• Производитель
  • Тип корпуса
  • Выходная мощность
  • Номинальное напряжение
    • Package / Case
    • Тип транзистора
    • Технология
    • Рабочая температура
    • Тип канала
    • Усиление
    • Коэффициент шума
    • Рассеиваемая мощность (Макс)
    • Напряжение сток-исток (Vdss)
    • Voltage - Test
    • Current - Test
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C
    • FET Feature
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds
    • Напряжение затвора (макс)
    • Серия
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100
Списком Таблицей
Найдено: 407
  • CGHV14500F
    RF MOSFET HEMT 50V 440117
    Cree/Wolfspeed
    • Производитель: Cree/Wolfspeed
    • Серия: GaN
    • Package / Case: 440117
    • Тип корпуса: 440117
    • Частота: 1.2GHz ~ 1.4GHz
    • Номинальное напряжение: 125V
    • Current - Test: 500mA
    • Выходная мощность: 500W
    • Тип транзистора: HEMT
    • Усиление: 17dB
    • Voltage - Test: 50V
    • Номинальный ток: 36A
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • C3M0120090D
    900V, 120 MOHM, G3 SIC MOSFET
    Cree/Wolfspeed
    • Производитель: Cree/Wolfspeed
    • Серия: C3M™
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-247-3
    • Тип корпуса: TO-247-3
    • Тип канала: N-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 900V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 23A (Tc)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 15A, 15V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 3.5V @ 3mA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 17.3nC @ 15V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 350pF @ 600V
    • Технология: SiCFET (Silicon Carbide)
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 97W (Tc)
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
    • Напряжение затвора (макс): +18V, -8V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • PTFC262157FH-V1-R0
    RF MOSFET TRANSISTORS
    Cree/Wolfspeed
    • Производитель: Cree/Wolfspeed
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • C3M0030090K
    ZFET 900V, 30 MOHM, G3 SIC MOSFE
    Cree/Wolfspeed
    • Производитель: Cree/Wolfspeed
    • Серия: C3M™
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-247-4
    • Тип корпуса: TO-247-4
    • Тип канала: N-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 900V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 63A (Tc)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 35A, 15V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 3.5V @ 11mA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 87nC @ 15V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 1864pF @ 600V
    • Технология: SiCFET (Silicon Carbide)
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 149W (Tc)
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
    • Напряжение затвора (макс): +15V, -4V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • PTFB211501E-V1-R0
    IC AMP RF LDMOS H-36248-2
    Cree/Wolfspeed
    • Производитель: Cree/Wolfspeed
    • Package / Case: H-36248-2
    • Тип корпуса: H-36248-2
    • Частота: 2.17GHz
    • Номинальное напряжение: 65V
    • Current - Test: 1.2A
    • Выходная мощность: 40W
    • Тип транзистора: LDMOS
    • Усиление: 18dB
    • Voltage - Test: 30V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • PTFA211801E-V5-R0
    RF MOSFET LDMOS 28V H-36260-2
    Cree/Wolfspeed
    • Производитель: Cree/Wolfspeed
    • Package / Case: 2-Flatpack, Fin Leads, Flanged
    • Тип корпуса: H-36260-2
    • Частота: 2.11GHz ~ 2.17GHz
    • Номинальное напряжение: 65V
    • Current - Test: 1.2A
    • Выходная мощность: 180W
    • Тип транзистора: LDMOS
    • Усиление: 15.5dB
    • Voltage - Test: 28V
    • Номинальный ток: 10µA
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • PXAC241702FC-V1-R250
    IC AMP RF LDMOS
    Cree/Wolfspeed
    • Производитель: Cree/Wolfspeed
    • Package / Case: H-37248-4
    • Тип корпуса: H-37248-4
    • Частота: 2.4GHz
    • Номинальное напряжение: 65V
    • Current - Test: 360mA
    • Выходная мощность: 28W
    • Тип транзистора: LDMOS
    • Усиление: 16.5dB
    • Voltage - Test: 28V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • PTVA120251EA-V1
    RF MOSFET LDMOS H-36265-2
    Cree/Wolfspeed
    • Производитель: Cree/Wolfspeed
    • Package / Case: H-36265-2
    • Тип корпуса: H-36265-2
    • Частота: 500MHz ~ 1.4GHz
    • Номинальное напряжение: 105V
    • Выходная мощность: 34W
    • Тип транзистора: LDMOS
    • Усиление: 15.8dB
    • Номинальный ток: 10µA
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • PXAD184218FV-V1-R2
    IC AMP RF LDMOS H-37275G-6
    Cree/Wolfspeed
    • Производитель: Cree/Wolfspeed
    • Package / Case: H-37275G-6/2
    • Тип корпуса: H-37275G-6/2
    • Частота: 1.805GHz ~ 1.88GHz
    • Номинальное напряжение: 65V
    • Current - Test: 720mA
    • Выходная мощность: 130W
    • Тип транзистора: LDMOS
    • Усиление: 14dB
    • Voltage - Test: 28V
    • Номинальный ток: 10µA
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • CGHV59350F
    RF MOSFET HEMT 50V 440217
    Cree/Wolfspeed
    • Производитель: Cree/Wolfspeed
    • Серия: GaN
    • Package / Case: 440217
    • Тип корпуса: 440217
    • Частота: 5.2GHz ~ 5.9GHz
    • Номинальное напряжение: 125V
    • Current - Test: 1A
    • Выходная мощность: 450W
    • Тип транзистора: HEMT
    • Усиление: 11.2dB
    • Voltage - Test: 50V
    • Номинальный ток: 24A
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • PTFB211503FL-V2-R250
    IC AMP RF LDMOS
    Cree/Wolfspeed
    • Производитель: Cree/Wolfspeed
    • Package / Case: 2-Flatpack, Fin Leads, Flanged
    • Тип корпуса: H-34288-4/2
    • Частота: 2.17GHz
    • Номинальное напряжение: 65V
    • Current - Test: 1.2A
    • Выходная мощность: 32W
    • Тип транзистора: LDMOS
    • Усиление: 18dB
    • Voltage - Test: 30V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • PTFB193404F-V1-R0
    IC AMP RF LDMOS H-37275-6
    Cree/Wolfspeed
    • Производитель: Cree/Wolfspeed
    • Package / Case: H-37275-6/2
    • Тип корпуса: H-37275-6/2
    • Частота: 1.99GHz
    • Номинальное напряжение: 65V
    • Current - Test: 2.6A
    • Выходная мощность: 80W
    • Тип транзистора: LDMOS
    • Усиление: 19dB
    • Voltage - Test: 30V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • PXAC182002FC-V1-R0
    RF MOSFET TRANSISTORS
    Cree/Wolfspeed
    • Производитель: Cree/Wolfspeed
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • C2M0080170P
    ZFET SIC DMOSFET, 1700V VDS, RDS
    Cree/Wolfspeed
    • Производитель: Cree/Wolfspeed
    • Серия: C2M™
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-247-4
    • Тип корпуса: TO-247-4
    • Тип канала: N-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 1700V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 28A, 20V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 4V @ 10mA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 120nC @ 20V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 2250pF @ 1000V
    • Технология: SiCFET (Silicon Carbide)
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 277W (Tc)
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
    • Напряжение затвора (макс): +25V, -10V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • PTFB192503FL-V2-R0
    IC AMP RF LDMOS H-34288-4
    Cree/Wolfspeed
    • Производитель: Cree/Wolfspeed
    • Package / Case: 2-Flatpack, Fin Leads, Flanged
    • Тип корпуса: H-34288-4/2
    • Частота: 1.99GHz
    • Номинальное напряжение: 65V
    • Current - Test: 1.9A
    • Выходная мощность: 50W
    • Тип транзистора: LDMOS
    • Усиление: 19dB
    • Voltage - Test: 30V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100