Полупроводники, Транзисторы, FET, MOSFET Goford Semiconductor 8-SOP

    • Package / Case
    • Тип транзистора
    • Технология
    • Рабочая температура
    • Тип полевого транзистора
    • Усиление
    • Коэффициент шума
    • Рассеиваемая мощность (Макс)
    • Напряжение сток-исток (Vdss)
    • Voltage - Test
    • Current - Test
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C
    • FET Feature
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds
    • Напряжение затвора (макс)
    • Серия
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100
Списком Таблицей
Найдено: 3
  • G4616
    N+P/-40V,RD(MAX)<20M@10V,RD(MAX)
    Goford Semiconductor
    • Производитель: Goford Semiconductor
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
    • Тип корпуса: 8-SOP
    • Тип полевого транзистора: N and P-Channel Complementary
    • FET Feature: Standard
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 40V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 8A (Tc), 7A (Tc)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 8A, 10V, 35mOhm @ 7A, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 10V, 13nC @ 10V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 415pF @ 20V, 520pF @ 20V
    • Мощность - Макс.: 2W (Tc), 2.8W (Tc)
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • G4953S
    P+P -30V,RD(MAX)<60M@-10V,RD(MAX
    Goford Semiconductor
    • Производитель: Goford Semiconductor
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
    • Тип корпуса: 8-SOP
    • Тип полевого транзистора: 2 P-Channel (Dual)
    • FET Feature: Standard
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 30V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 5A, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 3V @ 250µA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 10V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 520pF @ 15V
    • Мощность - Макс.: 2.5W (Tc)
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • G06NP06S2
    N/P60V,RD(MAX)<35M@10V,RD(MAX)<4
    Goford Semiconductor
    • Производитель: Goford Semiconductor
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
    • Тип корпуса: 8-SOP
    • Тип полевого транзистора: N and P-Channel
    • FET Feature: Standard
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 60V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 6A, 10V, 45mOhm @ 5A, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, 3.5V @ 250µA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 10V, 25nC @ 10V
    • Мощность - Макс.: 2W (Tc), 2.5W (Tc)
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100