Полупроводники, Транзисторы, FET, MOSFET Diotec Semiconductor

    • Package / Case
    • Тип транзистора
    • Технология
    • Рабочая температура
    • Тип полевого транзистора
    • Усиление
    • Коэффициент шума
    • Рассеиваемая мощность (Макс)
    • Напряжение сток-исток (Vdss)
    • Voltage - Test
    • Current - Test
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C
    • FET Feature
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds
    • Напряжение затвора (макс)
    • Серия
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100
Списком Таблицей
Найдено: 7
  • DI048N04PQ2-AQ
    MOSFET, 40V, 48A, N, 28W
    Diotec Semiconductor
    • Производитель: Diotec Semiconductor
    • Серия: Automotive, AEC-Q101
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: 8-PowerVDFN
    • Тип корпуса: PG-TDSON-8-4
    • Тип полевого транзистора: 2 N-Channel (Dual)
    • FET Feature: Standard
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 40V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 48A (Tc)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.6mOhm @ 12A, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 48nC @ 10V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 2270pF @ 20V
    • Мощность - Макс.: 27W (Tc)
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • MMBT7002KW-AQ
    MOSFET, 60V, 0.3A, N, 0.25W
    Diotec Semiconductor
    • Производитель: Diotec Semiconductor
    • Серия: Automotive, AEC-Q101
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
    • Тип корпуса: SOT-363
    • Тип полевого транзистора: 2 N-Channel (Dual)
    • FET Feature: Standard
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 60V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 300mA (Ta)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 500mA, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 25V
    • Мощность - Макс.: 300mW (Ta)
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • DI048N04PQ2
    MOSFET, 40V, 48A, N, 28W
    Diotec Semiconductor
    • Производитель: Diotec Semiconductor
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: 8-PowerVDFN
    • Тип корпуса: PG-TDSON-8-4
    • Тип полевого транзистора: 2 N-Channel (Dual)
    • FET Feature: Standard
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 40V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 48A (Tc)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.6mOhm @ 12A, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 48nC @ 10V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 2270pF @ 20V
    • Мощность - Макс.: 27W (Tc)
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • DI038N04PQ2-AQ
    MOSFET, 45V, 38A, N, 31W
    Diotec Semiconductor
    • Производитель: Diotec Semiconductor
    • Серия: Automotive, AEC-Q101
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: 8-PowerVDFN
    • Тип корпуса: PG-TDSON-8-4
    • Тип полевого транзистора: 2 N-Channel (Dual)
    • FET Feature: Standard
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 45V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 10A, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 14nC @ 10V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 830pF @ 30V
    • Мощность - Макс.: 31W (Tc)
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • DI038N04PQ2
    MOSFET, 45V, 38A, N, 31W
    Diotec Semiconductor
    • Производитель: Diotec Semiconductor
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: 8-PowerVDFN
    • Тип корпуса: PG-TDSON-8-4
    • Тип полевого транзистора: 2 N-Channel (Dual)
    • FET Feature: Standard
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 45V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 10A, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 14nC @ 10V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 830pF @ 30V
    • Мощность - Макс.: 31W (Tc)
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • MMFTN620KDW-AQ
    MOSFET, 60V, 0.35A, N, 0.2W
    Diotec Semiconductor
    • Производитель: Diotec Semiconductor
    • Серия: Automotive, AEC-Q101
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
    • Тип корпуса: SOT-363
    • Тип полевого транзистора: 2 N-Channel (Dual)
    • FET Feature: Standard
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 60V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 350mA (Ta)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 100mA, 4.5V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 1V @ 250µA
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 320pF @ 30V
    • Мощность - Макс.: 320mW (Ta)
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • MMBT7002DW
    MOSFET, SOT-363, 60V, 0.115A, N,
    Diotec Semiconductor
    • Производитель: Diotec Semiconductor
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
    • Тип корпуса: SOT-363
    • Тип полевого транзистора: 2 N-Channel (Dual)
    • FET Feature: Logic Level Gate
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 60V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 115mA (Ta)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 500mA, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 25V
    • Мощность - Макс.: 200mW (Ta)
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100