Найдено: 2
  • MOSFET N-CH 60V 0.25A SOT23
    Comchip Technology
    • Производитель: Comchip Technology
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
    • Тип корпуса: SOT-23
    • Тип канала: N-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 60V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 250mA (Ta)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 250mA, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 1nC @ 10V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 25pF @ 25V
    • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 350mW (Ta)
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • MOSFET N-CH 60V 0.25A SOT23
    Comchip Technology
    • Производитель: Comchip Technology
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
    • Тип корпуса: SOT-23
    • Тип канала: N-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 60V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 250mA (Ta)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 250mA, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 1nC @ 10V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 25pF @ 25V
    • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 350mW (Ta)
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием: