• Package / Case
    • Тип транзистора
    • Технология
    • Рабочая температура
    • Тип канала
    • Усиление
    • Коэффициент шума
    • Рассеиваемая мощность (Макс)
    • Напряжение сток-исток (Vdss)
    • Voltage - Test
    • Current - Test
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C
    • FET Feature
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds
    • Напряжение затвора (макс)
    • Серия
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100
Списком Таблицей
Найдено: 82
  • AON3810
    MOSFET 2N-CH 20V 8.5A 8-DFN
    Alpha & Omega Semiconductor Inc.
    • Производитель: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: 8-SMD, Flat Lead
    • Тип корпуса: 8-DFN (3x3)
    • Тип канала: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
    • FET Feature: Logic Level Gate
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 20V
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 7A, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 1V @ 250µA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 5.2nC @ 4.5V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 280pF @ 10V
    • Мощность - Макс.: 2.5W
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • AON7450
    MOSFET N-CH 100V 21A 8DFN
    Alpha & Omega Semiconductor Inc.
    • Производитель: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
    • Серия: SDMOS™
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: 8-PowerVDFN
    • Тип корпуса: 8-DFN (3x3)
    • Тип канала: N-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 100V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 5.6A (Ta), 21A (Tc)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 7.8A, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 4.1V @ 250µA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 1090pF @ 50V
    • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 3.1W (Ta), 43W (Tc)
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
    • Напряжение затвора (макс): ±25V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • AON7804_102
    MOSFET 2N-CH 30V 9A 8DFN
    Alpha & Omega Semiconductor Inc.
    • Производитель: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: 8-PowerSMD, Flat Leads
    • Тип корпуса: 8-DFN (3x3)
    • Тип канала: 2 N-Channel (Dual)
    • FET Feature: Logic Level Gate
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 30V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 9A
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 8A, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 10V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 888pF @ 15V
    • Мощность - Макс.: 3.1W
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • AON3816
    MOSFET 2N-CH 20V 4A 8-DFN
    Alpha & Omega Semiconductor Inc.
    • Производитель: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: 8-SMD, Flat Lead
    • Тип корпуса: 8-DFN (3x3)
    • Тип канала: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
    • FET Feature: Logic Level Gate
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 20V
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 4A, 4.5V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 13nC @ 4.5V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 1100pF @ 10V
    • Мощность - Макс.: 2.5W
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • AON7460
    MOSFET N-CH 300V 1.2A 8DFN
    Alpha & Omega Semiconductor Inc.
    • Производитель: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -50°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: 8-PowerVDFN
    • Тип корпуса: 8-DFN (3x3)
    • Тип канала: N-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 300V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 1.2A (Ta), 4A (Tc)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 830mOhm @ 1.2A, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2nC @ 10V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 380pF @ 25V
    • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 3.1W (Ta), 33W (Tc)
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
    • Напряжение затвора (макс): ±30V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • AON7400
    MOSFET N-CH 30V 20A 8-DFN
    Alpha & Omega Semiconductor Inc.
    • Производитель: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: 8-PowerVDFN
    • Тип корпуса: 8-DFN (3x3)
    • Тип канала: N-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 30V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 26A (Tc)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.5mOhm @ 10A, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 28nC @ 10V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 1452pF @ 15V
    • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 3.1W (Ta), 35W (Tc)
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
    • Напряжение затвора (макс): ±12V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • AON7416
    MOSFET N-CH 30V 14A 8DFN
    Alpha & Omega Semiconductor Inc.
    • Производитель: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: 8-PowerVDFN
    • Тип корпуса: 8-DFN (3x3)
    • Тип канала: N-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 30V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 40A (Tc)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 20A, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 1.7V @ 250µA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 32nC @ 10V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 1900pF @ 15V
    • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 3.1W (Ta), 25W (Tc)
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
    • Напряжение затвора (макс): ±12V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • AON7700
    MOSFET N-CH 30V 20A 8-DFN
    Alpha & Omega Semiconductor Inc.
    • Производитель: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
    • Серия: SRFET™
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: 8-PowerVDFN
    • Тип корпуса: 8-DFN (3x3)
    • Тип канала: N-Channel
    • FET Feature: Schottky Diode (Body)
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 30V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 40A (Tc)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 12A, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 3V @ 250µA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 33nC @ 4.5V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 4250pF @ 15V
    • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 3.1W (Ta), 26W (Tc)
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
    • Напряжение затвора (макс): ±12V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • AON3818
    MOSFET 2N-CH 24V 8A
    Alpha & Omega Semiconductor Inc.
    • Производитель: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
    • Серия: AlphaMOS
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: 8-SMD, Flat Lead
    • Тип корпуса: 8-DFN (3x3)
    • Тип канала: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
    • FET Feature: Logic Level Gate
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 24V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 8A
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 8A, 4.5V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 4.5V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 840pF @ 12V
    • Мощность - Макс.: 2.7W
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • AON7702
    MOSFET N-CH 30V 20A 8-DFN
    Alpha & Omega Semiconductor Inc.
    • Производитель: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
    • Серия: SRFET™
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: 8-PowerVDFN
    • Тип корпуса: 8-DFN (3x3)
    • Тип канала: N-Channel
    • FET Feature: Schottky Diode (Body)
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 30V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 13.5A (Ta), 36A (Tc)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 13.5A, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 3V @ 250µA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 48nC @ 10V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 4250pF @ 15V
    • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 3.1W (Ta), 23W (Tc)
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
    • Напряжение затвора (макс): ±20V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • AON7754
    MOSFET N-CH 30V 24A 8DFN
    Alpha & Omega Semiconductor Inc.
    • Производитель: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
    • Серия: AlphaMOS
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: 8-PowerVDFN
    • Тип корпуса: 8-DFN (3x3)
    • Тип канала: N-Channel
    • FET Feature: Schottky Diode (Body)
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 30V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 32A (Tc)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 20A, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 40nC @ 10V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 1975pF @ 15V
    • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 3.1W (Ta), 70W (Tc)
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
    • Напряжение затвора (макс): ±20V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • AON7556
    MOSFET N-CH 30V 12A
    Alpha & Omega Semiconductor Inc.
    • Производитель: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
    • Серия: AlphaMOS
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: 8-PowerVDFN
    • Тип корпуса: 8-DFN (3x3)
    • Тип канала: N-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 30V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 12A (Tc)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 12A, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 10V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 600pF @ 15V
    • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 4.1W (Ta), 12.5W (Tc)
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
    • Напряжение затвора (макс): ±20V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • AON7522E
    MOSFET N-CH 30V 21A 8DFN
    Alpha & Omega Semiconductor Inc.
    • Производитель: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: 8-PowerVDFN
    • Тип корпуса: 8-DFN (3x3)
    • Тип канала: N-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 30V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 34A (Tc)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 20A, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 45nC @ 10V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 1540pF @ 15V
    • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 3.1W (Ta), 31W (Tc)
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
    • Напряжение затвора (макс): ±20V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • AON7436
    MOSFET N-CH 20V 9A 8DFN
    Alpha & Omega Semiconductor Inc.
    • Производитель: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: 8-PowerVDFN
    • Тип корпуса: 8-DFN (3x3)
    • Тип канала: N-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 20V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 23A (Tc)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 9A, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 10V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 630pF @ 10V
    • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 3.1W (Ta), 16.7W (Tc)
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 10V
    • Напряжение затвора (макс): ±12V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • AON7826
    MOSFET 2N-CH 20V 9A 8DFN
    Alpha & Omega Semiconductor Inc.
    • Производитель: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: 8-PowerSMD, Flat Leads
    • Тип корпуса: 8-DFN (3x3)
    • Тип канала: 2 N-Channel (Dual)
    • FET Feature: Logic Level Gate
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 20V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 9A
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 9A, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 10V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 630pF @ 10V
    • Мощность - Макс.: 3.1W
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100