Полупроводники, Транзисторы, FET, MOSFET Alpha & Omega Semiconductor Inc. 8-DFN (3x2)

    • Package / Case
    • Тип транзистора
    • Технология
    • Рабочая температура
    • Тип полевого транзистора
    • Усиление
    • Коэффициент шума
    • Рассеиваемая мощность (Макс)
    • Напряжение сток-исток (Vdss)
    • Voltage - Test
    • Current - Test
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C
    • FET Feature
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds
    • Напряжение затвора (макс)
    • Серия
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100
Списком Таблицей
Найдено: 16
  • AON4605
    MOSFET N/P-CH 30V 4.3A/3.4A 8DFN
    Alpha & Omega Semiconductor Inc.
    • Производитель: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: 8-SMD, Flat Lead
    • Тип корпуса: 8-DFN (3x2)
    • Тип полевого транзистора: N and P-Channel
    • FET Feature: Logic Level Gate
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 30V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 4.3A, 3.4A
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4.3A, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 5nC @ 10V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 210pF @ 15V
    • Мощность - Макс.: 1.9W
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • AON4421
    MOSFET P-CH 30V 8A 8DFN
    Alpha & Omega Semiconductor Inc.
    • Производитель: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: 8-SMD, Flat Lead
    • Тип корпуса: 8-DFN (3x2)
    • Тип полевого транзистора: P-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 30V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 8A (Ta)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 8A, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 21nC @ 10V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 1120pF @ 15V
    • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 2.5W (Ta)
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
    • Напряжение затвора (макс): ±20V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • AON4407L_002
    MOSFET P-CH 12V 9A 8DFN
    Alpha & Omega Semiconductor Inc.
    • Производитель: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: 8-SMD, Flat Lead
    • Тип корпуса: 8-DFN (3x2)
    • Тип полевого транзистора: P-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 12V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 9A (Ta)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 9A, 4.5V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 850mV @ 250µA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 23nC @ 4.5V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 2100pF @ 6V
    • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 2.5W (Ta)
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
    • Напряжение затвора (макс): ±8V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • AON4421_001
    MOSFET P-CH 30V 8A 8DFN
    Alpha & Omega Semiconductor Inc.
    • Производитель: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: 8-SMD, Flat Lead
    • Тип корпуса: 8-DFN (3x2)
    • Тип полевого транзистора: P-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 30V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 8A (Ta)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 8A, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 21nC @ 10V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 1120pF @ 15V
    • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 2.5W (Ta)
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
    • Напряжение затвора (макс): ±20V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • AON4803
    MOSFET 2P-CH 20V 3.4A DFN3X2
    Alpha & Omega Semiconductor Inc.
    • Производитель: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: 8-SMD, Flat Lead
    • Тип корпуса: 8-DFN (3x2)
    • Тип полевого транзистора: 2 P-Channel (Dual)
    • FET Feature: Logic Level Gate
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 20V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 3.4A
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 3.4A, 4.5V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 1V @ 250µA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 8nC @ 4.5V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 745pF @ 10V
    • Мощность - Макс.: 1.7W
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • AON4407L
    MOSFET P-CH DFN
    Alpha & Omega Semiconductor Inc.
    • Производитель: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: 8-SMD, Flat Lead
    • Тип корпуса: 8-DFN (3x2)
    • Тип полевого транзистора: P-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 12V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 9A (Ta)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 9.5A, 4.5V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 850mV @ 250µA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 23nC @ 4.5V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 2100pF @ 6V
    • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 2.5W (Ta)
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
    • Напряжение затвора (макс): ±8V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • AON4703
    MOSFET P-CH 20V 3.4A 8DFN
    Alpha & Omega Semiconductor Inc.
    • Производитель: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: 8-SMD, Flat Lead
    • Тип корпуса: 8-DFN (3x2)
    • Тип полевого транзистора: P-Channel
    • FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 20V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 3.4A, 4.5V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 1V @ 250µA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 6.1nC @ 4.5V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 540pF @ 10V
    • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 1.7W (Ta)
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
    • Напряжение затвора (макс): ±8V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • AON4605_001
    MOSFET N/P-CH 30V 4.3A/3.4A 8DFN
    Alpha & Omega Semiconductor Inc.
    • Производитель: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: 8-SMD, Flat Lead
    • Тип корпуса: 8-DFN (3x2)
    • Тип полевого транзистора: N and P-Channel
    • FET Feature: Logic Level Gate
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 30V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 4.3A, 3.4A
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4.3A, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 5nC @ 10V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 210pF @ 15V
    • Мощность - Макс.: 1.9W
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • AON4807
    MOSFET 2P-CH 30V 4A 8DFN
    Alpha & Omega Semiconductor Inc.
    • Производитель: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: 8-SMD, Flat Lead
    • Тип корпуса: 8-DFN (3x2)
    • Тип полевого транзистора: 2 P-Channel (Dual)
    • FET Feature: Logic Level Gate
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 30V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 4A
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 68mOhm @ 4A, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 10V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 290pF @ 15V
    • Мощность - Макс.: 1.9W
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • AON4420
    MOSFET N-CH 30V 10A SFN3X2
    Alpha & Omega Semiconductor Inc.
    • Производитель: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: 8-SMD, Flat Lead
    • Тип корпуса: 8-DFN (3x2)
    • Тип полевого транзистора: N-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 30V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 10A, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 10V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 660pF @ 15V
    • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 1.6W (Ta)
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
    • Напряжение затвора (макс): ±20V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • AON4407_003
    MOSFET P-CH 12V 9A 8DFN
    Alpha & Omega Semiconductor Inc.
    • Производитель: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: 8-SMD, Flat Lead
    • Тип корпуса: 8-DFN (3x2)
    • Тип полевого транзистора: P-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 12V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 9A (Ta)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 9A, 4.5V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 850mV @ 250µA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 23nC @ 4.5V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 2100pF @ 6V
    • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 2.5W (Ta)
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
    • Напряжение затвора (макс): ±8V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • AON4807_001
    MOSFET 2P-CH 30V 4A 8DFN
    Alpha & Omega Semiconductor Inc.
    • Производитель: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: 8-SMD, Flat Lead
    • Тип корпуса: 8-DFN (3x2)
    • Тип полевого транзистора: 2 P-Channel (Dual)
    • FET Feature: Logic Level Gate
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 30V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 4A
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 68mOhm @ 4A, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 10V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 290pF @ 15V
    • Мощность - Макс.: 1.9W
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • AON4407
    MOSFET P-CH 12V 9A 8DFN
    Alpha & Omega Semiconductor Inc.
    • Производитель: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: 8-SMD, Flat Lead
    • Тип корпуса: 8-DFN (3x2)
    • Тип полевого транзистора: P-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 12V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 9A (Ta)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 9A, 4.5V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 850mV @ 250µA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 23nC @ 4.5V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 2100pF @ 6V
    • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 2.5W (Ta)
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
    • Напряжение затвора (макс): ±8V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • AON4407L_003
    MOSFET P-CH 12V 9A 8DFN
    Alpha & Omega Semiconductor Inc.
    • Производитель: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: 8-SMD, Flat Lead
    • Тип корпуса: 8-DFN (3x2)
    • Тип полевого транзистора: P-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 12V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 9A (Ta)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 9A, 4.5V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 850mV @ 250µA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 23nC @ 4.5V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 2100pF @ 6V
    • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 2.5W (Ta)
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
    • Напряжение затвора (макс): ±8V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • AON4807_101
    MOSFET P-CH DUAL DFN
    Alpha & Omega Semiconductor Inc.
    • Производитель: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: 8-SMD, Flat Lead
    • Тип корпуса: 8-DFN (3x2)
    • Тип полевого транзистора: 2 P-Channel (Dual)
    • FET Feature: Standard
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 30V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 4A
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 68mOhm @ 4A, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 10V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 290pF @ 15V
    • Мощность - Макс.: 1.9W
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100