-
- Package / Case
- Тип транзистора
- Технология
- Рабочая температура
- Тип канала
- Усиление
- Коэффициент шума
- Рассеиваемая мощность (Макс)
- Напряжение сток-исток (Vdss)
- Voltage - Test
- Current - Test
- Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C
- FET Feature
- Rds On (Max) @ Id, Vgs
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
- Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id
- Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds
- Напряжение затвора (макс)
- Серия
| Наименование | Описание | Производитель
|
Тип корпуса
|
Мощность - Макс.
|
Вид монтажа
|
Package / Case
|
Технология
|
Рабочая температура
|
Тип канала
|
Рассеиваемая мощность (Макс)
|
Напряжение сток-исток (Vdss)
|
Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C
|
FET Feature
|
Rds On (Max) @ Id, Vgs
|
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
|
Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id
|
Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs
|
Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds
|
Напряжение затвора (макс)
|
Серия
|
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| AON7820 | MOSFET 2N-CH 20V 8DFN | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | 8-DFN-EP (3x3) | 3.1W | Surface Mount | 8-PowerVDFN | -55°C ~ 150°C (TJ) | 2 N-Channel (Dual) Common Drain | 20V | Logic Level Gate | 1V @ 250µA | 22nC @ 4.5V | 2065pF @ 10V | |||||||
| AON7246E | MOSFET N-CHANNEL 60V 13A 8DFN | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | 8-DFN-EP (3x3) | Surface Mount | 8-PowerVDFN | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | N-Channel | 24W (Tc) | 60V | 13A (Ta) | 13.2mOhm @ 13A, 10V | 4.5V, 10V | 2.2V @ 250µA | 10nC @ 4.5V | 755pF @ 30V | ±20V | AlphaSGT™ | ||
| AONR36326C | MOSFET LV N-CH 8DFN 3X3 EP | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | 8-DFN-EP (3x3) | Surface Mount | 8-PowerVDFN | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | N-Channel | 3.1W (Ta), 20.5W (Tc) | 30V | 12A (Ta), 12A (Tc) | 9.8mOhm @ 12A, 10V | 4.5V, 10V | 2.3V @ 250µA | 15nC @ 10V | 540pF @ 15V | ±20V | |||
| AON7401L | MOSFET P-CH 30V 8DFN | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | 8-DFN-EP (3x3) | Surface Mount | 8-PowerVDFN | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | P-Channel | 1.6W (Ta), 27W (Tc) | 30V | 9A (Ta), 20A (Tc) | 14mOhm @ 9A, 20V | 6V, 10V | 3V @ 250µA | 39nC @ 10V | 2600pF @ 15V | ±25V |
- 10
- 15
- 50
- 100