• Производитель: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
• Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
• Тип корпуса: 8-SOIC
• Тип канала: 2 P-Channel (Dual)
• FET Feature: Standard
• Напряжение сток-исток (Vdss): 30V
• Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 5A
• Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 5A, 10V
• Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
• Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 10V
• Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 520pF @ 15V
• Мощность - Макс.: 2W

• Производитель: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
• Package / Case: 8-PowerVDFN
• Тип корпуса: 8-DFN (3x3)
• Тип канала: N-Channel
• Напряжение сток-исток (Vdss): 30V
• Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 13.5A (Ta), 39A (Tc)
• Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 20A, 10V
• Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
• Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 17.8nC @ 10V
• Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 770pF @ 15V
• Технология: MOSFET (Metal Oxide)
• Рассеиваемая мощность (Макс): 3.1W (Ta), 26W (Tc)
• Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
• Напряжение затвора (макс): ±20V

• Производитель: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
• Серия: AlphaSGT™
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
• Package / Case: 8-PowerSFN
• Тип корпуса: TOLLA
• Тип канала: N-Channel
• Напряжение сток-исток (Vdss): 40V
• Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 82A (Ta), 400A (Tc)
• Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.7mOhm @ 20A, 10V
• Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
• Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 340nC @ 10V
• Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 19180pF @ 20V
• Технология: MOSFET (Metal Oxide)
• Рассеиваемая мощность (Макс): 8.3W (Ta), 300W (Tc)
• Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
• Напряжение затвора (макс): ±20V

• Производитель: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
• Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
• Тип корпуса: 8-SOIC
• Тип канала: P-Channel
• Напряжение сток-исток (Vdss): 30V
• Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta)
• Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 6.5A, 10V
• Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
• Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 16nC @ 10V
• Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 830pF @ 15V
• Технология: MOSFET (Metal Oxide)
• Рассеиваемая мощность (Макс): 3.1W (Ta)
• Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
• Напряжение затвора (макс): ±20V

• Производитель: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
• Package / Case: 8-WDFN Exposed Pad
• Тип корпуса: 8-DFN-EP (3x3)
• Тип канала: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
• FET Feature: Standard
• Напряжение сток-исток (Vdss): 30V
• Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 16A (Tc), 15A (Ta), 18A (Tc)
• Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.2mOhm @ 13A, 10V, 7.7mOhm @ 15A, 10V
• Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
• Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 10V, 17.5nC @ 10V
• Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 485pF @ 15V, 807pF @ 15V
• Мощность - Макс.: 2.5W (Ta), 23W (Tc), 2.5W (Ta), 25W (Tc)

• Производитель: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
• Вид монтажа: Through Hole
• Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
• Package / Case: TO-220-3
• Тип корпуса: TO-220
• Тип канала: N-Channel
• Напряжение сток-исток (Vdss): 600V
• Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
• Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260mOhm @ 10A, 10V
• Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 5V @ 250µA
• Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 80nC @ 10V
• Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 3607pF @ 100V
• Технология: MOSFET (Metal Oxide)
• Рассеиваемая мощность (Макс): 463W (Tc)
• Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
• Напряжение затвора (макс): ±30V

• Производитель: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
• Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
• Тип корпуса: TO-252, (D-Pak)
• Тип канала: N-Channel
• Напряжение сток-исток (Vdss): 100V
• Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 4A (Ta), 14A (Tc)
• Rds On (Max) @ Id, Vgs: 68mOhm @ 5A, 10V
• Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 2.9V @ 250µA
• Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 10V
• Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 390pF @ 50V
• Технология: MOSFET (Metal Oxide)
• Рассеиваемая мощность (Макс): 2.5W (Ta), 30W (Tc)
• Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
• Напряжение затвора (макс): ±20V

• Производитель: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
• Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
• Тип корпуса: SOT-23
• Тип канала: N-Channel
• Напряжение сток-исток (Vdss): 60V
• Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 650mA (Ta)
• Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7Ohm @ 650mA, 10V
• Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
• Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 27pF @ 30V
• Технология: MOSFET (Metal Oxide)
• Рассеиваемая мощность (Макс): 1.4W (Ta)
• Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
• Напряжение затвора (макс): ±20V

• Производитель: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
• Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
• Тип корпуса: SOT-23-3
• Тип канала: P-Channel
• Напряжение сток-исток (Vdss): 20V
• Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
• Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 4.5A, 4.5V
• Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
• Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 4.5V
• Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 930pF @ 10V
• Технология: MOSFET (Metal Oxide)
• Рассеиваемая мощность (Макс): 1.3W (Ta)
• Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
• Напряжение затвора (макс): ±8V

• Производитель: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
• Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
• Тип корпуса: TO-252, (D-Pak)
• Тип канала: N-Channel
• Напряжение сток-исток (Vdss): 400V
• Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 6.6A (Tc)
• Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 4A, 10V
• Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 5V @ 250µA
• Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 10V
• Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 530pF @ 100V
• Технология: MOSFET (Metal Oxide)
• Рассеиваемая мощность (Макс): 83W (Tc)
• Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
• Напряжение затвора (макс): ±30V

• Производитель: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
• Серия: AlphaMOS
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
• Package / Case: 8-PowerWDFN
• Тип корпуса: 8-DFN-EP (3.3x3.3)
• Тип канала: N-Channel
• Напряжение сток-исток (Vdss): 30V
• Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 36A (Ta), 75A (Tc)
• Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.85mOhm @ 20A, 10V
• Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 2V @ 250µA
• Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 100nC @ 10V
• Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 5200pF @ 15V
• Технология: MOSFET (Metal Oxide)
• Рассеиваемая мощность (Макс): 4.2W (Ta), 34W (Tc)
• Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
• Напряжение затвора (макс): ±12V

• Производитель: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
• Package / Case: 8-PowerWDFN
• Тип корпуса: 8-DFN-EP (3.3x3.3)
• Тип канала: N-Channel
• Напряжение сток-исток (Vdss): 30V
• Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 50A (Tc)
• Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 20A, 10V
• Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
• Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 75nC @ 10V
• Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 2820pF @ 15V
• Технология: MOSFET (Metal Oxide)
• Рассеиваемая мощность (Макс): 4.2W (Ta), 42W (Tc)
• Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
• Напряжение затвора (макс): ±20V

• Производитель: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
• Серия: aMOS™
• Вид монтажа: Through Hole
• Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
• Package / Case: TO-220-3
• Тип корпуса: TO-220
• Тип канала: N-Channel
• Напряжение сток-исток (Vdss): 650V
• Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
• Rds On (Max) @ Id, Vgs: 399mOhm @ 5.5A, 10V
• Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 4V @ 250µA
• Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 13.2nC @ 10V
• Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 646pF @ 100V
• Технология: MOSFET (Metal Oxide)
• Рассеиваемая мощность (Макс): 198W (Tc)
• Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
• Напряжение затвора (макс): ±30V

• Производитель: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
• Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
• Тип корпуса: 8-SOIC
• Тип канала: 2 P-Channel (Dual)
• FET Feature: Logic Level Gate
• Напряжение сток-исток (Vdss): 30V
• Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 6A
• Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 6A, 10V
• Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
• Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 16nC @ 10V
• Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 760pF @ 15V
• Мощность - Макс.: 2W

• Производитель: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
• Серия: SDMOS™
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
• Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
• Тип корпуса: TO-252-3
• Тип канала: N-Channel
• Напряжение сток-исток (Vdss): 25V
• Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
• Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 20A, 10V
• Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
• Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 16.8nC @ 10V
• Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 734pF @ 12.5V
• Технология: MOSFET (Metal Oxide)
• Рассеиваемая мощность (Макс): 2.1W (Ta), 30W (Tc)
• Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
• Напряжение затвора (макс): ±20V