Найдено: 5
  • MOSFET P-CH 20V 2A 4WLCSP
    Alpha & Omega Semiconductor Inc.
    • Производитель: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: 4-SMD, No Lead
    • Тип корпуса: 4-AlphaDFN (0.97x0.97)
    • Тип канала: P-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 20V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 1A, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 10V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 470pF @ 10V
    • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 600mW (Ta)
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
    • Напряжение затвора (макс): ±12V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • MOSFET N-CH 8V 3.5A 4WLCSP
    Alpha & Omega Semiconductor Inc.
    • Производитель: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: 4-SMD, No Lead
    • Тип корпуса: 4-AlphaDFN (0.97x0.97)
    • Тип канала: N-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 8V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 1.5A, 2.5V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 800mV @ 250µA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 4.5V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 870pF @ 4V
    • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 600mW (Ta)
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 2.5V
    • Напряжение затвора (макс): ±5V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • MOSFET P-CH 20V 1.8A 4WLCSP
    Alpha & Omega Semiconductor Inc.
    • Производитель: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: 4-SMD, No Lead
    • Тип корпуса: 4-AlphaDFN (0.97x0.97)
    • Тип канала: P-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 20V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 1.8A (Ta)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 1A, 4.5V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 1V @ 250µA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 4.8nC @ 4.5V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 405pF @ 10V
    • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 450mW (Ta)
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
    • Напряжение затвора (макс): ±8V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • 20V COMMON-DRAIN DUAL N-CHANNEL
    Alpha & Omega Semiconductor Inc.
    • Производитель: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: 4-SMD, No Lead
    • Тип корпуса: 4-AlphaDFN (0.97x0.97)
    • Тип канала: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
    • FET Feature: Standard
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 20V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 3A, 4.5V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 11.5nC @ 4.5V
    • Мощность - Макс.: 1.1W (Ta)
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • MOSFET P-CH 8V 2.5A 4WLCSP
    Alpha & Omega Semiconductor Inc.
    • Производитель: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: 4-SMD, No Lead
    • Тип корпуса: 4-AlphaDFN (0.97x0.97)
    • Тип канала: P-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 8V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 62mOhm @ 1.5A, 2.5V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 700mV @ 250µA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 13nC @ 4.5V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 752pF @ 4V
    • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 600mW (Ta)
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 2.5V
    • Напряжение затвора (макс): ±5V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием: