Полупроводники, Транзисторы, FET, MOSFET Fairchild Semiconductor F1

    • Package / Case
    • Тип транзистора
    • Технология
    • Рабочая температура
    • Тип полевого транзистора
    • Усиление
    • Коэффициент шума
    • Рассеиваемая мощность (Макс)
    • Напряжение сток-исток (Vdss)
    • Voltage - Test
    • Current - Test
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C
    • FET Feature
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds
    • Напряжение затвора (макс)
    • Серия
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100
Списком Таблицей
Найдено: 1
  • FPF1C2P5BF07A
    INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
    Fairchild Semiconductor
    • Производитель: Fairchild Semiconductor
    • Вид монтажа: Chassis Mount
    • Рабочая температура: -40°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: F1 Module
    • Тип корпуса: F1
    • Тип полевого транзистора: 5 N-Channel (Solar Inverter)
    • FET Feature: Standard
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 650V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 36A
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 27A, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA
    • Мощность - Макс.: 250W
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100