Найдено: 4
  • RF POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR
    Freescale Semiconductor
    • Производитель: Freescale Semiconductor
    • Package / Case: TO-272BB
    • Тип корпуса: TO-272 WB-4
    • Частота: 10MHz ~ 600MHz
    • Номинальное напряжение: 110V
    • Current - Test: 900mA
    • Выходная мощность: 300W
    • Тип транзистора: LDMOS
    • Усиление: 22dB
    • Voltage - Test: 50V
    • Номинальный ток: 2.5mA
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • RF 2-ELEMENT, ULTRA HIGH FREQUE
    Freescale Semiconductor
    • Производитель: Freescale Semiconductor
    • Package / Case: NI-780S-4
    • Тип корпуса: NI-780S-4
    • Частота: 230MHz
    • Номинальное напряжение: 130V
    • Current - Test: 100mA
    • Выходная мощность: 300W
    • Тип транзистора: LDMOS (Dual)
    • Усиление: 26.5dB
    • Voltage - Test: 50V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • RF POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR
    Freescale Semiconductor
    • Производитель: Freescale Semiconductor
    • Package / Case: TO-270AB
    • Тип корпуса: TO-270 WB-4
    • Частота: 220MHz
    • Номинальное напряжение: 110V
    • Current - Test: 900mA
    • Выходная мощность: 300W
    • Тип транзистора: LDMOS
    • Усиление: 25.5dB
    • Voltage - Test: 50V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • RF ULTRA HIGH FREQUENCY BAND, N-
    Freescale Semiconductor
    • Производитель: Freescale Semiconductor
    • Package / Case: TO-272BB
    • Тип корпуса: TO-272 WB-4
    • Частота: 600MHz
    • Номинальное напряжение: 110V
    • Current - Test: 900mA
    • Выходная мощность: 300W
    • Тип транзистора: LDMOS
    • Усиление: 25.5dB
    • Voltage - Test: 50V
    • Номинальный ток: 2.5mA
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием: