• Package / Case
    • Тип транзистора
    • Технология
    • Рабочая температура
    • Тип канала
    • Усиление
    • Коэффициент шума
    • Рассеиваемая мощность (Макс)
    • Напряжение сток-исток (Vdss)
    • Voltage - Test
    • Current - Test
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C
    • FET Feature
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds
    • Напряжение затвора (макс)
    • Серия
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100
Списком Таблицей
Найдено: 1
  • GA50JT17-247
    TRANS SJT 1.7KV 100A
    GeneSiC Semiconductor
    • Производитель: GeneSiC Semiconductor
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: 175°C (TJ)
    • Package / Case: TO-247-3
    • Тип корпуса: TO-247
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 1700V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 50A
    • Технология: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 583W (Tc)
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100