Полупроводники, Транзисторы, FET, MOSFET CEL 4-Micro-X

- Package / Case
- Тип транзистора
- Технология
- Рабочая температура
- Тип полевого транзистора
- Усиление
- Коэффициент шума
- Рассеиваемая мощность (Макс)
- Напряжение сток-исток (Vdss)
- Voltage - Test
- Current - Test
- Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C
- FET Feature
- Rds On (Max) @ Id, Vgs
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
- Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id
- Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds
- Напряжение затвора (макс)
- Серия

Выводить по:

Списком Таблицей

Найдено: 3

CE3512K2

RF FET 4V 12GHZ 4MICROX

CEL
- Производитель: CEL
- Package / Case: 4-Micro-X
- Тип корпуса: 4-Micro-X
- Частота: 12GHz
- Номинальное напряжение: 4V
- Current - Test: 10mA
- Выходная мощность: 125mW
- Тип транзистора: pHEMT FET
- Усиление: 13.7dB
- Voltage - Test: 2V
- Коэффициент шума: 0.5dB
- Номинальный ток: 15mA
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
CE3512K2-C1

RF FET 4V 12GHZ 4MICROX

CEL
- Производитель: CEL
- Package / Case: 4-Micro-X
- Тип корпуса: 4-Micro-X
- Частота: 12GHz
- Номинальное напряжение: 4V
- Current - Test: 10mA
- Выходная мощность: 125mW
- Тип транзистора: pHEMT FET
- Усиление: 13.7dB
- Voltage - Test: 2V
- Коэффициент шума: 0.5dB
- Номинальный ток: 15mA
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
CE3520K3-C1

RF FET 4V 20GHZ 4MICROX

CEL
- Производитель: CEL
- Package / Case: 4-Micro-X
- Тип корпуса: 4-Micro-X
- Частота: 20GHz
- Номинальное напряжение: 4V
- Current - Test: 10mA
- Выходная мощность: 125mW
- Тип транзистора: pHEMT FET
- Усиление: 13.8dB
- Voltage - Test: 2V
- Коэффициент шума: 0.8dB
- Номинальный ток: 15mA
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:

Выводить по: