Полупроводники, Транзисторы, FET, MOSFET Integra Technologies Inc. 80W

    • Package / Case
    • Тип транзистора
    • Технология
    • Рабочая температура
    • Тип полевого транзистора
    • Усиление
    • Коэффициент шума
    • Рассеиваемая мощность (Макс)
    • Напряжение сток-исток (Vdss)
    • Voltage - Test
    • Current - Test
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C
    • FET Feature
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds
    • Напряжение затвора (макс)
    • Серия
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100
Списком Таблицей
Найдено: 1
  • IGN1011L70
    GAN, RF POWER TRANSISTOR, L-BAND
    Integra Technologies Inc.
    • Производитель: Integra Technologies Inc.
    • Package / Case: PL32A2
    • Тип корпуса: PL32A2
    • Частота: 1.03GHz ~ 1.09GHz
    • Номинальное напряжение: 120V
    • Current - Test: 22mA
    • Выходная мощность: 80W
    • Тип транзистора: GaN HEMT
    • Усиление: 22dB
    • Voltage - Test: 50V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100