Полупроводники, Транзисторы, FET, MOSFET Broadcom Limited 8-LPCC (2x2)
-
- Package / Case
- Тип транзистора
- Технология
- Рабочая температура
- Тип полевого транзистора
- Усиление
- Коэффициент шума
- Рассеиваемая мощность (Макс)
- Напряжение сток-исток (Vdss)
- Voltage - Test
- Current - Test
- Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C
- FET Feature
- Rds On (Max) @ Id, Vgs
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
- Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id
- Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds
- Напряжение затвора (макс)
- Серия
-
- Производитель: Broadcom Limited
- Package / Case: 8-WFDFN Exposed Pad
- Тип корпуса: 8-LPCC (2x2)
- Частота: 2GHz
- Номинальное напряжение: 7V
- Current - Test: 200mA
- Выходная мощность: 26.5dBm
- Тип транзистора: pHEMT FET
- Усиление: 17dB
- Voltage - Test: 4.5V
- Коэффициент шума: 1.5dB
- Номинальный ток: 500mA
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Broadcom Limited
- Package / Case: 8-WFDFN Exposed Pad
- Тип корпуса: 8-LPCC (2x2)
- Частота: 2GHz
- Номинальное напряжение: 7V
- Current - Test: 200mA
- Выходная мощность: 30dBm
- Тип транзистора: E-pHEMT
- Усиление: 14.8dB
- Voltage - Test: 4.5V
- Коэффициент шума: 1.4dB
- Номинальный ток: 1A
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Broadcom Limited
- Package / Case: 8-WFDFN Exposed Pad
- Тип корпуса: 8-LPCC (2x2)
- Частота: 2GHz
- Номинальное напряжение: 7V
- Current - Test: 135mA
- Выходная мощность: 24.5dBm
- Тип транзистора: E-pHEMT
- Усиление: 20dB
- Voltage - Test: 4V
- Коэффициент шума: 0.6dB
- Номинальный ток: 300mA
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Broadcom Limited
- Package / Case: 8-WFDFN Exposed Pad
- Тип корпуса: 8-LPCC (2x2)
- Частота: 2GHz
- Номинальное напряжение: 7V
- Current - Test: 280mA
- Выходная мощность: 29dBm
- Тип транзистора: E-pHEMT
- Усиление: 15dB
- Voltage - Test: 4.5V
- Коэффициент шума: 1dB
- Номинальный ток: 1A
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Broadcom Limited
- Package / Case: 8-WFDFN Exposed Pad
- Тип корпуса: 8-LPCC (2x2)
- Частота: 2GHz
- Номинальное напряжение: 7V
- Current - Test: 280mA
- Выходная мощность: 29dBm
- Тип транзистора: E-pHEMT
- Усиление: 15dB
- Voltage - Test: 4.5V
- Коэффициент шума: 1dB
- Номинальный ток: 1A
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Broadcom Limited
- Package / Case: 8-WFDFN Exposed Pad
- Тип корпуса: 8-LPCC (2x2)
- Частота: 2GHz
- Номинальное напряжение: 7V
- Current - Test: 135mA
- Выходная мощность: 24.5dBm
- Тип транзистора: E-pHEMT
- Усиление: 20dB
- Voltage - Test: 4V
- Коэффициент шума: 0.6dB
- Номинальный ток: 300mA
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Broadcom Limited
- Package / Case: 8-WFDFN Exposed Pad
- Тип корпуса: 8-LPCC (2x2)
- Частота: 2GHz
- Номинальное напряжение: 7V
- Current - Test: 200mA
- Выходная мощность: 26.5dBm
- Тип транзистора: pHEMT FET
- Усиление: 17dB
- Voltage - Test: 4.5V
- Коэффициент шума: 1.5dB
- Номинальный ток: 500mA
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Broadcom Limited
- Package / Case: 8-WFDFN Exposed Pad
- Тип корпуса: 8-LPCC (2x2)
- Частота: 2GHz
- Номинальное напряжение: 7V
- Current - Test: 280mA
- Выходная мощность: 29dBm
- Тип транзистора: E-pHEMT
- Усиление: 15dB
- Voltage - Test: 4.5V
- Коэффициент шума: 1dB
- Номинальный ток: 1A
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Broadcom Limited
- Package / Case: 8-WFDFN Exposed Pad
- Тип корпуса: 8-LPCC (2x2)
- Частота: 2GHz
- Номинальное напряжение: 7V
- Current - Test: 135mA
- Выходная мощность: 24.5dBm
- Тип транзистора: E-pHEMT
- Усиление: 20dB
- Voltage - Test: 4V
- Коэффициент шума: 0.6dB
- Номинальный ток: 300mA
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Broadcom Limited
- Package / Case: 8-WFDFN Exposed Pad
- Тип корпуса: 8-LPCC (2x2)
- Частота: 2GHz
- Номинальное напряжение: 7V
- Current - Test: 200mA
- Выходная мощность: 30dBm
- Тип транзистора: E-pHEMT
- Усиление: 14.8dB
- Voltage - Test: 4.5V
- Коэффициент шума: 1.4dB
- Номинальный ток: 1A
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Broadcom Limited
- Package / Case: 8-WFDFN Exposed Pad
- Тип корпуса: 8-LPCC (2x2)
- Частота: 2GHz
- Номинальное напряжение: 7V
- Current - Test: 200mA
- Выходная мощность: 30dBm
- Тип транзистора: E-pHEMT
- Усиление: 14.8dB
- Voltage - Test: 4.5V
- Коэффициент шума: 1.4dB
- Номинальный ток: 1A
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Broadcom Limited
- Package / Case: 8-WFDFN Exposed Pad
- Тип корпуса: 8-LPCC (2x2)
- Частота: 2GHz
- Номинальное напряжение: 7V
- Current - Test: 200mA
- Выходная мощность: 26.5dBm
- Тип транзистора: pHEMT FET
- Усиление: 17dB
- Voltage - Test: 4.5V
- Коэффициент шума: 1.5dB
- Номинальный ток: 500mA
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
- 10
- 15
- 50
- 100