-
- Package / Case
- Тип транзистора
- Технология
- Рабочая температура
- Тип канала
- Усиление
- Коэффициент шума
- Рассеиваемая мощность (Макс)
- Напряжение сток-исток (Vdss)
- Voltage - Test
- Current - Test
- Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C
- FET Feature
- Rds On (Max) @ Id, Vgs
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
- Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id
- Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds
- Напряжение затвора (макс)
- Серия
-
- Производитель: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: 8-SMD, Flat Lead
- Тип корпуса: 8-DFN (3x3)
- Тип канала: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
- FET Feature: Logic Level Gate
- Напряжение сток-исток (Vdss): 20V
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 4A, 4.5V
- Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
- Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 13nC @ 4.5V
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 1100pF @ 10V
- Мощность - Макс.: 2.5W
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: 8-PowerVDFN
- Тип корпуса: 8-DFN (3x3)
- Тип канала: N-Channel
- Напряжение сток-исток (Vdss): 30V
- Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 13.5A (Ta), 39A (Tc)
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 20A, 10V
- Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
- Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 17.8nC @ 10V
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 770pF @ 15V
- Технология: MOSFET (Metal Oxide)
- Рассеиваемая мощность (Макс): 3.1W (Ta), 26W (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
- Напряжение затвора (макс): ±20V
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: 8-PowerVDFN
- Тип корпуса: 8-DFN (3x3)
- Тип канала: N-Channel
- Напряжение сток-исток (Vdss): 30V
- Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 10.5A (Ta), 18A (Tc)
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 10.5A, 10V
- Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
- Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 26nC @ 10V
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 813pF @ 15V
- Технология: MOSFET (Metal Oxide)
- Рассеиваемая мощность (Макс): 3.1W (Ta), 20.8W (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
- Напряжение затвора (макс): ±12V
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
- Серия: SRFET™
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -55°C ~ 155°C (TJ)
- Package / Case: 8-PowerVDFN
- Тип корпуса: 8-DFN (3x3)
- Тип канала: N-Channel
- FET Feature: Schottky Diode (Body)
- Напряжение сток-исток (Vdss): 30V
- Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 13.5A (Ta), 36A (Tc)
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 13A, 10V
- Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
- Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 10V
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 1400pF @ 15V
- Технология: MOSFET (Metal Oxide)
- Рассеиваемая мощность (Макс): 3.1W (Ta), 23W (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
- Напряжение затвора (макс): ±12V
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: 8-PowerVDFN
- Тип корпуса: 8-DFN (3x3)
- Тип канала: N-Channel
- Напряжение сток-исток (Vdss): 40V
- Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 40A (Tc)
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 20A, 10V
- Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
- Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 35nC @ 10V
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 2200pF @ 20V
- Технология: MOSFET (Metal Oxide)
- Рассеиваемая мощность (Макс): 3.1W (Ta), 36.7W (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
- Напряжение затвора (макс): ±20V
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: 8-PowerSMD, Flat Leads
- Тип корпуса: 8-DFN (3x3)
- Тип канала: 2 N-Channel (Dual)
- FET Feature: Standard
- Напряжение сток-исток (Vdss): 30V
- Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 15A (Tc)
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 11A, 10V
- Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
- Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 40nC @ 10V
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 1500pF @ 15V
- Мощность - Макс.: 5W (Ta), 16.5W (Tc)
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: 8-SMD, Flat Lead
- Тип корпуса: 8-DFN (3x3)
- Тип канала: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
- FET Feature: Logic Level Gate
- Напряжение сток-исток (Vdss): 20V
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 6A, 4.5V
- Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
- Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 13nC @ 4.5V
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 1100pF @ 10V
- Мощность - Макс.: 2.5W
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: 8-PowerVDFN
- Тип корпуса: 8-DFN (3x3)
- Тип канала: N-Channel
- Напряжение сток-исток (Vdss): 30V
- Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 16A (Tc)
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.2mOhm @ 16A, 10V
- Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
- Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 10V
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 605pF @ 15V
- Технология: MOSFET (Metal Oxide)
- Рассеиваемая мощность (Макс): 3.1W (Ta), 20W (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
- Напряжение затвора (макс): ±20V
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
- Серия: SRFET™
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: 8-PowerVDFN
- Тип корпуса: 8-DFN (3x3)
- Тип канала: N-Channel
- FET Feature: Schottky Diode (Body)
- Напряжение сток-исток (Vdss): 30V
- Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 13.5A (Ta), 20A (Tc)
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 13.5A, 10V
- Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
- Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 10V
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 810pF @ 15V
- Технология: MOSFET (Metal Oxide)
- Рассеиваемая мощность (Макс): 3.1W (Ta), 23W (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
- Напряжение затвора (макс): ±20V
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: 8-PowerVDFN
- Тип корпуса: 8-DFN (3x3)
- Тип канала: N-Channel
- Напряжение сток-исток (Vdss): 100V
- Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 5A (Ta), 12.5A (Tc)
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 66mOhm @ 5A, 10V
- Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
- Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 10V
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 415pF @ 50V
- Технология: MOSFET (Metal Oxide)
- Рассеиваемая мощность (Макс): 3.1W (Ta), 20.8W (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
- Напряжение затвора (макс): ±20V
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
- Серия: SRFET™
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: 8-PowerVDFN
- Тип корпуса: 8-DFN (3x3)
- Тип канала: N-Channel
- FET Feature: Schottky Diode (Body)
- Напряжение сток-исток (Vdss): 30V
- Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 40A (Tc)
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 20A, 10V
- Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 2V @ 250µA
- Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 29nC @ 10V
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 4100pF @ 15V
- Технология: MOSFET (Metal Oxide)
- Рассеиваемая мощность (Макс): 3.1W (Ta), 36W (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
- Напряжение затвора (макс): ±12V
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: 8-PowerVDFN
- Тип корпуса: 8-DFN (3x3)
- Тип канала: N-Channel
- Напряжение сток-исток (Vdss): 30V
- Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 34A (Tc)
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 20A, 10V
- Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
- Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 10V
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 910pF @ 15V
- Технология: MOSFET (Metal Oxide)
- Рассеиваемая мощность (Макс): 3.1W (Ta), 23W (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
- Напряжение затвора (макс): ±20V
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
- Серия: SDMOS™
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: 8-PowerVDFN
- Тип корпуса: 8-DFN (3x3)
- Тип канала: N-Channel
- Напряжение сток-исток (Vdss): 60V
- Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 33A (Tc)
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 9A, 10V
- Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 2.6V @ 250µA
- Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 34nC @ 10V
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 2000pF @ 30V
- Технология: MOSFET (Metal Oxide)
- Рассеиваемая мощность (Макс): 3.1W (Ta), 42W (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
- Напряжение затвора (макс): ±20V
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
- Серия: AlphaMOS
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: 8-PowerVDFN
- Тип корпуса: 8-DFN (3x3)
- Тип канала: N-Channel
- Напряжение сток-исток (Vdss): 30V
- Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 20A, 10V
- Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
- Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 10V
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 1086pF @ 15V
- Технология: MOSFET (Metal Oxide)
- Рассеиваемая мощность (Макс): 3.1W (Ta), 23W (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
- Напряжение затвора (макс): ±20V
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: 8-PowerVDFN
- Тип корпуса: 8-DFN (3x3)
- Тип канала: N-Channel
- Напряжение сток-исток (Vdss): 60V
- Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 34.5A (Tc)
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 10A, 10V
- Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
- Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 10V
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 1610pF @ 30V
- Технология: MOSFET (Metal Oxide)
- Рассеиваемая мощность (Макс): 3.1W (Ta), 34.7W (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
- Напряжение затвора (макс): ±20V
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
- 10
- 15
- 50
- 100