Полупроводники, Транзисторы, FET, MOSFET Alpha & Omega Semiconductor Inc. 6-DFN (2x2)

    • Package / Case
    • Тип транзистора
    • Технология
    • Рабочая температура
    • Тип полевого транзистора
    • Усиление
    • Коэффициент шума
    • Рассеиваемая мощность (Макс)
    • Напряжение сток-исток (Vdss)
    • Voltage - Test
    • Current - Test
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C
    • FET Feature
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds
    • Напряжение затвора (макс)
    • Серия
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100
Списком Таблицей
Найдено: 14
  • AON2802
    MOSFET 2N-CH 30V 2A 6DFN
    Alpha & Omega Semiconductor Inc.
    • Производитель: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
    • Тип корпуса: 6-DFN (2x2)
    • Тип полевого транзистора: 2 N-Channel (Dual)
    • FET Feature: Logic Level Gate
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 30V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 2A
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 2A, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 10V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 245pF @ 15V
    • Мощность - Макс.: 2.1W
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • AON2803
    MOSFET 2P-CH 20V 3.8A 6DFN
    Alpha & Omega Semiconductor Inc.
    • Производитель: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
    • Тип корпуса: 6-DFN (2x2)
    • Тип полевого транзистора: 2 P-Channel (Dual)
    • FET Feature: Logic Level Gate
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 20V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 3.8A
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 3.8A, 4.5V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 1V @ 250µA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 4.5V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 560pF @ 10V
    • Мощность - Макс.: 1.5W
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • AON2707_001
    MOSFET P-CH W/DIO 6DFN
    Alpha & Omega Semiconductor Inc.
    • Производитель: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
    • Тип корпуса: 6-DFN (2x2)
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • AON2705_001
    MOSFET P-CH W/DIO 6DFN
    Alpha & Omega Semiconductor Inc.
    • Производитель: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
    • Тип корпуса: 6-DFN (2x2)
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • AON2810
    MOSFET 2N-CH 30V 2A 6DFN
    Alpha & Omega Semiconductor Inc.
    • Производитель: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
    • Тип корпуса: 6-DFN (2x2)
    • Тип полевого транзистора: 2 N-Channel (Dual)
    • FET Feature: Logic Level Gate
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 30V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 2A
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 2A, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 10V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 235pF @ 15V
    • Мощность - Макс.: 2.5W
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • AON2800
    MOSFET 2N-CH 20V 4.5A 6DFN
    Alpha & Omega Semiconductor Inc.
    • Производитель: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
    • Тип корпуса: 6-DFN (2x2)
    • Тип полевого транзистора: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
    • FET Feature: Logic Level Gate
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 20V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 4.5A
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47mOhm @ 4A, 4.5V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 6nC @ 4.5V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 435pF @ 10V
    • Мощность - Макс.: 1.5W
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • AON2801L#A
    MOSFET 2P-CH 20V 3A DFN2X2-6L
    Alpha & Omega Semiconductor Inc.
    • Производитель: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
    • Тип корпуса: 6-DFN (2x2)
    • Тип полевого транзистора: 2 P-Channel (Dual)
    • FET Feature: Logic Level Gate
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 20V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 3A
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 3A, 4.5V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 1V @ 250µA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5nC @ 4.5V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 700pF @ 10V
    • Мощность - Макс.: 1.5W
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • AON2809
    MOSFET 2P-CH 12V 2A 6DFN
    Alpha & Omega Semiconductor Inc.
    • Производитель: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
    • Тип корпуса: 6-DFN (2x2)
    • Тип полевого транзистора: 2 P-Channel (Dual)
    • FET Feature: Logic Level Gate
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 12V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 2A
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 68mOhm @ 2A, 4.5V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 4.4nC @ 4.5V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 415pF @ 6V
    • Мощность - Макс.: 2.1W
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • AONT21313C
    MOSFET P-CH 6DFN
    Alpha & Omega Semiconductor Inc.
    • Производитель: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
    • Тип корпуса: 6-DFN (2x2)
    • Тип полевого транзистора: P-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 30V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 8A (Ta)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 8A, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5nC @ 10V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 530pF @ 15V
    • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 2.8W (Ta)
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
    • Напряжение затвора (макс): ±20V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • AON2801L
    MOSFET P-CH DUAL DFN
    Alpha & Omega Semiconductor Inc.
    • Производитель: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
    • Тип корпуса: 6-DFN (2x2)
    • Тип полевого транзистора: 2 P-Channel (Dual)
    • FET Feature: Standard
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 20V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 3A, 4.5V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 1V @ 250µA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5nC @ 4.5V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 700pF @ 10V
    • Мощность - Макс.: 1.5W
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • AON2701_001
    MOSFET P-CH W/DIODE DFN
    Alpha & Omega Semiconductor Inc.
    • Производитель: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
    • Тип корпуса: 6-DFN (2x2)
    • Тип полевого транзистора: P-Channel
    • FET Feature: Schottky Diode (Body)
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 20V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 3A, 4.5V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 1V @ 250µA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5nC @ 4.5V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 700pF @ 10V
    • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 1.5W (Ta)
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
    • Напряжение затвора (макс): ±8V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • AON2701L#A
    MOSFET P-CH 20V 3A 6DFN
    Alpha & Omega Semiconductor Inc.
    • Производитель: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
    • Тип корпуса: 6-DFN (2x2)
    • Тип полевого транзистора: P-Channel
    • FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 20V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 3A, 4.5V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 1V @ 250µA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5nC @ 4.5V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 700pF @ 10V
    • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 1.5W (Ta)
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
    • Напряжение затвора (макс): ±8V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • AON2801
    MOSFET 2P-CH 20V 3A DFN2X2-6L
    Alpha & Omega Semiconductor Inc.
    • Производитель: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
    • Тип корпуса: 6-DFN (2x2)
    • Тип полевого транзистора: 2 P-Channel (Dual)
    • FET Feature: Logic Level Gate
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 20V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 3A
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 3A, 4.5V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 1V @ 250µA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5nC @ 4.5V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 700pF @ 10V
    • Мощность - Макс.: 1.5W
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • AON2812
    MOSFET 2N-CH 30V 4.5A
    Alpha & Omega Semiconductor Inc.
    • Производитель: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
    • Серия: AlphaMOS
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
    • Тип корпуса: 6-DFN (2x2)
    • Тип полевого транзистора: 2 N-Channel (Dual)
    • FET Feature: Logic Level Gate
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 30V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 4.5A
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 2A, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 10V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 235pF @ 15V
    • Мощность - Макс.: 2.5W
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100