Полупроводники, Транзисторы, FET, MOSFET GeneSiC Semiconductor TO-276

    • Package / Case
    • Тип транзистора
    • Технология
    • Рабочая температура
    • Тип полевого транзистора
    • Усиление
    • Коэффициент шума
    • Рассеиваемая мощность (Макс)
    • Напряжение сток-исток (Vdss)
    • Voltage - Test
    • Current - Test
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C
    • FET Feature
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds
    • Напряжение затвора (макс)
    • Серия
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100
Списком Таблицей
Найдено: 3
  • 2N7638-GA
    TRANS SJT 650V 8A TO276
    GeneSiC Semiconductor
    • Производитель: GeneSiC Semiconductor
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 225°C (TJ)
    • Package / Case: TO-276AA
    • Тип корпуса: TO-276
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 650V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 8A (Tc) (158°C)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 8A
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 720pF @ 35V
    • Технология: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 200W (Tc)
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • 2N7636-GA
    TRANS SJT 650V 4A TO276
    GeneSiC Semiconductor
    • Производитель: GeneSiC Semiconductor
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 225°C (TJ)
    • Package / Case: TO-276AA
    • Тип корпуса: TO-276
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 650V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 4A (Tc) (165°C)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 415mOhm @ 4A
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 324pF @ 35V
    • Технология: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 125W (Tc)
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • 2N7640-GA
    TRANS SJT 650V 16A TO276
    GeneSiC Semiconductor
    • Производитель: GeneSiC Semiconductor
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 225°C (TJ)
    • Package / Case: TO-276AA
    • Тип корпуса: TO-276
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 650V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 16A (Tc) (155°C)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 16A
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 1534pF @ 35V
    • Технология: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 330W (Tc)
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100