier 8-SO

    • Package / Case
    • Тип транзистора
    • Технология
    • Рабочая температура
    • Тип полевого транзистора
    • Усиление
    • Коэффициент шума
    • Рассеиваемая мощность (Макс)
    • Напряжение сток-исток (Vdss)
    • Voltage - Test
    • Current - Test
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C
    • FET Feature
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds
    • Напряжение затвора (макс)
    • Серия
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100
Списком Таблицей
Найдено: 19
  • IRF7902TRPBF
    HEXFET POWER MOSFET
    International Rectifier
    • Производитель: International Rectifier
    • Серия: HEXFET®
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
    • Тип корпуса: 8-SO
    • Тип полевого транзистора: 2 N-Channel (Dual)
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 30V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 6.4A (Ta), 9.7A (Ta)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22.6mOhm @ 6.4A, 10V, 14.4mOhm @ 9.7A, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 2.25V @ 25µA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 6.9nC @ 4.5V, 9.8nC @ 4.5V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 580pF @ 15V, 900pF @ 15V
    • Мощность - Макс.: 1.4W (Ta), 2W (Ta)
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IRF7307PBF
    AUTOMOTIVE HEXFET P-CHANNEL
    International Rectifier
    • Производитель: International Rectifier
    • Серия: HEXFET®
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
    • Тип корпуса: 8-SO
    • Тип полевого транзистора: N and P-Channel
    • FET Feature: Logic Level Gate
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 20V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 5.2A, 4.3A
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 2.6A, 4.5V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 700mV @ 250µA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 4.5V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 660pF @ 15V
    • Мощность - Макс.: 2W
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IRF7304PBF
    AUTOMOTIVE HEXFET P-CHANNEL
    International Rectifier
    • Производитель: International Rectifier
    • Серия: HEXFET®
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
    • Тип корпуса: 8-SO
    • Тип полевого транзистора: 2 P-Channel (Dual)
    • FET Feature: Logic Level Gate
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 20V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 4.3A (Ta)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2.2A, 4.5V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 700mV @ 250µA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 4.5V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 610pF @ 15V
    • Мощность - Макс.: 2W (Ta)
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IRF8313TRPBF
    IRF8313 - HEXFET POWER MOSFET
    International Rectifier
    • Производитель: International Rectifier
    • Серия: HEXFET®
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
    • Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
    • Тип корпуса: 8-SO
    • Тип полевого транзистора: 2 N-Channel (Dual)
    • FET Feature: Logic Level Gate
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 30V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 9.7A
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.5mOhm @ 9.7A, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 9nC @ 4.5V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 760pF @ 15V
    • Мощность - Макс.: 2W
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • AUIRF9952QTR
    AUIRF9952 HEXFET POWER MOSFET
    International Rectifier
    • Производитель: International Rectifier
    • Серия: HEXFET®
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
    • Тип корпуса: 8-SO
    • Тип полевого транзистора: N and P-Channel
    • FET Feature: Logic Level Gate
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 30V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 3.5A, 2.3A
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 2.2A, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 3V @ 250µA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 14nC @ 10V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 190pF @ 15V
    • Мощность - Макс.: 2W
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IRF7389PBF
    MOSFET
    International Rectifier
    • Производитель: International Rectifier
    • Серия: HEXFET®
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
    • Тип корпуса: 8-SO
    • Тип полевого транзистора: N and P-Channel
    • FET Feature: Logic Level Gate
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 30V
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5.8A, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 1V @ 250µA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 33nC @ 10V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 650pF @ 25V
    • Мощность - Макс.: 2.5W
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IRF7313PBF
    HEXFET POWER MOSFET
    International Rectifier
    • Производитель: International Rectifier
    • Серия: HEXFET®
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
    • Тип корпуса: 8-SO
    • Тип полевого транзистора: 2 N-Channel (Dual)
    • FET Feature: Standard
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 30V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 6.5A
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5.8A, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 1V @ 250µA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 33nC @ 10V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 650pF @ 25V
    • Мощность - Макс.: 2W
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IRF7905TRPBF
    IRF7905 - 12V-300V N-CHANNEL POW
    International Rectifier
    • Производитель: International Rectifier
    • Серия: HEXFET®
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
    • Тип корпуса: 8-SO
    • Тип полевого транзистора: 2 N-Channel (Dual)
    • FET Feature: Logic Level Gate
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 30V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 7.8A, 8.9A
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21.8mOhm @ 7.8A, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 2.25V @ 25µA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 6.9nC @ 4.5V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 600pF @ 15V
    • Мощность - Макс.: 2W
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IRF7309PBF
    P-CHANNEL POWER MOSFET
    International Rectifier
    • Производитель: International Rectifier
    • Серия: HEXFET®
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
    • Тип корпуса: 8-SO
    • Тип полевого транзистора: N and P-Channel
    • FET Feature: Standard
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 30V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 4A (Ta), 3A (Ta)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 2.4A, 10V, 100mOhm @ 1.8A, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 1V @ 250µA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 4.5V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 520pF, 440pF @ 15V
    • Мощность - Макс.: 1.4W (Ta)
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IRF8313PBF
    HEXFET POWER MOSFET
    International Rectifier
    • Производитель: International Rectifier
    • Серия: HEXFET®
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
    • Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
    • Тип корпуса: 8-SO
    • Тип полевого транзистора: 2 N-Channel (Dual)
    • FET Feature: Standard
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 30V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 9.7A (Ta)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.5mOhm @ 9.7A, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 9nC @ 4.5V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 760pF @ 15V
    • Мощность - Макс.: 2W (Ta)
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IRF7307QTRPBF
    IRF7307 - 20V-60V COMPLEMENTARY
    International Rectifier
    • Производитель: International Rectifier
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
    • Тип корпуса: 8-SO
    • Тип полевого транзистора: N and P-Channel
    • FET Feature: Logic Level Gate
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 20V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 5.2A, 4.3A
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 2.6A, 4.5V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 700mV @ 250µA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 4.5V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 660pF @ 15V
    • Мощность - Макс.: 2W
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • AUIRF7303QTR
    MOSFET 2N-CH 30V 5.3A 8SOIC
    International Rectifier
    • Производитель: International Rectifier
    • Серия: HEXFET®
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
    • Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
    • Тип корпуса: 8-SO
    • Тип полевого транзистора: 2 N-Channel (Dual)
    • FET Feature: Logic Level Gate
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 30V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 5.3A
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 2.7A, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 3V @ 100µA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 21nC @ 10V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 515pF @ 25V
    • Мощность - Макс.: 2.4W
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IRF7311PBF
    HEXFET POWER MOSFET
    International Rectifier
    • Производитель: International Rectifier
    • Серия: HEXFET®
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
    • Тип корпуса: 8-SO
    • Тип полевого транзистора: 2 N-Channel (Dual)
    • FET Feature: Logic Level Gate
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 20V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 6.6A
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 6A, 4.5V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 700mV @ 250µA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 27nC @ 4.5V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 900pF @ 15V
    • Мощность - Макс.: 2W
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IRF9952QPBF
    P-CHANNEL POWER MOSFET
    International Rectifier
    • Производитель: International Rectifier
    • Серия: HEXFET®
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
    • Тип корпуса: 8-SO
    • Тип полевого транзистора: N and P-Channel
    • FET Feature: Logic Level Gate
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 30V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 3.5A, 2.3A
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 2.2A, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 1V @ 250µA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 14nC @ 10V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 190pF @ 15V
    • Мощность - Макс.: 2W
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IRF7314PBF
    P-CHANNEL POWER MOSFET
    International Rectifier
    • Производитель: International Rectifier
    • Серия: HEXFET®
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
    • Тип корпуса: 8-SO
    • Тип полевого транзистора: 2 P-Channel (Dual)
    • FET Feature: Logic Level Gate
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 20V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 5.3A
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 2.9A, 4.5V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 700mV @ 250µA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 29nC @ 4.5V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 780pF @ 15V
    • Мощность - Макс.: 2W
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100