-
- Package / Case
- Тип транзистора
- Технология
- Рабочая температура
- Тип канала
- Усиление
- Коэффициент шума
- Рассеиваемая мощность (Макс)
- Напряжение сток-исток (Vdss)
- Voltage - Test
- Current - Test
- Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C
- FET Feature
- Rds On (Max) @ Id, Vgs
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
- Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id
- Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds
- Напряжение затвора (макс)
- Серия
| Наименование | Описание | Производитель
|
Тип корпуса
|
Выходная мощность
|
Частота
|
Номинальное напряжение
|
Номинальный ток
|
Package / Case
|
Тип транзистора
|
Усиление
|
Voltage - Test
|
Current - Test
|
Серия
|
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| BLA6G1011L-200RG,1 | RF FET LDMOS 65V 20DB SOT502D | Ampleon USA Inc. | LDMOST | 200W | 1.03GHz ~ 1.09GHz | 65V | 49A | SOT-502D | LDMOS | 20dB | 28V | 100mA | |
| BLF872,112 | RF FET LDMOS 65V SOT800 | Ampleon USA Inc. | LDMOST | 300W | 65V | 41A | SOT-800-1 | LDMOS | 32V | 900mA | |||
| BLF647PS,112 | RF FET LDMOS 65V 17DB SOT1121B | Ampleon USA Inc. | LDMOST | 200W | 1.3GHz | 65V | SOT-1121B | LDMOS (Dual), Common Source | 17.5dB | 32V | 100mA | ||
| BLF8G20LS-200V | RF FET | Ampleon USA Inc. | LDMOST | 200W | 1.8GHz ~ 2GHz | 65V | 4.2µA | SOT-1120B | LDMOS | 17.5dB | 28V | 1.6A | |
| BLF7G27LS-90P,118 | RF FET LDMOS 65V 18.5DB SOT1121B | Ampleon USA Inc. | LDMOST | 16W | 2.5GHz ~ 2.7GHz | 65V | 18A | SOT-1121B | LDMOS (Dual), Common Source | 18.5dB | 28V | 720mA |
- 10
- 15
- 50
- 100