• Package / Case
    • Тип транзистора
    • Технология
    • Рабочая температура
    • Тип канала
    • Усиление
    • Коэффициент шума
    • Рассеиваемая мощность (Макс)
    • Напряжение сток-исток (Vdss)
    • Voltage - Test
    • Current - Test
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C
    • FET Feature
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds
    • Напряжение затвора (макс)
    • Серия
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100
Списком Таблицей
Найдено: 84
Наименование Описание Производитель
Тип корпуса
Выходная мощность
Частота
Номинальное напряжение
Номинальный ток
Package / Case
Тип транзистора
Усиление
Voltage - Test
Current - Test
Серия
BLF10M6200U RF FET LDMOS 65V 20DB SOT502A Ampleon USA Inc. LDMOST 40W 871.5MHz ~ 891.5MHz 65V SOT-502A LDMOS 20dB 28V 1.4A
BLF6G05LS-200RN,11 RF FET LDMOS 65V 24DB SOT502B Ampleon USA Inc. LDMOST 40W 460MHz ~ 470MHz 65V 49A SOT-502B LDMOS 24dB 28V 1.4A
BLA6G1011LS-200RG, RF FET LDMOS 65V 20DB SOT502C Ampleon USA Inc. LDMOST 200W 1.03GHz ~ 1.09GHz 65V 49A SOT-502C LDMOS 20dB 28V 100mA
CLF1G0035S-100PU RF FET HEMT 150V 14DB SOT1228B Ampleon USA Inc. LDMOST 100W 3GHz 150V SOT-1228B HEMT 14dB 50V 100mA
BLF6G13LS-250P,112 RF FET LDMOS 100V 17DB SOT1121B Ampleon USA Inc. LDMOST 250W 1.3GHz 100V SOT-1121B LDMOS 17dB 50V 100mA
BLF6G05LS-200RN:11 RF FET LDMOS 65V 24DB SOT502B Ampleon USA Inc. LDMOST 40W 460MHz ~ 470MHz 65V 49A SOT-502B LDMOS 24dB 28V 1.4A
BLF2425M7L100J RF FET LDMOS 65V 18DB SOT502A Ampleon USA Inc. LDMOST 20W 2.3GHz ~ 2.4GHz 65V SOT-502A LDMOS 18dB 28V 900mA
BLF2425M7L100U RF FET LDMOS 65V 18DB SOT502A Ampleon USA Inc. LDMOST 20W 2.3GHz ~ 2.4GHz 65V SOT-502A LDMOS 18dB 28V 900mA
BLA6G1011L-200RG,1 RF FET LDMOS 65V 20DB SOT502D Ampleon USA Inc. LDMOST 200W 1.03GHz ~ 1.09GHz 65V 49A SOT-502D LDMOS 20dB 28V 100mA
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100