• Производитель
  • Тип корпуса
  • Выходная мощность
  • Номинальное напряжение
    • Package / Case
    • Тип транзистора
    • Технология
    • Рабочая температура
    • Тип канала
    • Усиление
    • Коэффициент шума
    • Рассеиваемая мощность (Макс)
    • Напряжение сток-исток (Vdss)
    • Voltage - Test
    • Current - Test
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C
    • FET Feature
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds
    • Напряжение затвора (макс)
    • Серия
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100
Списком Таблицей
Найдено: 57
  • AUIRF7303QTR
    MOSFET 2N-CH 30V 5.3A 8SOIC
    International Rectifier
    • Производитель: International Rectifier
    • Серия: HEXFET®
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
    • Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
    • Тип корпуса: 8-SO
    • Тип канала: 2 N-Channel (Dual)
    • FET Feature: Logic Level Gate
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 30V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 5.3A
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 2.7A, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 3V @ 100µA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 21nC @ 10V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 515pF @ 25V
    • Мощность - Макс.: 2.4W
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IRF3575DTRPBF
    IRF3575D - 20V-30V N-CHANNEL
    International Rectifier
    • Производитель: International Rectifier
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Package / Case: 32-PowerWFQFN
    • Тип корпуса: 32-PQFN (6x6)
    • Тип канала: 2 N-Channel (Dual)
    • FET Feature: Standard
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 25V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 303A (Tc)
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IRF7311PBF
    HEXFET POWER MOSFET
    International Rectifier
    • Производитель: International Rectifier
    • Серия: HEXFET®
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
    • Тип корпуса: 8-SO
    • Тип канала: 2 N-Channel (Dual)
    • FET Feature: Logic Level Gate
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 20V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 6.6A
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 6A, 4.5V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 700mV @ 250µA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 27nC @ 4.5V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 900pF @ 15V
    • Мощность - Макс.: 2W
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IRFAF40
    N-CHANNEL HERMETIC MOS HEXFET
    International Rectifier
    • Производитель: International Rectifier
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IRF120CECC
    PFET, 9.2A I(D), 100V, 0.27OHM,
    International Rectifier
    • Производитель: International Rectifier
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IRF9952QPBF
    P-CHANNEL POWER MOSFET
    International Rectifier
    • Производитель: International Rectifier
    • Серия: HEXFET®
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
    • Тип корпуса: 8-SO
    • Тип канала: N and P-Channel
    • FET Feature: Logic Level Gate
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 30V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 3.5A, 2.3A
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 2.2A, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 1V @ 250µA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 14nC @ 10V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 190pF @ 15V
    • Мощность - Макс.: 2W
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IRF7314PBF
    P-CHANNEL POWER MOSFET
    International Rectifier
    • Производитель: International Rectifier
    • Серия: HEXFET®
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
    • Тип корпуса: 8-SO
    • Тип канала: 2 P-Channel (Dual)
    • FET Feature: Logic Level Gate
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 20V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 5.3A
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 2.9A, 4.5V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 700mV @ 250µA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 29nC @ 4.5V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 780pF @ 15V
    • Мощность - Макс.: 2W
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IRFAUIRF540Z
    AUTOMOTIVE HEXFET N-CHANNEL POWE
    International Rectifier
    • Производитель: International Rectifier
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IRFAF30
    N-CHANNEL HERMETIC MOS HEXFET
    International Rectifier
    • Производитель: International Rectifier
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • 94-2402
    IRF530 - 400V HEXFET, N-CHANNEL
    International Rectifier
    • Производитель: International Rectifier
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IRF323
    N-CHANNEL HERMETIC MOS HEXFET
    International Rectifier
    • Производитель: International Rectifier
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IRFI4212H-117P
    IRFI4212 - 12V-300V N-CHANNEL PO
    International Rectifier
    • Производитель: International Rectifier
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-220-5 Full Pack
    • Тип корпуса: TO-220-5 Full-Pak
    • Тип канала: 2 N-Channel (Dual)
    • FET Feature: Standard
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 100V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 11A
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72.5mOhm @ 6.6A, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 5V @ 250µA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 10V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 490pF @ 50V
    • Мощность - Макс.: 18W
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IRF6802SDTRPBF
    25V DUAL CONTROL FET IN S- CAN
    International Rectifier
    • Производитель: International Rectifier
    • Серия: DirectFET™
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -40°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: DirectFET™ Isometric SA
    • Тип корпуса: DirectFET™ Isometric SA
    • Тип канала: 2 N-Channel (Dual)
    • FET Feature: Standard
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 25V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 57A (Tc)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 16A, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 2.1V @ 35µA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 13nC @ 4.5V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 1350pF @ 13V
    • Мощность - Макс.: 1.7W (Ta), 21W (Tc)
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IRF7328PBF
    IRF7328 - 20V-250V P-CHANNEL POW
    International Rectifier
    • Производитель: International Rectifier
    • Серия: HEXFET®
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
    • Тип корпуса: 8-SO
    • Тип канала: 2 P-Channel (Dual)
    • FET Feature: Logic Level Gate
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 30V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 8A
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 8A, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 78nC @ 10V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 2675pF @ 25V
    • Мощность - Макс.: 2W
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IRFAF50
    N-CHANNEL HERMETIC MOS HEXFET
    International Rectifier
    • Производитель: International Rectifier
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100