• Производитель
  • Тип корпуса
  • Выходная мощность
  • Номинальное напряжение
Найдено: 214
  • RF L BAND, N-CHANNEL , TO-270
    Freescale Semiconductor
    • Производитель: Freescale Semiconductor
    • Package / Case: TO-270AB
    • Тип корпуса: TO-270 WB-4
    • Частота: 1.93GHz ~ 1.99GHz
    • Номинальное напряжение: 65V
    • Current - Test: 750mA
    • Выходная мощность: 12W
    • Тип транзистора: LDMOS
    • Усиление: 14dB
    • Voltage - Test: 28V
    • Номинальный ток: 10µA
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • RF POWER N-CHANNEL, MOSFET
    Freescale Semiconductor
    • Производитель: Freescale Semiconductor
    • Package / Case: NI-780-4
    • Тип корпуса: NI-780-4
    • Частота: 2.17GHz
    • Номинальное напряжение: 65V
    • Current - Test: 150mA
    • Выходная мощность: 16W
    • Тип транзистора: LDMOS (Dual)
    • Усиление: 14.4dB
    • Voltage - Test: 28V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • RF POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR
    Freescale Semiconductor
    • Производитель: Freescale Semiconductor
    • Package / Case: TO-272BB
    • Тип корпуса: TO-272 WB-4
    • Частота: 10MHz ~ 600MHz
    • Номинальное напряжение: 110V
    • Current - Test: 900mA
    • Выходная мощность: 300W
    • Тип транзистора: LDMOS
    • Усиление: 22dB
    • Voltage - Test: 50V
    • Номинальный ток: 2.5mA
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • RF ULTRA HIGH FREQUENCY BAND, N-
    Freescale Semiconductor
    • Производитель: Freescale Semiconductor
    • Package / Case: NI-780S-4
    • Тип корпуса: NI-780S-4
    • Частота: 920MHz ~ 960MHz
    • Номинальное напряжение: 70V
    • Current - Test: 1A
    • Выходная мощность: 50W
    • Тип транзистора: LDMOS
    • Усиление: 19.3dB
    • Voltage - Test: 28V
    • Номинальный ток: 10µA
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • RF N CHANNEL, MOSFET
    Freescale Semiconductor
    • Производитель: Freescale Semiconductor
    • Package / Case: NI-780GS
    • Тип корпуса: NI-780GS-4L4L
    • Частота: 2.69GHz
    • Номинальное напряжение: 65V
    • Current - Test: 100mA
    • Выходная мощность: 9W
    • Тип транзистора: LDMOS (Dual)
    • Усиление: 14.2dB
    • Voltage - Test: 28V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • RF POWER N-CHANNEL, MOSFET
    Freescale Semiconductor
    • Производитель: Freescale Semiconductor
    • Package / Case: NI-780S-6
    • Тип корпуса: NI-780S-6
    • Частота: 2.4GHz
    • Номинальное напряжение: 65V
    • Current - Test: 1.1A
    • Выходная мощность: 45W
    • Тип транзистора: LDMOS
    • Усиление: 18.8dB
    • Voltage - Test: 28V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • RF N CHANNEL, MOSFET
    Freescale Semiconductor
    • Производитель: Freescale Semiconductor
    • Package / Case: NI-780S-4L4L-8
    • Тип корпуса: NI-780S-4L4L-8
    • Частота: 2.496GHz ~ 2.69GHz
    • Номинальное напряжение: 65V
    • Current - Test: 100mA
    • Выходная мощность: 9W
    • Тип транзистора: LDMOS (Dual)
    • Усиление: 14.2dB
    • Voltage - Test: 28V
    • Номинальный ток: 10µA
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • RF ULTRA HIGH FREQUENCY BAND, N-
    Freescale Semiconductor
    • Производитель: Freescale Semiconductor
    • Package / Case: TO-270AB
    • Тип корпуса: TO-270 WB-4
    • Частота: 960MHz
    • Номинальное напряжение: 66V
    • Current - Test: 300mA
    • Выходная мощность: 35.5W
    • Тип транзистора: LDMOS
    • Усиление: 19dB
    • Voltage - Test: 28V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • RF C BAND, GALLIUM ARSENIDE, N-C
    Freescale Semiconductor
    • Производитель: Freescale Semiconductor
    • Package / Case: PLD-1.5
    • Тип корпуса: PLD-1.5
    • Частота: 3.55GHz
    • Номинальное напряжение: 15V
    • Current - Test: 55mA
    • Выходная мощность: 3W
    • Тип транзистора: pHEMT FET
    • Усиление: 10.8dB
    • Voltage - Test: 12V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • RF 2-ELEMENT, ULTRA HIGH FREQUE
    Freescale Semiconductor
    • Производитель: Freescale Semiconductor
    • Package / Case: NI-780S-4
    • Тип корпуса: NI-780S-4
    • Частота: 230MHz
    • Номинальное напряжение: 130V
    • Current - Test: 100mA
    • Выходная мощность: 300W
    • Тип транзистора: LDMOS (Dual)
    • Усиление: 26.5dB
    • Voltage - Test: 50V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • RF ULTRA HIGH FREQUENCY BAND, N-
    Freescale Semiconductor
    • Производитель: Freescale Semiconductor
    • Package / Case: SOT-957A
    • Тип корпуса: NI-880H-2L
    • Частота: 1GHz
    • Номинальное напряжение: 68V
    • Current - Test: 350mA
    • Выходная мощность: 10W
    • Тип транзистора: LDMOS
    • Усиление: 22.7dB
    • Voltage - Test: 28V
    • Номинальный ток: 10µA
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • RF POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR
    Freescale Semiconductor
    • Производитель: Freescale Semiconductor
    • Package / Case: NI-1230
    • Тип корпуса: NI-1230
    • Частота: 470MHz ~ 860MHz
    • Номинальное напряжение: 115V
    • Current - Test: 1.4A
    • Выходная мощность: 140W
    • Тип транзистора: LDMOS (Dual)
    • Усиление: 21dB
    • Voltage - Test: 50V
    • Номинальный ток: 20µA
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • FET RF 65V 1.99GHZ NI-780
    Freescale Semiconductor
    • Производитель: Freescale Semiconductor
    • Package / Case: NI-780
    • Тип корпуса: NI-780
    • Частота: 1.93GHz ~ 1.99GHz
    • Номинальное напряжение: 65V
    • Current - Test: 1A
    • Выходная мощность: 22W
    • Тип транзистора: LDMOS
    • Усиление: 13.9dB
    • Voltage - Test: 28V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • FET RF 15V 3.55GHZ
    Freescale Semiconductor
    • Производитель: Freescale Semiconductor
    • Package / Case: PLD-1.5
    • Тип корпуса: PLD-1.5
    • Частота: 3.55GHz
    • Номинальное напряжение: 15V
    • Current - Test: 180mA
    • Выходная мощность: 9W
    • Тип транзистора: pHEMT FET
    • Усиление: 10dB
    • Voltage - Test: 12V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • RF S BAND, N-CHANNEL
    Freescale Semiconductor
    • Производитель: Freescale Semiconductor
    • Package / Case: NI-780S
    • Тип корпуса: NI-780S
    • Частота: 2.7GHz
    • Номинальное напряжение: 65V
    • Current - Test: 1.5A
    • Выходная мощность: 23W
    • Тип транзистора: LDMOS
    • Усиление: 16.5dB
    • Voltage - Test: 28V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием: