Полупроводники, Транзисторы, FET, MOSFET Alpha & Omega Semiconductor Inc. 8-TSSOP
-
- Package / Case
- Тип транзистора
- Технология
- Рабочая температура
- Тип полевого транзистора
- Усиление
- Коэффициент шума
- Рассеиваемая мощность (Макс)
- Напряжение сток-исток (Vdss)
- Voltage - Test
- Current - Test
- Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C
- FET Feature
- Rds On (Max) @ Id, Vgs
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
- Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id
- Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds
- Напряжение затвора (макс)
- Серия
-
- Производитель: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
- Тип корпуса: 8-TSSOP
- Тип полевого транзистора: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
- FET Feature: Logic Level Gate
- Напряжение сток-исток (Vdss): 20V
- Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 7A
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 7A, 4.5V
- Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
- Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 14nC @ 4.5V
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 1295pF @ 10V
- Мощность - Макс.: 1.5W
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
- Тип корпуса: 8-TSSOP
- Тип полевого транзистора: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
- FET Feature: Logic Level Gate
- Напряжение сток-исток (Vdss): 30V
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 7A, 10V
- Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
- Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 14nC @ 4.5V
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 1060pF @ 15V
- Мощность - Макс.: 1.5W
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
- Тип корпуса: 8-TSSOP
- Тип полевого транзистора: 2 P-Channel (Dual) Common Drain
- FET Feature: Standard
- Напряжение сток-исток (Vdss): 20V
- Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 5.1A (Ta)
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 5.1A, 4.5V
- Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
- Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 4.5V
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 930pF @ 10V
- Мощность - Макс.: 1.5W (Ta)
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
- Тип корпуса: 8-TSSOP
- Тип полевого транзистора: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
- FET Feature: Logic Level Gate
- Напряжение сток-исток (Vdss): 20V
- Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 7A
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 7A, 10V
- Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
- Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 9nC @ 4.5V
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 500pF @ 10V
- Мощность - Макс.: 1.5W
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
- Тип корпуса: 8-TSSOP
- Тип полевого транзистора: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
- FET Feature: Logic Level Gate
- Напряжение сток-исток (Vdss): 20V
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 7.5A, 10V
- Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 1V @ 250µA
- Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 15.4nC @ 4.5V
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 1390pF @ 10V
- Мощность - Макс.: 1.5W
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
- Тип корпуса: 8-TSSOP
- Тип полевого транзистора: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
- FET Feature: Logic Level Gate
- Напряжение сток-исток (Vdss): 20V
- Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 7A
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 7A, 4.5V
- Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
- Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 14nC @ 4.5V
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 1295pF @ 10V
- Мощность - Макс.: 1.5W
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Тип корпуса: 8-TSSOP
- Тип полевого транзистора: 2 P-Channel (Dual)
- FET Feature: Standard
- Напряжение сток-исток (Vdss): 20V
- Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 4.7A (Ta)
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 4.7A, 4.5V
- Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 1V @ 250µA
- Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 17.2nC @ 10V
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 1450pF @ 10V
- Мощность - Макс.: 1.4W
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
- Тип корпуса: 8-TSSOP
- Тип полевого транзистора: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
- FET Feature: Logic Level Gate
- Напряжение сток-исток (Vdss): 20V
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 8A, 10V
- Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 1V @ 250µA
- Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 17.9nC @ 4.5V
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 1810pF @ 10V
- Мощность - Макс.: 1.5W
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
- Тип корпуса: 8-TSSOP
- Тип полевого транзистора: 2 P-Channel (Dual)
- FET Feature: Logic Level Gate
- Напряжение сток-исток (Vdss): 20V
- Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 4.5A
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 4.5A, 4.5V
- Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
- Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 4.5V
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 905pF @ 10V
- Мощность - Макс.: 1.5W
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
- Тип корпуса: 8-TSSOP
- Тип полевого транзистора: 2 N-Channel (Dual)
- FET Feature: Logic Level Gate
- Напряжение сток-исток (Vdss): 20V
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 8A, 10V
- Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 1V @ 250µA
- Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 17.9nC @ 4.5V
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 1810pF @ 10V
- Мощность - Макс.: 1.4W
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
- Тип корпуса: 8-TSSOP
- Тип полевого транзистора: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
- FET Feature: Logic Level Gate
- Напряжение сток-исток (Vdss): 20V
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 8A, 10V
- Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 1V @ 250µA
- Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 17.9nC @ 4.5V
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 1810pF @ 10V
- Мощность - Макс.: 1.5W
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
- Тип корпуса: 8-TSSOP
- Тип полевого транзистора: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
- FET Feature: Logic Level Gate
- Напряжение сток-исток (Vdss): 20V
- Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 7A
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 7A, 10V
- Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 1V @ 250µA
- Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 10V
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 780pF @ 10V
- Мощность - Макс.: 1.5W
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
- Тип корпуса: 8-TSSOP
- Тип полевого транзистора: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
- FET Feature: Logic Level Gate
- Напряжение сток-исток (Vdss): 20V
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 7.5A, 10V
- Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 1V @ 250µA
- Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 15.4nC @ 4.5V
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 1390pF @ 10V
- Мощность - Макс.: 1.5W
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
- Тип корпуса: 8-TSSOP
- Тип полевого транзистора: 2 P-Channel (Dual)
- FET Feature: Logic Level Gate
- Напряжение сток-исток (Vdss): 20V
- Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 4.5A
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 4.5A, 4.5V
- Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
- Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 4.5V
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 905pF @ 10V
- Мощность - Макс.: 1.5W
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
- Тип корпуса: 8-TSSOP
- Тип полевого транзистора: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
- FET Feature: Logic Level Gate
- Напряжение сток-исток (Vdss): 20V
- Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 7A
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 7A, 10V
- Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 1V @ 250µA
- Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 10V
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 780pF @ 10V
- Мощность - Макс.: 1.5W
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
- 10
- 15
- 50
- 100