• Производитель
  • Тип корпуса
  • Выходная мощность
  • Номинальное напряжение
    • Package / Case
    • Тип транзистора
    • Технология
    • Рабочая температура
    • Тип канала
    • Усиление
    • Коэффициент шума
    • Рассеиваемая мощность (Макс)
    • Напряжение сток-исток (Vdss)
    • Voltage - Test
    • Current - Test
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C
    • FET Feature
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds
    • Напряжение затвора (макс)
    • Серия
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100
Списком Таблицей
Найдено: 28
  • 2N7636-GA
    TRANS SJT 650V 4A TO276
    GeneSiC Semiconductor
    • Производитель: GeneSiC Semiconductor
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 225°C (TJ)
    • Package / Case: TO-276AA
    • Тип корпуса: TO-276
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 650V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 4A (Tc) (165°C)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 415mOhm @ 4A
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 324pF @ 35V
    • Технология: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 125W (Tc)
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • GA20JT12-263
    TRANS SJT 1200V 45A
    GeneSiC Semiconductor
    • Производитель: GeneSiC Semiconductor
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: 175°C (TJ)
    • Package / Case: TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
    • Тип корпуса: D2PAK (7-Lead)
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 1200V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 20A
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 3091pF @ 800V
    • Технология: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 282W (Tc)
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • 2N7637-GA
    TRANS SJT 650V 7A TO-257
    GeneSiC Semiconductor
    • Производитель: GeneSiC Semiconductor
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: -55°C ~ 225°C (TJ)
    • Package / Case: TO-257-3
    • Тип корпуса: TO-257
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 650V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 7A (Tc) (165°C)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 7A
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 720pF @ 35V
    • Технология: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 80W (Tc)
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • GA05JT03-46
    TRANS SJT 300V 9A
    GeneSiC Semiconductor
    • Производитель: GeneSiC Semiconductor
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: -55°C ~ 225°C (TJ)
    • Package / Case: TO-46-3
    • Тип корпуса: TO-46
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 300V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 5A
    • Технология: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 20W (Tc)
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • GA50JT17-247
    TRANS SJT 1.7KV 100A
    GeneSiC Semiconductor
    • Производитель: GeneSiC Semiconductor
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: 175°C (TJ)
    • Package / Case: TO-247-3
    • Тип корпуса: TO-247
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 1700V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 50A
    • Технология: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 583W (Tc)
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • GA100SCPL12-227E
    SIC PHASE LEG BRIDGE 100A 1.2KV
    GeneSiC Semiconductor
    • Производитель: GeneSiC Semiconductor
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • GA10JT12-247
    TRANS SJT 1.2KV 10A
    GeneSiC Semiconductor
    • Производитель: GeneSiC Semiconductor
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: 175°C (TJ)
    • Package / Case: TO-247-3
    • Тип корпуса: TO-247AB
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 1200V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 10A
    • Технология: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 170W (Tc)
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • GA04JT17-247
    TRANS SJT 1700V 4A TO-247AB
    GeneSiC Semiconductor
    • Производитель: GeneSiC Semiconductor
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: 175°C (TJ)
    • Package / Case: TO-247-3
    • Тип корпуса: TO-247AB
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 1700V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 4A (Tc) (95°C)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 4A
    • Технология: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 106W (Tc)
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • GA05JT12-263
    TRANS SJT 1200V 15A
    GeneSiC Semiconductor
    • Производитель: GeneSiC Semiconductor
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: 175°C (TJ)
    • Package / Case: TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
    • Тип корпуса: D2PAK (7-Lead)
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 1200V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
    • Технология: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 106W (Tc)
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • GA20JT12-247
    TRANS SJT 1.2KV 20A
    GeneSiC Semiconductor
    • Производитель: GeneSiC Semiconductor
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: 175°C (TJ)
    • Package / Case: TO-247-3
    • Тип корпуса: TO-247AB
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 1200V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 20A
    • Технология: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 282W (Tc)
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • 2N7635-GA
    TRANS SJT 650V 4A TO-257
    GeneSiC Semiconductor
    • Производитель: GeneSiC Semiconductor
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: -55°C ~ 225°C (TJ)
    • Package / Case: TO-257-3
    • Тип корпуса: TO-257
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 650V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 4A (Tc) (165°C)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 415mOhm @ 4A
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 324pF @ 35V
    • Технология: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 47W (Tc)
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • 2N7640-GA
    TRANS SJT 650V 16A TO276
    GeneSiC Semiconductor
    • Производитель: GeneSiC Semiconductor
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 225°C (TJ)
    • Package / Case: TO-276AA
    • Тип корпуса: TO-276
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 650V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 16A (Tc) (155°C)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 16A
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 1534pF @ 35V
    • Технология: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 330W (Tc)
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • GA50JT12-247
    TRANS SJT 1.2KV 50A
    GeneSiC Semiconductor
    • Производитель: GeneSiC Semiconductor
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: 175°C (TJ)
    • Package / Case: TO-247-3
    • Тип корпуса: TO-247AB
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 1200V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 50A
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 7209pF @ 800V
    • Технология: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 583W (Tc)
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100