Полупроводники, Транзисторы, FET, MOSFET Fairchild Semiconductor Power56
-
- Package / Case
- Тип транзистора
- Технология
- Рабочая температура
- Тип полевого транзистора
- Усиление
- Коэффициент шума
- Рассеиваемая мощность (Макс)
- Напряжение сток-исток (Vdss)
- Voltage - Test
- Current - Test
- Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C
- FET Feature
- Rds On (Max) @ Id, Vgs
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
- Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id
- Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds
- Напряжение затвора (макс)
- Серия
-
- Производитель: Fairchild Semiconductor
- Серия: PowerTrench®
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: 8-PowerTDFN
- Тип корпуса: Power56
- Тип полевого транзистора: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
- FET Feature: Logic Level Gate
- Напряжение сток-исток (Vdss): 25V
- Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 17.5A, 30A
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 17.5A, 10V
- Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 2V @ 250µA
- Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 26nC @ 10V
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 1570pF @ 13V
- Мощность - Макс.: 1W
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Fairchild Semiconductor
- Серия: PowerTrench®
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: 8-PowerWDFN
- Тип корпуса: Power56
- Тип полевого транзистора: 2 N-Channel (Dual)
- FET Feature: Logic Level Gate
- Напряжение сток-исток (Vdss): 30V
- Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 10.1A, 12.4A
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 10.1A, 10V
- Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 3V @ 250µA
- Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 10V
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 608pF @ 15V
- Мощность - Макс.: 1W
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Fairchild Semiconductor
- Серия: PowerTrench®
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: 8-PowerTDFN
- Тип корпуса: Power56
- Тип полевого транзистора: 2 N-Channel (Dual)
- FET Feature: Logic Level Gate
- Напряжение сток-исток (Vdss): 25V
- Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 15A, 26A
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 15A, 10V
- Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 3V @ 250µA
- Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 27nC @ 10V
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 1680pF @ 13V
- Мощность - Макс.: 1W
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Fairchild Semiconductor
- Серия: PowerTrench®
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: 8-PowerTDFN
- Тип корпуса: Power56
- Тип полевого транзистора: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
- FET Feature: Logic Level Gate
- Напряжение сток-исток (Vdss): 25V
- Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 17.5A, 34A
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 17.5A, 10V
- Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 2V @ 250µA
- Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 26nC @ 10V
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 1570pF @ 13V
- Мощность - Макс.: 1W
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Fairchild Semiconductor
- Серия: PowerTrench®
- Вид монтажа: Surface Mount
- Package / Case: 8-PowerWDFN
- Тип корпуса: Power56
- Тип полевого транзистора: 2 N-Channel (Dual)
- FET Feature: Logic Level Gate
- Напряжение сток-исток (Vdss): 30V
- Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 11.5A, 12A
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.4mOhm @ 11.5A, 10V
- Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 3V @ 250µA
- Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 10V
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 1400pF @ 15V
- Мощность - Макс.: 1W
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
- 10
- 15
- 50
- 100