• Производитель: Infineon Technologies
• Серия: StrongIRFET™
• Вид монтажа: Through Hole
• Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
• Package / Case: TO-247-3
• Тип корпуса: TO-247AC
• Тип канала: N-Channel
• Напряжение сток-исток (Vdss): 200V
• Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 182A (Tc)
• Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.6mOhm @ 82A, 10V
• Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 4V @ 270µA
• Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 203nC @ 10V
• Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 9820pF @ 50V
• Технология: MOSFET (Metal Oxide)
• Рассеиваемая мощность (Макс): 556W (Tc)
• Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
• Напряжение затвора (макс): ±20V

• Производитель: Infineon Technologies
• Серия: HEXFET®
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
• Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
• Тип корпуса: D2PAK
• Тип канала: N-Channel
• Напряжение сток-исток (Vdss): 100V
• Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
• Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 6A, 10V
• Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 2V @ 250µA
• Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 5V
• Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 440pF @ 25V
• Технология: MOSFET (Metal Oxide)
• Рассеиваемая мощность (Макс): 3.8W (Ta), 48W (Tc)
• Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
• Напряжение затвора (макс): ±16V

• Производитель: Infineon Technologies
• Серия: CoolMOS™
• Вид монтажа: Through Hole
• Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
• Package / Case: TO-247-3
• Тип корпуса: PG-TO247-3
• Тип канала: N-Channel
• Напряжение сток-исток (Vdss): 650V
• Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 13.8A (Tc)
• Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 4.4A, 10V
• Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 3.5V @ 440µA
• Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 45nC @ 10V
• Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 950pF @ 100V
• Технология: MOSFET (Metal Oxide)
• Рассеиваемая мощность (Макс): 104W (Tc)
• Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
• Напряжение затвора (макс): ±20V

• Производитель: Infineon Technologies
• Серия: OptiMOS™
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
• Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
• Тип корпуса: D²PAK (TO-263AB)
• Тип канала: N-Channel
• Напряжение сток-исток (Vdss): 120V
• Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
• Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 100A, 10V
• Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 4V @ 270µA
• Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 211nC @ 10V
• Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 13800pF @ 60V
• Технология: MOSFET (Metal Oxide)
• Рассеиваемая мощность (Макс): 300W (Tc)
• Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
• Напряжение затвора (макс): ±20V

• Производитель: Infineon Technologies

• Производитель: Infineon Technologies
• Серия: SIPMOS®
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
• Package / Case: SC-70, SOT-323
• Тип корпуса: PG-SOT323-3
• Тип канала: P-Channel
• Напряжение сток-исток (Vdss): 60V
• Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 150mA (Ta)
• Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 150mA, 10V
• Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 2V @ 20µA
• Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5nC @ 10V
• Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 19.1pF @ 25V
• Технология: MOSFET (Metal Oxide)
• Рассеиваемая мощность (Макс): 300mW (Ta)
• Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
• Напряжение затвора (макс): ±20V

• Производитель: Infineon Technologies
• Серия: HEXFET®
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
• Package / Case: 8-PowerTDFN
• Тип корпуса: PQFN (5x6)
• Тип канала: N-Channel
• Напряжение сток-исток (Vdss): 25V
• Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 22A (Ta)
• Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 30A
• Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 2.1V @ 25µA
• Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 10V
• Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 1011pF @ 13V
• Технология: MOSFET (Metal Oxide)
• Рассеиваемая мощность (Макс): 3.5W (Ta), 27W (Tc)
• Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
• Напряжение затвора (макс): ±20V

• Производитель: Infineon Technologies
• Серия: HEXFET®
• Вид монтажа: Through Hole
• Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
• Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
• Тип корпуса: TO-262
• Тип канала: N-Channel
• Напряжение сток-исток (Vdss): 30V
• Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 62A (Tc)
• Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.5mOhm @ 15A, 10V
• Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 3V @ 250µA
• Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 19nC @ 4.5V
• Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 1990pF @ 15V
• Технология: MOSFET (Metal Oxide)
• Рассеиваемая мощность (Макс): 87W (Tc)
• Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
• Напряжение затвора (макс): ±20V

• Производитель: Infineon Technologies

• Производитель: Infineon Technologies
• Серия: HEXFET®
• Вид монтажа: Through Hole
• Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
• Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
• Тип корпуса: IPAK (TO-251)
• Тип канала: N-Channel
• Напряжение сток-исток (Vdss): 100V
• Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
• Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 33A, 10V
• Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 4V @ 250µA
• Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 100nC @ 10V
• Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 2930pF @ 25V
• Технология: MOSFET (Metal Oxide)
• Рассеиваемая мощность (Макс): 140W (Tc)
• Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
• Напряжение затвора (макс): ±20V

• Производитель: Infineon Technologies
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
• Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
• Тип корпуса: D2PAK
• Тип канала: N-Channel
• Напряжение сток-исток (Vdss): 150V
• Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
• Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 21A, 10V
• Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 5V @ 100µA
• Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 40nC @ 10V
• Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 1750pF @ 50V
• Технология: MOSFET (Metal Oxide)
• Рассеиваемая мощность (Макс): 144W (Tc)
• Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
• Напряжение затвора (макс): ±20V

• Производитель: Infineon Technologies
• Серия: OptiMOS™
• Вид монтажа: Through Hole
• Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
• Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
• Тип корпуса: PG-TO262-3-1
• Тип канала: N-Channel
• Напряжение сток-исток (Vdss): 55V
• Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
• Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.6mOhm @ 68A, 10V
• Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 4V @ 180µA
• Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 110nC @ 10V
• Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 3400pF @ 25V
• Технология: MOSFET (Metal Oxide)
• Рассеиваемая мощность (Макс): 250W (Tc)
• Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
• Напряжение затвора (макс): ±20V

• Производитель: Infineon Technologies
• Серия: HEXFET®
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
• Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
• Тип корпуса: D2PAK
• Тип канала: N-Channel
• Напряжение сток-исток (Vdss): 55V
• Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 64A (Tc)
• Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 32A, 10V
• Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 4V @ 250µA
• Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 81nC @ 10V
• Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 1970pF @ 25V
• Технология: MOSFET (Metal Oxide)
• Рассеиваемая мощность (Макс): 3.8W (Ta), 130W (Tc)
• Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
• Напряжение затвора (макс): ±20V

• Производитель: Infineon Technologies
• Серия: CoolMOS™
• Вид монтажа: Through Hole
• Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
• Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
• Тип корпуса: PG-TO262-3
• Тип канала: N-Channel
• Напряжение сток-исток (Vdss): 900V
• Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 6.9A (Tc)
• Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 4.1A, 10V
• Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 3.5V @ 460µA
• Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 42nC @ 10V
• Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 1100pF @ 100V
• Технология: MOSFET (Metal Oxide)
• Рассеиваемая мощность (Макс): 104W (Tc)
• Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
• Напряжение затвора (макс): ±20V

• Производитель: Infineon Technologies
• Серия: OptiMOS™
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
• Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
• Тип корпуса: PG-TO263-3-2
• Тип канала: N-Channel
• Напряжение сток-исток (Vdss): 60V
• Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
• Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 100A, 10V
• Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 4V @ 120µA
• Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 160nC @ 10V
• Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 13150pF @ 25V
• Технология: MOSFET (Metal Oxide)
• Рассеиваемая мощность (Макс): 167W (Tc)
• Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
• Напряжение затвора (макс): ±20V