• Package / Case
    • Тип транзистора
    • Технология
    • Рабочая температура
    • Тип канала
    • Усиление
    • Коэффициент шума
    • Рассеиваемая мощность (Макс)
    • Напряжение сток-исток (Vdss)
    • Voltage - Test
    • Current - Test
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C
    • FET Feature
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds
    • Напряжение затвора (макс)
    • Серия
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100
Списком Таблицей
Найдено: 82
  • FDS8928A
    POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 5
    Fairchild Semiconductor
    • Производитель: Fairchild Semiconductor
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
    • Тип корпуса: 8-SOIC
    • Тип канала: N and P-Channel
    • FET Feature: Logic Level Gate
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 30V, 20V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 5.5A, 4A
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 5.5A, 4.5V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 1V @ 250µA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 28nC @ 4.5V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 900pF @ 10V
    • Мощность - Макс.: 900mW
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • FDS4501H
    SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
    Fairchild Semiconductor
    • Производитель: Fairchild Semiconductor
    • Серия: PowerTrench®
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
    • Тип корпуса: 8-SOIC
    • Тип канала: N and P-Channel
    • FET Feature: Logic Level Gate
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 30V, 20V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 9.3A, 5.6A
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 9.3A, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 3V @ 250µA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 27nC @ 4.5V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 1958pF @ 10V
    • Мощность - Макс.: 1W
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • FDS4935A
    POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 7
    Fairchild Semiconductor
    • Производитель: Fairchild Semiconductor
    • Серия: PowerTrench®
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
    • Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
    • Тип корпуса: 8-SOIC
    • Тип канала: 2 P-Channel (Dual)
    • FET Feature: Logic Level Gate
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 30V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 7A
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 7A, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 3V @ 250µA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 21nC @ 5V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 1233pF @ 15V
    • Мощность - Макс.: 900mW
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • FDS8958
    P-CHANNEL POWER MOSFET
    Fairchild Semiconductor
    • Производитель: Fairchild Semiconductor
    • Серия: PowerTrench®
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
    • Тип корпуса: 8-SOIC
    • Тип канала: N and P-Channel
    • FET Feature: Logic Level Gate
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 30V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 7A, 5A
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 7A, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 3V @ 250µA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 26nC @ 10V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 789pF @ 10V
    • Мощность - Макс.: 2W
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • RF1K49092
    P-CHANNEL POWER MOSFET
    Fairchild Semiconductor
    • Производитель: Fairchild Semiconductor
    • Серия: LittleFET™
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
    • Тип корпуса: 8-SOIC
    • Тип канала: N and P-Channel
    • FET Feature: Standard
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 12V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta), 2.5A (Ta)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 3.5A, 5V, 130mOhm @ 2.5A, 5V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 2V @ 250µA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 10V, 24nC @ 10V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 750pF @ 10V, 775pF @ 10V
    • Мощность - Макс.: 2W (Ta)
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • FW276-TL-2H
    POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR
    Fairchild Semiconductor
    • Производитель: Fairchild Semiconductor
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: 150°C (TJ)
    • Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
    • Тип корпуса: 8-SOIC
    • Тип канала: 2 N-Channel (Dual)
    • FET Feature: Logic Level Gate, 10V Drive
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 450V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 700mA (Tc)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.1Ohm @ 350mA, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 3.7nC @ 10V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 55pF @ 20V
    • Мощность - Макс.: 1.6W (Tc)
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • SI9934DY
    P-CHANNEL POWER MOSFET
    Fairchild Semiconductor
    • Производитель: Fairchild Semiconductor
    • Серия: PowerTrench®
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
    • Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
    • Тип корпуса: 8-SOIC
    • Тип канала: 2 P-Channel (Dual)
    • FET Feature: Standard
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 20V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 5A, 4.5V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 16nC @ 4.5V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 1015pF @ 10V
    • Мощность - Макс.: 900mW (Ta)
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • NDS8936
    N-CHANNEL POWER MOSFET
    Fairchild Semiconductor
    • Производитель: Fairchild Semiconductor
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
    • Тип корпуса: 8-SOIC
    • Тип канала: 2 N-Channel (Dual)
    • FET Feature: Logic Level Gate
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 30V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 5.3A
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 5.3A, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 720pF @ 15V
    • Мощность - Макс.: 900mW
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • FDS6984S
    N-CHANNEL POWER MOSFET
    Fairchild Semiconductor
    • Производитель: Fairchild Semiconductor
    • Серия: PowerTrench®, SyncFET™
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
    • Тип корпуса: 8-SOIC
    • Тип канала: 2 N-Channel (Dual)
    • FET Feature: Logic Level Gate
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 30V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 5.5A, 8.5A
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 8.5A, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 3V @ 250µA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 5V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 1233pF @ 15V
    • Мощность - Макс.: 900mW
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • FDS6990S
    N-CHANNEL POWER MOSFET
    Fairchild Semiconductor
    • Производитель: Fairchild Semiconductor
    • Серия: PowerTrench®
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
    • Тип корпуса: 8-SOIC
    • Тип канала: 2 N-Channel (Dual)
    • FET Feature: Standard
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 30V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 7.5A (Ta)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 7.5A, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 3V @ 1mA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 16nC @ 5V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 1233pF @ 15V
    • Мощность - Макс.: 900mW (Ta)
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • HP4936DY
    N-CHANNEL POWER MOSFET
    Fairchild Semiconductor
    • Производитель: Fairchild Semiconductor
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
    • Тип корпуса: 8-SOIC
    • Тип канала: 2 N-Channel (Dual)
    • FET Feature: Logic Level Gate
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 30V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 5.8A (Ta)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 5.8A, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 1V @ 250µA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 10V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 625pF @ 25V
    • Мощность - Макс.: 2W (Ta)
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • FDS8926A
    N-CHANNEL POWER MOSFET
    Fairchild Semiconductor
    • Производитель: Fairchild Semiconductor
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
    • Тип корпуса: 8-SOIC
    • Тип канала: 2 N-Channel (Dual)
    • FET Feature: Logic Level Gate
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 30V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 5.5A
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 5.5A, 4.5V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 1V @ 250µA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 28nC @ 4.5V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 900pF @ 10V
    • Мощность - Макс.: 900mW
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • SI4963DY
    P-CHANNEL POWER MOSFET
    Fairchild Semiconductor
    • Производитель: Fairchild Semiconductor
    • Серия: PowerTrench®
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
    • Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
    • Тип корпуса: 8-SOIC
    • Тип канала: 2 P-Channel (Dual)
    • FET Feature: Standard
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 20V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 6.2A (Ta)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 6.2A, 4.5V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 4.5V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 1456pF @ 10V
    • Мощность - Макс.: 900mW (Ta)
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • RF1K4909096
    N-CHANNEL POWER MOSFET
    Fairchild Semiconductor
    • Производитель: Fairchild Semiconductor
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
    • Тип корпуса: 8-SOIC
    • Тип канала: 2 N-Channel (Dual)
    • FET Feature: Logic Level Gate
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 12V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 3.5A, 5V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 2V @ 250µA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 10V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 750pF @ 10V
    • Мощность - Макс.: 2W (Ta)
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • NDS8961
    N-CHANNEL POWER MOSFET
    Fairchild Semiconductor
    • Производитель: Fairchild Semiconductor
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
    • Тип корпуса: 8-SOIC
    • Тип канала: 2 N-Channel (Dual)
    • FET Feature: Logic Level Gate
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 30V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 3.1A
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 3.1A, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 3V @ 250µA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 10V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 190pF @ 15V
    • Мощность - Макс.: 900mW
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100