Найдено: 44
  • MOSFET P-CH 40V 10A 8SOIC
    Alpha & Omega Semiconductor Inc.
    • Производитель: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
    • Тип корпуса: 8-SO
    • Тип канала: P-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 40V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 10A, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 55nC @ 10V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 3000pF @ 20V
    • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 1.7W (Ta)
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
    • Напряжение затвора (макс): ±20V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • MOSFET P-CH 30V 6A
    Alpha & Omega Semiconductor Inc.
    • Производитель: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
    • Тип корпуса: 8-SO
    • Тип канала: P-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 30V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 6A, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 10V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 520pF @ 15V
    • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • MOSFET N-CHANNEL 60V 13.5A 8SO
    Alpha & Omega Semiconductor Inc.
    • Производитель: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
    • Серия: AlphaSGT™
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
    • Тип корпуса: 8-SO
    • Тип канала: N-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 60V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 13.5A (Ta)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.8mOhm @ 13.5A, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 13nC @ 4.5V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 1100pF @ 30V
    • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 3.1W (Ta)
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
    • Напряжение затвора (макс): ±20V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • MOSFET N-CH 60V 12A 8SOIC
    Alpha & Omega Semiconductor Inc.
    • Производитель: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
    • Тип корпуса: 8-SO
    • Тип канала: N-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 60V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 12A, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 40nC @ 10V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 2007pF @ 30V
    • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 3.1W (Ta)
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
    • Напряжение затвора (макс): ±20V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • MOSFET N-CH 60V 10A
    Alpha & Omega Semiconductor Inc.
    • Производитель: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
    • Тип корпуса: 8-SO
    • Тип канала: N-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 60V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 10A, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 1340pF @ 30V
    • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 3.1W (Ta)
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
    • Напряжение затвора (макс): ±20V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • MOSFET N-CHANNEL 75V 3.1A 8SO
    Alpha & Omega Semiconductor Inc.
    • Производитель: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
    • Тип корпуса: 8-SO
    • Тип канала: N-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 75V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 3.1A (Ta)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 3.1A, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 3V @ 250µA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 3.5nC @ 4.5V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 350pF @ 37.5V
    • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 3.1W (Ta)
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
    • Напряжение затвора (макс): ±25V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • MOSFET P-CH 30V 6A
    Alpha & Omega Semiconductor Inc.
    • Производитель: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
    • Тип корпуса: 8-SO
    • Тип канала: P-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 30V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 6A, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 10V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 520pF @ 15V
    • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 3.1W (Ta)
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
    • Напряжение затвора (макс): ±20V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • MOSFET N-CH 30V 16A 8SOIC
    Alpha & Omega Semiconductor Inc.
    • Производитель: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
    • Тип корпуса: 8-SO
    • Тип канала: N-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 30V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 16A (Ta)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2mOhm @ 16A, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 48nC @ 10V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 2170pF @ 15V
    • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 2.8W (Ta)
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
    • Напряжение затвора (макс): ±20V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • MOSFET N-CHANNEL 60V 11A 8SO
    Alpha & Omega Semiconductor Inc.
    • Производитель: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
    • Серия: AlphaSGT™
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
    • Тип корпуса: 8-SO
    • Тип канала: N-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 60V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 11A, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 4.5V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 755pF @ 30V
    • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 3.1W (Ta)
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
    • Напряжение затвора (макс): ±20V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • MOSFET N-CHANNEL 60V 16.5A 8SO
    Alpha & Omega Semiconductor Inc.
    • Производитель: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
    • Серия: AlphaSGT™
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
    • Тип корпуса: 8-SO
    • Тип канала: N-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 60V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 16.5A (Ta)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 16.5A, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 4.5V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 1652pF @ 30V
    • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 3.1W (Ta)
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
    • Напряжение затвора (макс): ±20V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • MOSFET N-CH 40V 7A 8SOIC
    Alpha & Omega Semiconductor Inc.
    • Производитель: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
    • Тип корпуса: 8-SO
    • Тип канала: N-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 40V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 7A, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 3V @ 250µA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 13nC @ 10V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 516pF @ 20V
    • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 3.1W (Ta)
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
    • Напряжение затвора (макс): ±20V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • MOSFET P-CH 30V 10.5A 8SOIC
    Alpha & Omega Semiconductor Inc.
    • Производитель: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
    • Тип корпуса: 8-SO
    • Тип канала: P-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 30V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 10.5A (Ta)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 11A, 20V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 3V @ 250µA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 10V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 1400pF @ 15V
    • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 3.1W (Ta)
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 20V
    • Напряжение затвора (макс): ±25V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • MOSFET N-CH 30V 15A 8-SOIC
    Alpha & Omega Semiconductor Inc.
    • Производитель: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
    • Тип корпуса: 8-SO
    • Тип канала: N-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 30V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 15A (Ta)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.7mOhm @ 15A, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 10V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 1380pF @ 15V
    • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 3.1W (Ta)
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
    • Напряжение затвора (макс): ±20V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • MOSFET N/P-CH 40V 6A/5A 8SOIC
    Alpha & Omega Semiconductor Inc.
    • Производитель: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
    • Тип корпуса: 8-SO
    • Тип канала: N and P-Channel
    • FET Feature: Logic Level Gate
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 40V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 6A, 5A
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 6A, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 3V @ 250µA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 10.8nC @ 10V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 650pF @ 20V
    • Мощность - Макс.: 2W
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • MOSFET P-CH 30V 10.5A 8SOIC
    Alpha & Omega Semiconductor Inc.
    • Производитель: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
    • Тип корпуса: 8-SO
    • Тип канала: P-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 30V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 10.5A (Ta)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 11A, 20V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 3V @ 250µA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 10V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 1400pF @ 15V
    • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 3.1W (Ta)
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 20V
    • Напряжение затвора (макс): ±25V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием: