-
- Package / Case
- Тип транзистора
- Технология
- Рабочая температура
- Тип канала
- Усиление
- Коэффициент шума
- Рассеиваемая мощность (Макс)
- Напряжение сток-исток (Vdss)
- Voltage - Test
- Current - Test
- Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C
- FET Feature
- Rds On (Max) @ Id, Vgs
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
- Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id
- Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds
- Напряжение затвора (макс)
- Серия
-
- Производитель: Infineon Technologies
- Вид монтажа: Surface Mount
- Package / Case: 8-PowerVDFN
- Тип корпуса: 8-PQFN-Dual (3.3x3.3)
- Тип канала: 2 N-Channel (Dual)
- FET Feature: Logic Level Gate
- Напряжение сток-исток (Vdss): 30V
- Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 11A
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.9mOhm @ 10A, 10V
- Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA
- Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 10V
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 1165pF @ 10V
- Мощность - Макс.: 2.7W
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Infineon Technologies
- Вид монтажа: Surface Mount
- Package / Case: 8-PowerVDFN
- Тип корпуса: 8-PQFN-Dual (3.3x3.3)
- Тип канала: 2 N-Channel (Dual)
- FET Feature: Standard
- Напряжение сток-исток (Vdss): 100V
- Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 2.3A
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 195mOhm @ 2.9A, 10V
- Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 4V @ 10µA
- Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 6.3nC @ 10V
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 251pF @ 25V
- Мощность - Макс.: 2.3W
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
- 10
- 15
- 50
- 100