• Производитель
  • Тип корпуса
  • Выходная мощность
  • Номинальное напряжение
Найдено: 214
  • RF L BAND, N-CHANNEL
    Freescale Semiconductor
    • Производитель: Freescale Semiconductor
    • Package / Case: NI-880S
    • Тип корпуса: NI-880S
    • Частота: 1.99GHz
    • Номинальное напряжение: 65V
    • Current - Test: 1.4A
    • Выходная мощность: 50W
    • Тип транзистора: LDMOS
    • Усиление: 17.2dB
    • Voltage - Test: 28V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • RF ULTRA HIGH FREQUENCY BAND, N-
    Freescale Semiconductor
    • Производитель: Freescale Semiconductor
    • Package / Case: TO-272BB
    • Тип корпуса: TO-272 WB-4
    • Частота: 220MHz
    • Номинальное напряжение: 110V
    • Current - Test: 450mA
    • Выходная мощность: 150W
    • Тип транзистора: LDMOS
    • Усиление: 25dB
    • Voltage - Test: 50V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • RF S BAND, N-CHANNEL
    Freescale Semiconductor
    • Производитель: Freescale Semiconductor
    • Package / Case: NI-780S
    • Тип корпуса: NI-780S
    • Частота: 2.11GHz ~ 2.17GHz
    • Номинальное напряжение: 65V
    • Current - Test: 800mA
    • Выходная мощность: 22W
    • Тип транзистора: LDMOS
    • Усиление: 18dB
    • Voltage - Test: 28V
    • Номинальный ток: 10µA
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • RF ULTRA HIGH FREQUENCY BAND, N-
    Freescale Semiconductor
    • Производитель: Freescale Semiconductor
    • Package / Case: SOT-957A
    • Тип корпуса: NI-780H-2L
    • Частота: 465MHz
    • Номинальное напряжение: 65V
    • Current - Test: 1.25A
    • Выходная мощность: 28W
    • Тип транзистора: LDMOS
    • Усиление: 21dB
    • Voltage - Test: 28V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • RF S BAND, GALLIUM ARSENIDE, N-C
    Freescale Semiconductor
    • Производитель: Freescale Semiconductor
    • Package / Case: PLD-1.5
    • Тип корпуса: PLD-1.5
    • Частота: 1.8GHz ~ 3.6GHz
    • Номинальное напряжение: 15V
    • Current - Test: 55mA
    • Выходная мощность: 3W
    • Тип транзистора: pHEMT FET
    • Усиление: 11.5dB
    • Voltage - Test: 12V
    • Номинальный ток: 1.3A
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • RF POWER N-CHANNEL, MOSFET
    Freescale Semiconductor
    • Производитель: Freescale Semiconductor
    • Package / Case: NI-360HF
    • Тип корпуса: NI-360HF
    • Частота: 3.55GHz
    • Номинальное напряжение: 15V
    • Current - Test: 140mA
    • Выходная мощность: 1W
    • Тип транзистора: pHEMT FET
    • Усиление: 10dB
    • Voltage - Test: 12V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • RF POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR
    Freescale Semiconductor
    • Производитель: Freescale Semiconductor
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • RF S BAND, N-CHANNEL
    Freescale Semiconductor
    • Производитель: Freescale Semiconductor
    • Package / Case: SOT-957A
    • Тип корпуса: NI-780H-2L
    • Частота: 2.17GHz
    • Номинальное напряжение: 65V
    • Current - Test: 1.1A
    • Выходная мощность: 33W
    • Тип транзистора: LDMOS
    • Усиление: 17.3dB
    • Voltage - Test: 28V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • RF ULTRA HIGH FREQUENCY BAND, N-
    Freescale Semiconductor
    • Производитель: Freescale Semiconductor
    • Package / Case: NI-880S
    • Тип корпуса: NI-880S
    • Частота: 1GHz
    • Номинальное напряжение: 66V
    • Current - Test: 1A
    • Выходная мощность: 39W
    • Тип транзистора: LDMOS
    • Усиление: 21dB
    • Voltage - Test: 28V
    • Номинальный ток: 10µA
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • RF ULTRA HIGH FREQUENCY BAND, N-
    Freescale Semiconductor
    • Производитель: Freescale Semiconductor
    • Package / Case: TO-272BB
    • Тип корпуса: TO-272 WB-4
    • Частота: 600MHz
    • Номинальное напряжение: 110V
    • Current - Test: 900mA
    • Выходная мощность: 300W
    • Тип транзистора: LDMOS
    • Усиление: 25.5dB
    • Voltage - Test: 50V
    • Номинальный ток: 2.5mA
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • RF ULTRA HIGH FREQUENCY BAND, N-
    Freescale Semiconductor
    • Производитель: Freescale Semiconductor
    • Package / Case: NI-1230-4S
    • Тип корпуса: NI-1230-4S
    • Частота: 470MHz ~ 860MHz
    • Номинальное напряжение: 110V
    • Current - Test: 1.4A
    • Выходная мощность: 450W
    • Тип транзистора: LDMOS (Dual)
    • Усиление: 22.5dB
    • Voltage - Test: 50V
    • Номинальный ток: 10µA
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • RF 2-ELEMENT, L BAND, N-CHANNEL
    Freescale Semiconductor
    • Производитель: Freescale Semiconductor
    • Package / Case: NI-780S-4
    • Тип корпуса: NI-780S-4
    • Частота: 1.92GHz
    • Номинальное напряжение: 65V
    • Current - Test: 550mA
    • Выходная мощность: 37W
    • Тип транзистора: LDMOS (Dual)
    • Усиление: 16.5dB
    • Voltage - Test: 28V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO
    Freescale Semiconductor
    • Производитель: Freescale Semiconductor
    • Package / Case: OM-1230-4L2L
    • Тип корпуса: OM-1230-4L2L
    • Частота: 1.81GHz
    • Номинальное напряжение: 65V
    • Current - Test: 800mA
    • Выходная мощность: 63W
    • Тип транзистора: LDMOS (Dual)
    • Усиление: 17.5dB
    • Voltage - Test: 28V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • RF L BAND, N-CHANNEL , TO-270
    Freescale Semiconductor
    • Производитель: Freescale Semiconductor
    • Package / Case: TO-270AB
    • Тип корпуса: TO-270 WB-4
    • Частота: 1.93GHz ~ 1.99GHz
    • Номинальное напряжение: 65V
    • Current - Test: 1A
    • Выходная мощность: 29W
    • Тип транзистора: LDMOS
    • Усиление: 17.5dB
    • Voltage - Test: 28V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • RF ULTRA HIGH FREQUENCY BAND, N-
    Freescale Semiconductor
    • Производитель: Freescale Semiconductor
    • Package / Case: TO-270AA
    • Тип корпуса: TO-270-2
    • Частота: 945MHz
    • Номинальное напряжение: 65V
    • Current - Test: 450mA
    • Выходная мощность: 60W
    • Тип транзистора: LDMOS
    • Усиление: 18dB
    • Voltage - Test: 26V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием: