• Package / Case
    • Тип транзистора
    • Технология
    • Рабочая температура
    • Тип канала
    • Усиление
    • Коэффициент шума
    • Рассеиваемая мощность (Макс)
    • Напряжение сток-исток (Vdss)
    • Voltage - Test
    • Current - Test
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C
    • FET Feature
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds
    • Напряжение затвора (макс)
    • Серия
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100
Списком Таблицей
Найдено: 82
  • AON3611
    MOSFET N/P-CH 30V 5A/6A 8DFN
    Alpha & Omega Semiconductor Inc.
    • Производитель: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: 8-SMD, Flat Lead
    • Тип корпуса: 8-DFN (3x3)
    • Тип канала: N and P-Channel, Common Drain
    • FET Feature: Logic Level Gate
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 30V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 5A, 6A
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 5A, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 10V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 170pF @ 15V
    • Мощность - Макс.: 2.1W, 2.5W
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • AON7412
    MOSFET N-CH 30V 10A 8DFN
    Alpha & Omega Semiconductor Inc.
    • Производитель: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: 8-PowerVDFN
    • Тип корпуса: 8-DFN (3x3)
    • Тип канала: N-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 30V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 16A (Tc)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 10A, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 2V @ 250µA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 10V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 466pF @ 15V
    • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 3.1W (Ta), 20.8W (Tc)
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
    • Напряжение затвора (макс): ±25V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • AON7202L
    MOSFET N-CH 30V 20A 8DFN
    Alpha & Omega Semiconductor Inc.
    • Производитель: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: 8-PowerVDFN
    • Тип корпуса: 8-DFN (3x3)
    • Тип канала: N-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 30V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 40A (Tc)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 20A, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 33nC @ 10V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 2200pF @ 15V
    • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 3.1W (Ta), 36W (Tc)
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
    • Напряжение затвора (макс): ±20V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • AON7514
    MOSFET N-CH 30V 20A 8DFN
    Alpha & Omega Semiconductor Inc.
    • Производитель: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: 8-PowerVDFN
    • Тип корпуса: 8-DFN (3x3)
    • Тип канала: N-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 30V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 30A (Tc)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 20A, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 22.5nC @ 10V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 951pF @ 15V
    • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 3W (Ta), 23W (Tc)
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
    • Напряжение затвора (макс): ±20V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • AONU32320
    MOSFET 2N-CH 30V DFN 3X3 EP
    Alpha & Omega Semiconductor Inc.
    • Производитель: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: 8-PowerSMD, Flat Leads
    • Тип корпуса: 8-DFN (3x3)
    • Тип канала: 2 N-Channel (Dual)
    • FET Feature: Standard
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 30V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 15A (Tc)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 11A, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 40nC @ 10V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 1500pF @ 15V
    • Мощность - Макс.: 5W (Ta), 16.5W (Tc)
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • AON7246_101
    MOSFET N-CH 60V 34.5A 8DFN
    Alpha & Omega Semiconductor Inc.
    • Производитель: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: 8-PowerVDFN
    • Тип корпуса: 8-DFN (3x3)
    • Тип канала: N-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 60V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 34.5A (Tc)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 10A, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 4.5V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 1610pF @ 30V
    • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 34.7W (Tc)
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
    • Напряжение затвора (макс): ±20V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • AON7404
    MOSFET N-CH 20V 40A 8DFN
    Alpha & Omega Semiconductor Inc.
    • Производитель: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: 8-PowerVDFN
    • Тип корпуса: 8-DFN (3x3)
    • Тип канала: N-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 20V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 40A (Tc)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 20A, 4.5V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 43nC @ 10V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 4630pF @ 10V
    • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 3.1W (Ta), 40W (Tc)
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
    • Напряжение затвора (макс): ±12V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • AON7810
    MOSFET 2N-CH 30V 6A 8DFN
    Alpha & Omega Semiconductor Inc.
    • Производитель: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: 8-PowerSMD, Flat Leads
    • Тип корпуса: 8-DFN (3x3)
    • Тип канала: 2 N-Channel (Dual)
    • FET Feature: Logic Level Gate
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 30V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 6A
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 6A, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 12.2nC @ 10V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 542pF @ 15V
    • Мощность - Макс.: 3.1W
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • AON7502
    MOSFET N-CH 30V 21A 8DFN
    Alpha & Omega Semiconductor Inc.
    • Производитель: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: 8-PowerVDFN
    • Тип корпуса: 8-DFN (3x3)
    • Тип канала: N-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 30V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 30A (Tc)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 20A, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 3V @ 250µA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 10V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 1022pF @ 15V
    • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 3.1W (Ta), 31W (Tc)
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
    • Напряжение затвора (макс): ±25V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • AON7422E
    MOSFET N-CH 30V 20A 8DFN
    Alpha & Omega Semiconductor Inc.
    • Производитель: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: 8-PowerVDFN
    • Тип корпуса: 8-DFN (3x3)
    • Тип канала: N-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 30V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 40A (Tc)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 20A, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 50nC @ 10V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 2940pF @ 15V
    • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 3.1W (Ta), 36W (Tc)
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
    • Напряжение затвора (макс): ±20V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • AON7200
    MOSFET N-CH 30V 15.8A 8DFN
    Alpha & Omega Semiconductor Inc.
    • Производитель: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: 8-PowerVDFN
    • Тип корпуса: 8-DFN (3x3)
    • Тип канала: N-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 30V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 15.8A (Ta), 40A (Tc)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 20A, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 1300pF @ 15V
    • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 3.1W (Ta), 62W (Tc)
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
    • Напряжение затвора (макс): ±20V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • AON7400AL_101
    MOSFET N-CH 30V DFN
    Alpha & Omega Semiconductor Inc.
    • Производитель: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: 8-SMD, Flat Lead
    • Тип корпуса: 8-DFN (3x3)
    • Тип канала: N-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 30V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 40A (Tc)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 20A, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 10V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 1380pF @ 15V
    • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 3.1W (Ta), 25W (Tc)
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
    • Напряжение затвора (макс): ±20V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • AON7518
    MOSFET N-CH DFN 3X3
    Alpha & Omega Semiconductor Inc.
    • Производитель: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
    • Серия: AlphaMOS
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: 8-PowerVDFN
    • Тип корпуса: 8-DFN (3x3)
    • Тип канала: N-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 30V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 20A, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 10V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 1086pF @ 15V
    • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 3.1W (Ta), 23W (Tc)
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
    • Напряжение затвора (макс): ±20V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • AON7804
    MOSFET 2N-CH 30V 9A 8DFN
    Alpha & Omega Semiconductor Inc.
    • Производитель: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: 8-PowerSMD, Flat Leads
    • Тип корпуса: 8-DFN (3x3)
    • Тип канала: 2 N-Channel (Dual)
    • FET Feature: Logic Level Gate
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 30V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 9A
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 8A, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 10V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 888pF @ 15V
    • Мощность - Макс.: 3.1W
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • AON7568
    MOSFET N-CH 30V 25A
    Alpha & Omega Semiconductor Inc.
    • Производитель: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: 8-PowerVDFN
    • Тип корпуса: 8-DFN (3x3)
    • Тип канала: N-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 30V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 25A (Ta), 32A (Tc)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 20A, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 60nC @ 10V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 2270pF @ 15V
    • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 5W (Ta), 28W (Tc)
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
    • Напряжение затвора (макс): ±20V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100