• Package / Case
    • Тип транзистора
    • Технология
    • Рабочая температура
    • Тип канала
    • Усиление
    • Коэффициент шума
    • Рассеиваемая мощность (Макс)
    • Напряжение сток-исток (Vdss)
    • Voltage - Test
    • Current - Test
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C
    • FET Feature
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds
    • Напряжение затвора (макс)
    • Серия
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100
Списком Таблицей
Найдено: 260
  • AOSP32320C
    MOSFET N-CH 8SOIC
    Alpha & Omega Semiconductor Inc.
    • Производитель: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
    • Тип корпуса: 8-SOIC
    • Тип канала: N-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 30V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 8.5A (Ta)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 8.5A, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 650pF @ 15V
    • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 2.5W (Ta)
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
    • Напряжение затвора (макс): ±20V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • AO4629
    MOSFET N/P-CH 30V 6A/5.5A 8SOIC
    Alpha & Omega Semiconductor Inc.
    • Производитель: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
    • Тип корпуса: 8-SOIC
    • Тип канала: N and P-Channel, Common Drain
    • FET Feature: Logic Level Gate
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 30V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 6A, 5.5A
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 6A, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 6.3nC @ 10V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 310pF @ 15V
    • Мощность - Макс.: 2W
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • AO4946
    MOSFET 2N-CH 30V 8.6A 8-SOIC
    Alpha & Omega Semiconductor Inc.
    • Производитель: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
    • Серия: SRFET™
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
    • Тип корпуса: 8-SOIC
    • Тип канала: 2 N-Channel (Dual)
    • FET Feature: Logic Level Gate
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 30V
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 8.6A, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 31nC @ 10V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 1885pF @ 15V
    • Мощность - Макс.: 2W
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • AO4444
    MOSFET N-CH 80V 11A 8-SOIC
    Alpha & Omega Semiconductor Inc.
    • Производитель: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
    • Серия: SDMOS™
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
    • Тип корпуса: 8-SOIC
    • Тип канала: N-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 80V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 11A, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 46nC @ 10V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 2865pF @ 40V
    • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 3.1W (Ta)
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
    • Напряжение затвора (макс): ±25V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • AO4840
    MOSFET 2N-CH 40V 6A 8-SOIC
    Alpha & Omega Semiconductor Inc.
    • Производитель: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
    • Тип корпуса: 8-SOIC
    • Тип канала: 2 N-Channel (Dual)
    • FET Feature: Logic Level Gate
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 40V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 6A
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 6A, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 3V @ 250µA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 10.8nC @ 10V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 650pF @ 20V
    • Мощность - Макс.: 2W
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • AO9926B
    MOSFET 2N-CH 20V 7.6A 8-SOIC
    Alpha & Omega Semiconductor Inc.
    • Производитель: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
    • Тип корпуса: 8-SOIC
    • Тип канала: 2 N-Channel (Dual)
    • FET Feature: Logic Level Gate
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 20V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 7.6A
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 7.6A, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 12.5nC @ 10V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 630pF @ 15V
    • Мощность - Макс.: 2W
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • AO4842L
    MOSFET 2N-CH 30V 7.7A 8-SOIC
    Alpha & Omega Semiconductor Inc.
    • Производитель: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
    • Тип корпуса: 8-SOIC
    • Тип канала: 2 N-Channel (Dual)
    • FET Feature: Logic Level Gate
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 30V
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 7.5A, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 2.6V @ 250µA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 10V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 448pF @ 15V
    • Мощность - Макс.: 2W
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • AO4821
    MOSFET 2P-CH 12V 9A 8SOIC
    Alpha & Omega Semiconductor Inc.
    • Производитель: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
    • Тип корпуса: 8-SOIC
    • Тип канала: 2 P-Channel (Dual)
    • FET Feature: Logic Level Gate
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 12V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 9A
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 9A, 4.5V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 850mV @ 250µA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 23nC @ 4.5V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 2100pF @ 6V
    • Мощность - Макс.: 2W
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • AO4771L
    MOSFET P-CH W/DIODE 8SOIC
    Alpha & Omega Semiconductor Inc.
    • Производитель: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
    • Тип корпуса: 8-SOIC
    • Тип канала: P-Channel
    • FET Feature: Schottky Diode (Body)
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 30V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 68mOhm @ 4A, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 7nC @ 10V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 350pF @ 15V
    • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 2W (Ta)
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
    • Напряжение затвора (макс): ±20V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • AO4801AL_001
    MOSFET 2P-CH 30V 5A 8SOIC
    Alpha & Omega Semiconductor Inc.
    • Производитель: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
    • Тип корпуса: 8-SOIC
    • Тип канала: 2 P-Channel (Dual)
    • FET Feature: Logic Level Gate
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 30V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 5A
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 5A, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 9nC @ 4.5V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 780pF @ 15V
    • Мощность - Макс.: 2W
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • AO4818B
    MOSFET 2N-CH 30V 8A 8-SOIC
    Alpha & Omega Semiconductor Inc.
    • Производитель: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
    • Тип корпуса: 8-SOIC
    • Тип канала: 2 N-Channel (Dual)
    • FET Feature: Logic Level Gate
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 30V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 8A
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 8A, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 10V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 888pF @ 15V
    • Мощность - Макс.: 2W
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • AO4805L_101
    MOSFET 2P-CH 30V 9A 8-SOIC
    Alpha & Omega Semiconductor Inc.
    • Производитель: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
    • Тип корпуса: 8-SOIC
    • Тип канала: 2 P-Channel (Dual)
    • FET Feature: Logic Level Gate
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 30V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 9A
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 8A, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 39nC @ 10V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 2600pF @ 15V
    • Мощность - Макс.: 2W
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • AO4292
    MOSFET N-CH 100V 8A 8-SO
    Alpha & Omega Semiconductor Inc.
    • Производитель: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
    • Серия: AlphaMOS
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
    • Тип корпуса: 8-SOIC
    • Тип канала: N-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 100V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 8A (Ta)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 8A, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 10V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 1190pF @ 50V
    • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 3.1W (Ta)
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
    • Напряжение затвора (макс): ±20V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • AO4466L
    MOSFET N-CH 30V 8SOIC
    Alpha & Omega Semiconductor Inc.
    • Производитель: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
    • Тип корпуса: 8-SOIC
    • Тип канала: N-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 30V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 9.4A (Ta)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 9.4A, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 3V @ 250µA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 10V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 820pF @ 15V
    • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 3.1W (Ta)
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
    • Напряжение затвора (макс): ±20V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • AO4423L_102
    MOSFET P-CH 30V 8SOIC
    Alpha & Omega Semiconductor Inc.
    • Производитель: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
    • Тип корпуса: 8-SOIC
    • Тип канала: P-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 30V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 15A (Ta)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 15A, 20V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 98nC @ 10V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 5560pF @ 15V
    • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 3.1W (Ta)
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 20V
    • Напряжение затвора (макс): ±25V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100