Полупроводники, Транзисторы, FET, MOSFET CEL S03

- Package / Case
- Тип транзистора
- Технология
- Рабочая температура
- Тип полевого транзистора
- Усиление
- Коэффициент шума
- Рассеиваемая мощность (Макс)
- Напряжение сток-исток (Vdss)
- Voltage - Test
- Current - Test
- Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C
- FET Feature
- Rds On (Max) @ Id, Vgs
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
- Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id
- Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds
- Напряжение затвора (макс)
- Серия

Выводить по:

Списком Таблицей

Найдено: 3

NE3520S03-A

FET RF 4V 20GHZ S03

CEL
- Производитель: CEL
- Package / Case: 4-SMD, Flat Leads
- Тип корпуса: S03
- Частота: 20GHz
- Номинальное напряжение: 4V
- Current - Test: 10mA
- Тип транзистора: HFET
- Усиление: 13.5dB
- Voltage - Test: 2V
- Коэффициент шума: 0.65dB
- Номинальный ток: 70mA
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
NE3517S03-T1C-A

FET RF 4V 20GHZ S03

CEL
- Производитель: CEL
- Package / Case: 4-SMD, Flat Leads
- Тип корпуса: S03
- Частота: 20GHz
- Номинальное напряжение: 4V
- Current - Test: 10mA
- Тип транзистора: HFET
- Усиление: 13.5dB
- Voltage - Test: 2V
- Коэффициент шума: 0.7dB
- Номинальный ток: 15mA
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
NE3520S03-T1C-A

FET RF 4V 20GHZ S03

CEL
- Производитель: CEL
- Package / Case: 4-SMD, Flat Leads
- Тип корпуса: S03
- Частота: 20GHz
- Номинальное напряжение: 4V
- Current - Test: 10mA
- Тип транзистора: HFET
- Усиление: 13.5dB
- Voltage - Test: 2V
- Коэффициент шума: 0.65dB
- Номинальный ток: 70mA
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:

Выводить по: