-
- Package / Case
- Тип транзистора
- Технология
- Рабочая температура
- Тип канала
- Усиление
- Коэффициент шума
- Рассеиваемая мощность (Макс)
- Напряжение сток-исток (Vdss)
- Voltage - Test
- Current - Test
- Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C
- FET Feature
- Rds On (Max) @ Id, Vgs
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
- Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id
- Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds
- Напряжение затвора (макс)
- Серия
-
- Производитель: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
- Серия: AlphaMOS
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: 8-PowerVDFN
- Тип корпуса: 8-DFN-EP (3x3)
- Тип канала: N-Channel
- Напряжение сток-исток (Vdss): 30V
- Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 45A (Ta), 75A (Tc)
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.25mOhm @ 20A, 10V
- Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 2V @ 250µA
- Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 140nC @ 10V
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 4500pF @ 15V
- Технология: MOSFET (Metal Oxide)
- Рассеиваемая мощность (Макс): 4.1W (Ta), 46W (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
- Напряжение затвора (макс): ±20V
-
- Производитель: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
- Серия: AlphaMOS
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: 8-PowerVDFN
- Тип корпуса: 8-DFN-EP (3x3)
- Тип канала: N-Channel
- Напряжение сток-исток (Vdss): 30V
- Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 30A (Tc)
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 20A, 10V
- Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
- Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 10V
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 1128pF @ 15V
- Технология: MOSFET (Metal Oxide)
- Рассеиваемая мощность (Макс): 4.2W (Ta), 24W (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
- Напряжение затвора (макс): ±20V
-
- Производитель: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: 8-PowerVDFN
- Тип корпуса: 8-DFN-EP (3x3)
- Тип канала: N-Channel
- Напряжение сток-исток (Vdss): 30V
- Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 40A (Tc)
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 18A, 10V
- Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 2.35V @ 250µA
- Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 40nC @ 10V
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 2120pF @ 15V
- Технология: MOSFET (Metal Oxide)
- Рассеиваемая мощность (Макс): 3.1W (Ta), 29W (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
- Напряжение затвора (макс): ±20V
-
- Производитель: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
- Серия: AlphaMOS
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: 8-PowerVDFN
- Тип корпуса: 8-DFN-EP (3x3)
- Тип канала: N-Channel
- Напряжение сток-исток (Vdss): 30V
- Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 20A, 10V
- Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
- Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 22.5nC @ 10V
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 951pF @ 15V
- Технология: MOSFET (Metal Oxide)
- Рассеиваемая мощность (Макс): 23W (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
- Напряжение затвора (макс): ±20V
-
- Производитель: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: 8-PowerVDFN
- Тип корпуса: 8-DFN-EP (3x3)
- Тип канала: N-Channel
- Напряжение сток-исток (Vdss): 30V
- Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 15.8A (Ta), 40A (Tc)
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 20A, 10V
- Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
- Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 1300pF @ 15V
- Технология: MOSFET (Metal Oxide)
- Рассеиваемая мощность (Макс): 3.1W (Ta), 62W (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
- Напряжение затвора (макс): ±20V
-
- Производитель: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: 8-PowerVDFN
- Тип корпуса: 8-DFN-EP (3x3)
- Тип канала: N-Channel
- Напряжение сток-исток (Vdss): 30V
- Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 40A (Tc)
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 18A, 10V
- Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
- Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 26nC @ 10V
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 1440pF @ 15V
- Технология: MOSFET (Metal Oxide)
- Рассеиваемая мощность (Макс): 4.1W (Ta), 24W (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
- Напряжение затвора (макс): ±20V
-
- Производитель: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: 8-PowerVDFN
- Тип корпуса: 8-DFN-EP (3x3)
- Тип канала: N-Channel
- Напряжение сток-исток (Vdss): 30V
- Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 13.5A (Ta), 39A (Tc)
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 20A, 10V
- Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
- Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 17.8nC @ 10V
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 770pF @ 15V
- Технология: MOSFET (Metal Oxide)
- Рассеиваемая мощность (Макс): 3.1W (Ta), 26W (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
- Напряжение затвора (макс): ±20V
-
- Производитель: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: 8-WDFN Exposed Pad
- Тип корпуса: 8-DFN-EP (3x3)
- Тип канала: 2 N-Channel (Half Bridge)
- FET Feature: Logic Level Gate
- Напряжение сток-исток (Vdss): 30V
- Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 6.6A, 8.1A
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 6.6A, 10V
- Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
- Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5nC @ 10V
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 460pF @ 15V
- Мощность - Макс.: 1.4W
-
- Производитель: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: 8-PowerVDFN
- Тип корпуса: 8-DFN-EP (3x3)
- Тип канала: N-Channel
- Напряжение сток-исток (Vdss): 30V
- Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 12.5A (Ta), 20A (Tc)
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 8A, 10V
- Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
- Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 10V
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 595pF @ 15V
- Технология: MOSFET (Metal Oxide)
- Рассеиваемая мощность (Макс): 4.1W (Ta), 15.5W (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
- Напряжение затвора (макс): ±20V
-
- Производитель: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: 8-PowerVDFN
- Тип корпуса: 8-DFN-EP (3x3)
- Тип канала: P-Channel
- Напряжение сток-исток (Vdss): 30V
- Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 35A (Tc)
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 9A, 10V
- Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 3V @ 250µA
- Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 39nC @ 10V
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 2600pF @ 15V
- Технология: MOSFET (Metal Oxide)
- Рассеиваемая мощность (Макс): 3.1W (Ta), 29W (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
- Напряжение затвора (макс): ±25V
-
- Производитель: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
- Серия: AlphaMOS
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: 8-PowerVDFN
- Тип корпуса: 8-DFN-EP (3x3)
- Тип канала: N-Channel
- Напряжение сток-исток (Vdss): 30V
- Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 20A, 10V
- Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
- Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 80nC @ 10V
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 3020pF @ 15V
- Технология: MOSFET (Metal Oxide)
- Рассеиваемая мощность (Макс): 30W (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
- Напряжение затвора (макс): ±20V
-
- Производитель: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: 8-PowerVDFN
- Тип корпуса: 8-DFN-EP (3x3)
- Тип канала: N-Channel
- Напряжение сток-исток (Vdss): 30V
- Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 7.5A (Ta), 20A (Ta)
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 9A, 10V
- Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 3V @ 250µA
- Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 8nC @ 4.5V
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 820pF @ 15V
- Технология: MOSFET (Metal Oxide)
- Рассеиваемая мощность (Макс): 1.7W (Ta), 20W (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
- Напряжение затвора (макс): ±20V
-
- Производитель: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: 8-PowerVDFN
- Тип корпуса: 8-DFN-EP (3x3)
- Тип канала: N-Channel
- Напряжение сток-исток (Vdss): 30V
- Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 40A (Tc)
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 18A, 10V
- Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
- Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 26nC @ 10V
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 1440pF @ 15V
- Технология: MOSFET (Metal Oxide)
- Рассеиваемая мощность (Макс): 4.1W (Ta), 24W (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
- Напряжение затвора (макс): ±20V
-
- Производитель: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: 8-PowerVDFN
- Тип корпуса: 8-DFN-EP (3x3)
- Тип канала: N-Channel
- Напряжение сток-исток (Vdss): 30V
- Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 20A (Tc)
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 20A, 10V
- Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
- Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 10V
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 910pF @ 15V
- Технология: MOSFET (Metal Oxide)
- Рассеиваемая мощность (Макс): 1.7W (Ta), 25W (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
- Напряжение затвора (макс): ±20V
-
- Производитель: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: 8-PowerVDFN
- Тип корпуса: 8-DFN-EP (3x3)
- Тип канала: N-Channel
- Напряжение сток-исток (Vdss): 20V
- Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 20A (Tc)
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3mOhm @ 20A, 4.5V
- Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA
- Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 45nC @ 4.5V
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 3300pF @ 10V
- Технология: MOSFET (Metal Oxide)
- Рассеиваемая мощность (Макс): 5W (Ta), 28W (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
- Напряжение затвора (макс): ±12V
- 10
- 15
- 50
- 100