-
- Package / Case
- Тип транзистора
- Технология
- Рабочая температура
- Тип канала
- Усиление
- Коэффициент шума
- Рассеиваемая мощность (Макс)
- Напряжение сток-исток (Vdss)
- Voltage - Test
- Current - Test
- Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C
- FET Feature
- Rds On (Max) @ Id, Vgs
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
- Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id
- Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds
- Напряжение затвора (макс)
- Серия
-
- Производитель: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
- Тип корпуса: 8-SO
- Тип канала: P-Channel
- Напряжение сток-исток (Vdss): 30V
- Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta)
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 6.5A, 10V
- Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
- Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 16nC @ 10V
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 830pF @ 15V
- Технология: MOSFET (Metal Oxide)
- Рассеиваемая мощность (Макс): 3.1W (Ta)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
- Напряжение затвора (макс): ±20V
-
- Производитель: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
- Тип корпуса: 8-SO
- Тип канала: N-Channel
- Напряжение сток-исток (Vdss): 30V
- Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 10A, 10V
- Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 2.6V @ 250µA
- Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 8.6nC @ 10V
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 448pF @ 15V
- Технология: MOSFET (Metal Oxide)
- Рассеиваемая мощность (Макс): 3.1W (Ta)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
- Напряжение затвора (макс): ±20V
-
- Производитель: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
- Серия: SDMOS™
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
- Тип корпуса: 8-SO
- Тип канала: N-Channel
- Напряжение сток-исток (Vdss): 80V
- Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 10A, 10V
- Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 4.2V @ 250µA
- Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 34nC @ 10V
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 2005pF @ 40V
- Технология: MOSFET (Metal Oxide)
- Рассеиваемая мощность (Макс): 3.1W (Ta)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
- Напряжение затвора (макс): ±25V
-
- Производитель: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
- Тип корпуса: 8-SO
- Тип канала: P-Channel
- Напряжение сток-исток (Vdss): 30V
- Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 7A, 10V
- Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
- Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 16nC @ 10V
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 910pF @ 15V
- Технология: MOSFET (Metal Oxide)
- Рассеиваемая мощность (Макс): 3.1W (Ta)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
- Напряжение затвора (макс): ±20V
-
- Производитель: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
- Тип корпуса: 8-SO
- Тип канала: N-Channel
- Напряжение сток-исток (Vdss): 100V
- Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 11.5A (Ta)
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 11.5A, 10V
- Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
- Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 50nC @ 10V
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 2420pF @ 50V
- Технология: MOSFET (Metal Oxide)
- Рассеиваемая мощность (Макс): 3.1W (Ta)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
- Напряжение затвора (макс): ±20V
-
- Производитель: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
- Тип корпуса: 8-SO
- Тип канала: P-Channel
- Напряжение сток-исток (Vdss): 30V
- Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 15A (Ta)
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 15A, 20V
- Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
- Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 61nC @ 10V
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 3500pF @ 15V
- Технология: MOSFET (Metal Oxide)
- Рассеиваемая мощность (Макс): 3.1W (Ta)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 20V
- Напряжение затвора (макс): ±25V
-
- Производитель: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
- Тип корпуса: 8-SO
- Тип канала: N-Channel
- Напряжение сток-исток (Vdss): 30V
- Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 15A (Ta)
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.7mOhm @ 15A, 10V
- Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
- Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 10V
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 1380pF @ 15V
- Технология: MOSFET (Metal Oxide)
- Рассеиваемая мощность (Макс): 3.1W (Ta)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
- Напряжение затвора (макс): ±20V
-
- Производитель: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
- Тип корпуса: 8-SO
- Тип канала: P-Channel
- Напряжение сток-исток (Vdss): 40V
- Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 10A, 10V
- Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
- Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 55.4nC @ 10V
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 3000pF @ 20V
- Технология: MOSFET (Metal Oxide)
- Рассеиваемая мощность (Макс): 1.7W (Ta)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
- Напряжение затвора (макс): ±20V
-
- Производитель: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
- Тип корпуса: 8-SO
- Тип канала: N-Channel
- Напряжение сток-исток (Vdss): 60V
- Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 5A, 10V
- Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 3V @ 250µA
- Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5nC @ 4.5V
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 540pF @ 30V
- Технология: MOSFET (Metal Oxide)
- Рассеиваемая мощность (Макс): 2.5W (Ta)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
- Напряжение затвора (макс): ±20V
-
- Производитель: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
- Тип корпуса: 8-SO
- Тип канала: P-Channel
- Напряжение сток-исток (Vdss): 60V
- Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 6.2A (Ta)
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 6.2A, 10V
- Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 3V @ 250µA
- Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 55nC @ 10V
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 2900pF @ 30V
- Технология: MOSFET (Metal Oxide)
- Рассеиваемая мощность (Макс): 3.1W (Ta)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
- Напряжение затвора (макс): ±20V
-
- Производитель: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
- Тип корпуса: 8-SO
- Тип канала: N-Channel
- Напряжение сток-исток (Vdss): 30V
- Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 18A, 10V
- Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
- Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 36nC @ 10V
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 1900pF @ 15V
- Технология: MOSFET (Metal Oxide)
- Рассеиваемая мощность (Макс): 3.1W (Ta)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
- Напряжение затвора (макс): ±20V
-
- Производитель: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
- Тип корпуса: 8-SO
- Тип канала: P-Channel
- Напряжение сток-исток (Vdss): 30V
- Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 8A (Ta)
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 8A, 10V
- Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
- Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 16nC @ 10V
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 760pF @ 15V
- Технология: MOSFET (Metal Oxide)
- Рассеиваемая мощность (Макс): 3.1W (Ta)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
- Напряжение затвора (макс): ±20V
-
- Производитель: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
- Тип корпуса: 8-SO
- Тип канала: N-Channel
- Напряжение сток-исток (Vdss): 30V
- Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 15A (Ta)
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.7mOhm @ 15A, 10V
- Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
- Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 10V
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 1380pF @ 15V
- Технология: MOSFET (Metal Oxide)
- Рассеиваемая мощность (Макс): 3.1W (Ta)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
- Напряжение затвора (макс): ±20V
-
- Производитель: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
- Тип корпуса: 8-SO
- Тип канала: N-Channel
- Напряжение сток-исток (Vdss): 30V
- Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 15A (Ta)
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.7mOhm @ 15A, 10V
- Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
- Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 10V
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 1380pF @ 15V
- Технология: MOSFET (Metal Oxide)
- Рассеиваемая мощность (Макс): 3.1W (Ta)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
- Напряжение затвора (макс): ±20V
- 10
- 15
- 50
- 100