Полупроводники, Транзисторы, FET, MOSFET EPC Die Outline (11-Solder Bar)

    • Package / Case
    • Тип транзистора
    • Технология
    • Рабочая температура
    • Тип полевого транзистора
    • Усиление
    • Коэффициент шума
    • Рассеиваемая мощность (Макс)
    • Напряжение сток-исток (Vdss)
    • Voltage - Test
    • Current - Test
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C
    • FET Feature
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds
    • Напряжение затвора (макс)
    • Серия
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100
Списком Таблицей
Найдено: 3
  • EPC2001
    GANFET TRANS 100V 25A BUMPED DIE
    EPC
    • Производитель: EPC
    • Серия: eGaN®
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -40°C ~ 125°C (TJ)
    • Package / Case: Die
    • Тип корпуса: Die Outline (11-Solder Bar)
    • Тип полевого транзистора: N-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 100V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 25A (Ta)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 25A, 5V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 2.5V @ 5mA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 5V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 950pF @ 50V
    • Технология: GaNFET (Gallium Nitride)
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
    • Напряжение затвора (макс): +6V, -5V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • EPC2001C
    GANFET TRANS 100V 36A BUMPED DIE
    EPC
    • Производитель: EPC
    • Серия: eGaN®
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -40°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: Die
    • Тип корпуса: Die Outline (11-Solder Bar)
    • Тип полевого транзистора: N-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 100V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 36A (Ta)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 25A, 5V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 2.5V @ 5mA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 9nC @ 5V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 900pF @ 50V
    • Технология: GaNFET (Gallium Nitride)
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
    • Напряжение затвора (макс): +6V, -4V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • EPC2015
    GANFET TRANS 40V 33A BUMPED DIE
    EPC
    • Производитель: EPC
    • Серия: eGaN®
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -40°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: Die
    • Тип корпуса: Die Outline (11-Solder Bar)
    • Тип полевого транзистора: N-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 40V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 33A (Ta)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 33A, 5V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 2.5V @ 9mA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 11.6nC @ 5V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 1200pF @ 20V
    • Технология: GaNFET (Gallium Nitride)
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
    • Напряжение затвора (макс): +6V, -5V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100