Полупроводники, Транзисторы, FET, MOSFET Fairchild Semiconductor SuperSOT™-6
-
- Package / Case
- Тип транзистора
- Технология
- Рабочая температура
- Тип полевого транзистора
- Усиление
- Коэффициент шума
- Рассеиваемая мощность (Макс)
- Напряжение сток-исток (Vdss)
- Voltage - Test
- Current - Test
- Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C
- FET Feature
- Rds On (Max) @ Id, Vgs
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
- Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id
- Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds
- Напряжение затвора (макс)
- Серия
-
- Производитель: Fairchild Semiconductor
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
- Тип корпуса: SuperSOT™-6
- Тип полевого транзистора: N and P-Channel
- FET Feature: Logic Level Gate
- Напряжение сток-исток (Vdss): 25V
- Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 220mA, 460mA
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 400mA, 4.5V
- Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
- Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7nC @ 4.5V
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 9.5pF @ 10V
- Мощность - Макс.: 700mW
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Fairchild Semiconductor
- Серия: PowerTrench®
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
- Тип корпуса: SuperSOT™-6
- Тип полевого транзистора: 2 P-Channel (Dual)
- FET Feature: Logic Level Gate
- Напряжение сток-исток (Vdss): 20V
- Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 2.2A
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 2.2A, 4.5V
- Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
- Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 5.2nC @ 4.5V
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 337pF @ 10V
- Мощность - Макс.: 700mW
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Fairchild Semiconductor
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
- Тип корпуса: SuperSOT™-6
- Тип полевого транзистора: N and P-Channel
- FET Feature: Logic Level Gate
- Напряжение сток-исток (Vdss): 25V
- Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 220mA, 120mA
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 400mA, 4.5V
- Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
- Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 0.4nC @ 4.5V
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 9.5pF @ 10V
- Мощность - Макс.: 700mW
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Fairchild Semiconductor
- Серия: PowerTrench®
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
- Тип корпуса: SuperSOT™-6
- Тип полевого транзистора: 2 N-Channel (Dual)
- FET Feature: Logic Level Gate
- Напряжение сток-исток (Vdss): 30V
- Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 145mOhm @ 2A, 4.5V
- Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 3V @ 250µA
- Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 3.2nC @ 5V
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 220pF @ 15V
- Мощность - Макс.: 700mW (Ta)
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Fairchild Semiconductor
- Серия: PowerTrench®
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
- Тип корпуса: SuperSOT™-6
- Тип полевого транзистора: 2 P-Channel (Dual)
- Напряжение сток-исток (Vdss): 20V
- Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta)
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 1.7A, 4.5V
- Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
- Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 5nC @ 4.5V
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 265pF @ 10V
- Мощность - Макс.: 700mW (Ta)
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Fairchild Semiconductor
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
- Тип корпуса: SuperSOT™-6
- Тип полевого транзистора: 2 P-Channel (Dual)
- FET Feature: Logic Level Gate
- Напряжение сток-исток (Vdss): 25V
- Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 460mA
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 500mA, 4.5V
- Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
- Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5nC @ 4.5V
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 62pF @ 10V
- Мощность - Макс.: 700mW
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Fairchild Semiconductor
- Серия: PowerTrench®
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
- Тип корпуса: SuperSOT™-6
- Тип полевого транзистора: 2 P-Channel (Dual)
- FET Feature: Logic Level Gate
- Напряжение сток-исток (Vdss): 20V
- Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 1.9A
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 1.9A, 4.5V
- Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
- Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 4.2nC @ 4.5V
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 441pF @ 10V
- Мощность - Макс.: 700mW
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Fairchild Semiconductor
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
- Тип корпуса: SuperSOT™-6
- Тип полевого транзистора: 2 P-Channel (Dual)
- FET Feature: Logic Level Gate
- Напряжение сток-исток (Vdss): 25V
- Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 120mA
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 200mA, 4.5V
- Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
- Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 0.31nC @ 4.5V
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 11pF @ 10V
- Мощность - Макс.: 700mW
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Fairchild Semiconductor
- Серия: PowerTrench®, SyncFET™
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
- Тип корпуса: SuperSOT™-6
- Тип полевого транзистора: N and P-Channel
- FET Feature: Logic Level Gate
- Напряжение сток-исток (Vdss): 30V, 12V
- Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 2.4A, 2.5A
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2.4A, 10V
- Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 3V @ 1mA
- Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 3.5nC @ 5V
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 270pF @ 15V
- Мощность - Макс.: 700mW
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
- 10
- 15
- 50
- 100